NCP1417
输入
1.0 V至
V
OUT
10
mF
22
mH
150 pF的
355 K
FB
VOUT
+
V
OUT
200 K
LOW BATTERY
检测输入
关闭
输入
56 nF的
LOW BATTERY
漏极开路
输出1
LBI / SHDN
LX
33
mF
输出1.5 V至5.5 V
I
OUT
典型的最多
200毫安在3.3 V输出
和2.5 V输入
NCP1417
LBO1
GND
REF
150 nF的
LBO2
LOW BATTERY
漏极开路
输出2
图1:典型工作电路
最大额定值
等级
电源(引脚8 )
输入/输出引脚
1-5针, 7针
热特性
Micro8塑料包装
最大功率耗散@ T
A
= 25°C
热阻结到空气
工作结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
1.此设备包含ESD保护和超过以下测试:
人体模型( HBM )
"2.0
根据JEDEC标准千伏: JESD22- A114
.
机器模型( MM )
"200
JESD22 - A115 :根据JEDEC标准的V 。
2.最大封装功耗限值不得超过。
TJ(MAX)
*
TA
PD
+
R
qJA
3,闩锁电流最大额定值:
"150
毫安根据JEDEC标准: JESD78 。
4.湿度敏感度等级:根据IPC / JEDEC标准MSL 1 : J- STD- 020A 。
符号
V
OUT
V
IO
价值
0.3
6.0
0.3
6.0
单位
V
V
P
D
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
520
240
40
+150
40
+85
55
+150
mW
° C / W
_C
_C
_C
http://onsemi.com
2
NCP1417
电气特性
(V
OUT
= 3.3 V ,T
A
= 25°C典型值,
40°C
≤
T
A
≤
85 ℃,最大/最小值,除非
特征
工作电压
输出电压范围(由外部反馈调整)
参考电压(C
REF
= 150 nF的,在没有加载,T
A
= 25_C)
参考电压(C
REF
= 150 nF的,在没有加载,
40_C
≤
T
A
≤
85_C)
参考电压温度COEF网络cient
参考电压负载电流
(V
OUT
= 3.3 V, V
REF
= V
REF_NL
& QUOT ;
1.5%, C
REF
= 1.0
MF)
(注5
)
参考电压负载调整
(V
OUT
= 3.3 V,I
负载
= 0至100
毫安,
C
REF
= 1.0
MF)
参考电压线路调整
FB , LBI输入阈值
内部NFET导通电阻(我
LX
= 100 mA时)
内部PFET导通电阻(我
LX
= 100 mA时)
LX开关电流限制( NFET )
工作电流为OUT
(V
FB
= 1.4 V,即没有开关,V
OUT
= 3.3 V)
关断电流为OUT ( SHDN = GND)
LX开关最大。导通时间(V
FB
= 1.0 V, V
OUT
= 3.3 V)
LX开关MIN 。关断时间(V
FB
= 1.0 V, V
OUT
= 3.3 V)
FB输入电流
LBI / SHDN输入电流
LBO1 / LBO2低输出电压(V
LBI
= 0, I
SINK
= 1.0 mA)的
LBI / SHDN输入阈值LBO1
LBI / SHDN输入阈值LBO2
LBI / SHDN输入阈值,低
LBI / SHDN输入阈值,高
与V 5.承载能力下降
OUT
.
符号
V
IN
V
OUT
V
REF_NL
V
REF_NL_A
TC
VREF
I
REF
V
REF_LOAD
V
REF_LINE
V
FB ,
V
LBI
R
DS ( ON) _N
R
DS ( ON) _P
I
LIM
I
Q
I
SD
t
ON
t
关闭
I
FB
I
LBI ,
I
SHDN
V
LBO_L1
V
LBO_L2
V
LBI1
V
LBI2
V
SHDN_L
V
SHDN_H
民
1.0
V
IN
1.183
1.178
2.5
1.172
0.8
0.22
1.172
0.904
0.6
典型值
1.190
0.03
0.015
0.03
1.190
0.65
1.3
1.0
9.0
0.05
1.4
0.25
1.5
1.5
1.190
0.944
最大
5.5
5.5
1.197
1.202
1.0
1.0
1.200
14
1.0
2.0
0.46
20
8.0
0.08
0.08
1.200
0.965
0.3
单位
V
V
V
V
毫伏/°C的
mA
mV
mV / V的
V
W
W
A
mA
mA
mS
mS
nA
nA
V
V
V
V
V
另有说明)。
引脚功能说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
FB
LBI / SHDN
LBO1
REF
LBO2
GND
LX
OUT
输出电压反馈输入。
低电池电压检测输入和关断控制输入多功能引脚。
开漏低电池电压检测器输出。输出为低电平时, VLBI是< 1.172 V. LBO1很高
在关闭过程中的阻抗。
1.190 V参考电压输出,与150 nF的电容旁路如果没有加载这个引脚,
1绕过
μF
如果此引脚装载高达2.5毫安V
OUT
= 3.3 V.
开漏低电池电压检测器输出。输出为低电平时, VLBI是< 0.904 V. LBO2很高
在关闭过程中的阻抗。
地
N沟道和P沟道功率MOSFET的漏极连接。
功率输出。 OUT提供了自举电源IC 。
引脚说明
http://onsemi.com
3
NCP1417
输入
1.0 V至
V
OUT
10
mF
22
mH
150 pF的
355 K
FB
VOUT
+
V
OUT
200 K
LOW BATTERY
检测输入
关闭
输入
56 nF的
LOW BATTERY
漏极开路
输出1
REF
LBO2
LOW BATTERY
漏极开路
输出2
LBI / SHDN
LX
33
mF
输出1.5 V至5.5 V
I
OUT
典型的最多
200毫安在3.3 V输出
和2.5 V输入
NCP1417
LBO1
GND
150 nF的
图1:典型工作电路
最大额定值
等级
电源(引脚8 )
输入/输出引脚
1-5针, 7针
热特性
Micro8塑料包装
最大功率耗散@ T
A
= 25°C
热阻结到空气
工作结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
1.此设备包含ESD保护和超过以下测试:
人体模型( HBM )
"2.0
根据JEDEC标准千伏: JESD22- A114
.
机器模型( MM )
"200
JESD22 - A115 :根据JEDEC标准的V 。
2.最大封装功耗限值不得超过。
TJ(MAX)
*
TA
PD
+
R
qJA
3,闩锁电流最大额定值:
"150
毫安根据JEDEC标准: JESD78 。
4.湿度敏感度等级:根据IPC / JEDEC标准MSL 1 : J- STD- 020A 。
符号
V
OUT
V
IO
价值
-0.3 6.0
-0.3 6.0
单位
V
V
P
D
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
520
240
-40到+150
-40至+85
-55到+150
mW
° C / W
_C
_C
_C
http://onsemi.com
2
NCP1417
电气特性
(V
OUT
= 3.3 V ,T
A
= 25°C典型值, -40°C
≤
T
A
≤
85 ℃,最大/最小值,除非
另有说明)。
特征
工作电压
输出电压范围(由外部反馈调整)
参考电压(C
REF
= 150 nF的,在没有加载,T
A
= 25_C)
参考电压(C
REF
= 150 nF的,在没有加载,
–40_C
≤
T
A
≤
85_C)
参考电压温度COEF网络cient
参考电压负载电流
(V
OUT
= 3.3 V, V
REF
= V
REF_NL
& QUOT ;
1.5%, C
REF
= 1.0
MF)
(注5
)
参考电压负载调整
(V
OUT
= 3.3 V,I
负载
= 0至100
毫安,
C
REF
= 1.0
MF)
参考电压线路调整
FB , LBI输入阈值
内部NFET导通电阻(我
LX
= 100 mA时)
内部PFET导通电阻(我
LX
= 100 mA时)
LX开关电流限制( NFET )
工作电流为OUT
(V
FB
= 1.4 V,即没有开关,V
OUT
= 3.3 V)
关断电流为OUT ( SHDN = GND)
LX开关最大。导通时间(V
FB
= 1.0 V, V
OUT
= 3.3 V)
LX开关MIN 。关断时间(V
FB
= 1.0 V, V
OUT
= 3.3 V)
FB输入电流
LBI / SHDN输入电流
LBO1 / LBO2低输出电压(V
LBI
= 0, I
SINK
= 1.0 mA)的
LBI / SHDN输入阈值LBO1
LBI / SHDN输入阈值LBO2
LBI / SHDN输入阈值,低
LBI / SHDN输入阈值,高
与V 5.承载能力下降
OUT
.
符号
V
IN
V
OUT
V
REF_NL
V
REF_NL_A
TC
VREF
I
REF
V
REF_LOAD
V
REF_LINE
V
FB ,
V
LBI
R
DS ( ON) _N
R
DS ( ON) _P
I
LIM
I
Q
I
SD
t
ON
t
关闭
I
FB
I
LBI ,
I
SHDN
V
LBO_L1
V
LBO_L2
V
LBI1
V
LBI2
V
SHDN_L
V
SHDN_H
民
1.0
V
IN
1.183
1.178
–
2.5
–
–
1.172
–
–
–
–
–
0.8
0.22
–
–
–
–
1.172
0.904
–
0.6
典型值
–
–
1.190
–
0.03
–
0.015
0.03
1.190
0.65
1.3
1.0
9.0
0.05
1.4
0.25
1.5
1.5
–
–
1.190
0.944
–
–
最大
5.5
5.5
1.197
1.202
–
–
1.0
1.0
1.200
–
–
–
14
1.0
2.0
0.46
20
8.0
0.08
0.08
1.200
0.965
0.3
–
单位
V
V
V
V
毫伏/°C的
mA
mV
mV / V的
V
W
W
A
mA
mA
mS
mS
nA
nA
V
V
V
V
V
引脚功能说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
FB
LBI / SHDN
LBO1
REF
LBO2
GND
LX
OUT
输出电压反馈输入。
低电池电压检测输入和关断控制输入多功能引脚。
开漏低电池电压检测器输出。输出为低电平时, VLBI是< 1.172 V. LBO1很高
在关闭过程中的阻抗。
1.190 V参考电压输出,与150 nF的电容旁路如果没有加载这个引脚,
1绕过
F
如果此引脚装载高达2.5毫安V
OUT
= 3.3 V.
开漏低电池电压检测器输出。输出为低电平时, VLBI是< 0.904 V. LBO2很高
在关闭过程中的阻抗。
地
N沟道和P沟道功率MOSFET的漏极连接。
功率输出。 OUT提供了自举电源IC 。
引脚说明
http://onsemi.com
3
NCP1417
输入
1.0 V至
V
OUT
10
mF
22
mH
150 pF的
355 K
FB
VOUT
+
V
OUT
200 K
LOW BATTERY
检测输入
关闭
输入
56 nF的
LOW BATTERY
漏极开路
输出1
REF
LBO2
LOW BATTERY
漏极开路
输出2
LBI / SHDN
LX
33
mF
输出1.5 V至5.5 V
I
OUT
典型的最多
200毫安在3.3 V输出
和2.5 V输入
NCP1417
LBO1
GND
150 nF的
图1:典型工作电路
最大额定值
等级
电源(引脚8 )
输入/输出引脚
1-5针, 7针
热特性
Micro8塑料包装
最大功率耗散@ T
A
= 25°C
热阻结到空气
工作结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
1.此设备包含ESD保护和超过以下测试:
人体模型( HBM )
"2.0
根据JEDEC标准千伏: JESD22- A114
.
机器模型( MM )
"200
JESD22 - A115 :根据JEDEC标准的V 。
2.最大封装功耗限值不得超过。
TJ(MAX)
*
TA
PD
+
R
qJA
3,闩锁电流最大额定值:
"150
毫安根据JEDEC标准: JESD78 。
4.湿度敏感度等级:根据IPC / JEDEC标准MSL 1 : J- STD- 020A 。
符号
V
OUT
V
IO
价值
-0.3 6.0
-0.3 6.0
单位
V
V
P
D
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
520
240
-40到+150
-40至+85
-55到+150
mW
° C / W
_C
_C
_C
http://onsemi.com
2
NCP1417
电气特性
(V
OUT
= 3.3 V ,T
A
= 25°C典型值, -40°C
≤
T
A
≤
85 ℃,最大/最小值,除非
另有说明)。
特征
工作电压
输出电压范围(由外部反馈调整)
参考电压(C
REF
= 150 nF的,在没有加载,T
A
= 25_C)
参考电压(C
REF
= 150 nF的,在没有加载,
–40_C
≤
T
A
≤
85_C)
参考电压温度COEF网络cient
参考电压负载电流
(V
OUT
= 3.3 V, V
REF
= V
REF_NL
& QUOT ;
1.5%, C
REF
= 1.0
MF)
(注5
)
参考电压负载调整
(V
OUT
= 3.3 V,I
负载
= 0至100
毫安,
C
REF
= 1.0
MF)
参考电压线路调整
FB , LBI输入阈值
内部NFET导通电阻(我
LX
= 100 mA时)
内部PFET导通电阻(我
LX
= 100 mA时)
LX开关电流限制( NFET )
工作电流为OUT
(V
FB
= 1.4 V,即没有开关,V
OUT
= 3.3 V)
关断电流为OUT ( SHDN = GND)
LX开关最大。导通时间(V
FB
= 1.0 V, V
OUT
= 3.3 V)
LX开关MIN 。关断时间(V
FB
= 1.0 V, V
OUT
= 3.3 V)
FB输入电流
LBI / SHDN输入电流
LBO1 / LBO2低输出电压(V
LBI
= 0, I
SINK
= 1.0 mA)的
LBI / SHDN输入阈值LBO1
LBI / SHDN输入阈值LBO2
LBI / SHDN输入阈值,低
LBI / SHDN输入阈值,高
与V 5.承载能力下降
OUT
.
符号
V
IN
V
OUT
V
REF_NL
V
REF_NL_A
TC
VREF
I
REF
V
REF_LOAD
V
REF_LINE
V
FB ,
V
LBI
R
DS ( ON) _N
R
DS ( ON) _P
I
LIM
I
Q
I
SD
t
ON
t
关闭
I
FB
I
LBI ,
I
SHDN
V
LBO_L1
V
LBO_L2
V
LBI1
V
LBI2
V
SHDN_L
V
SHDN_H
民
1.0
V
IN
1.183
1.178
–
2.5
–
–
1.172
–
–
–
–
–
0.8
0.22
–
–
–
–
1.172
0.904
–
0.6
典型值
–
–
1.190
–
0.03
–
0.015
0.03
1.190
0.65
1.3
1.0
9.0
0.05
1.4
0.25
1.5
1.5
–
–
1.190
0.944
–
–
最大
5.5
5.5
1.197
1.202
–
–
1.0
1.0
1.200
–
–
–
14
1.0
2.0
0.46
20
8.0
0.08
0.08
1.200
0.965
0.3
–
单位
V
V
V
V
毫伏/°C的
mA
mV
mV / V的
V
W
W
A
mA
mA
mS
mS
nA
nA
V
V
V
V
V
引脚功能说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
FB
LBI / SHDN
LBO1
REF
LBO2
GND
LX
OUT
输出电压反馈输入。
低电池电压检测输入和关断控制输入多功能引脚。
开漏低电池电压检测器输出。输出为低电平时, VLBI是< 1.172 V. LBO1很高
在关闭过程中的阻抗。
1.190 V参考电压输出,与150 nF的电容旁路如果没有加载这个引脚,
1绕过
F
如果此引脚装载高达2.5毫安V
OUT
= 3.3 V.
开漏低电池电压检测器输出。输出为低电平时, VLBI是< 0.904 V. LBO2很高
在关闭过程中的阻抗。
地
N沟道和P沟道功率MOSFET的漏极连接。
功率输出。 OUT提供了自举电源IC 。
引脚说明
http://onsemi.com
3