添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第112页 > NCP1417
NCP1417
200毫安DC- DC升压
转换器与双通道,低
电池保护
NCP1417是单片微高频升压
(升压)电压开关转换器集成电路专为
电池供电的手持式电子产品高达200 mA的负载。
它集成了同步整流器用于提高效率以及
消除了外部肖特基二极管。高开关频率
(高达600千赫兹)允许使用低轮廓电感器和输出的
电容。双低电池电压检测器和逐周期电流
限制为各种电池供电的增值功能
应用程序。所有这些功能开启时,静态电源电流
只有9.0
mA
典型的。此装置是在一个节省空间的可
紧凑Micro8t包。
特点
http://onsemi.com
记号
8
8
1
Micro8
DM后缀
CASE 846A
1
1417
A
Y
W
=器件标识
=大会地点
=年
=工作周
1417
AYW
高效率,高达92 % ,典型的
9.0超低设备静态电源电流
mA
典型
内置同步整流器( P- FET)消除了一个外部
肖特基二极管
高开关频率(高达600千赫),允许使用更小尺寸
电感器和电容器
高精度基准电压输出1.19 V
±
0.6 %@ 25_C ,能
供应多的时候2.5毫安V
OUT
3.3 V
1.0 V的启动在空载保证
输出电压为1.5 V至5.5 V可调
输出电流高达200毫安V
in
= 2.5 V, V
OUT
= 3.3 V
多功能LBI /关断控制引脚
双开漏低电池电压检测器的输出
1.0逐周期电流限制
低调,极少的外部零件
紧凑Micro8套餐
引脚连接
FB
LBI / SHDN
LBO1
REF
1
2
3
4
( TOP VIEW )
8
7
6
5
OUT
LX
GND
LBO2
订购信息
设备
NCP1417DMR2
Micro8
航运
4000磁带&卷轴
应用
个人数字助理(PDA)的
手持式数字音频产品
摄像机和数码相机
手持式仪器
由一个或两个NiMH或NiCd或一个锂离子转换
细胞以3.3 V / 5.0 V
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年7月
第3版
1
出版订单号:
NCP1417/D
NCP1417
输入
1.0 V至
V
OUT
10
mF
22
mH
150 pF的
355 K
FB
VOUT
+
V
OUT
200 K
LOW BATTERY
检测输入
关闭
输入
56 nF的
LOW BATTERY
漏极开路
输出1
LBI / SHDN
LX
33
mF
输出1.5 V至5.5 V
I
OUT
典型的最多
200毫安在3.3 V输出
和2.5 V输入
NCP1417
LBO1
GND
REF
150 nF的
LBO2
LOW BATTERY
漏极开路
输出2
图1:典型工作电路
最大额定值
等级
电源(引脚8 )
输入/输出引脚
1-5针, 7针
热特性
Micro8塑料包装
最大功率耗散@ T
A
= 25°C
热阻结到空气
工作结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
1.此设备包含ESD保护和超过以下测试:
人体模型( HBM )
"2.0
根据JEDEC标准千伏: JESD22- A114
.
机器模型( MM )
"200
JESD22 - A115 :根据JEDEC标准的V 。
2.最大封装功耗限值不得超过。
TJ(MAX)
*
TA
PD
+
R
qJA
3,闩锁电流最大额定值:
"150
毫安根据JEDEC标准: JESD78 。
4.湿度敏感度等级:根据IPC / JEDEC标准MSL 1 : J- STD- 020A 。
符号
V
OUT
V
IO
价值
0.3
6.0
0.3
6.0
单位
V
V
P
D
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
520
240
40
+150
40
+85
55
+150
mW
° C / W
_C
_C
_C
http://onsemi.com
2
NCP1417
电气特性
(V
OUT
= 3.3 V ,T
A
= 25°C典型值,
40°C
T
A
85 ℃,最大/最小值,除非
特征
工作电压
输出电压范围(由外部反馈调整)
参考电压(C
REF
= 150 nF的,在没有加载,T
A
= 25_C)
参考电压(C
REF
= 150 nF的,在没有加载,
40_C
T
A
85_C)
参考电压温度COEF网络cient
参考电压负载电流
(V
OUT
= 3.3 V, V
REF
= V
REF_NL
& QUOT ;
1.5%, C
REF
= 1.0
MF)
(注5
)
参考电压负载调整
(V
OUT
= 3.3 V,I
负载
= 0至100
毫安,
C
REF
= 1.0
MF)
参考电压线路调整
FB , LBI输入阈值
内部NFET导通电阻(我
LX
= 100 mA时)
内部PFET导通电阻(我
LX
= 100 mA时)
LX开关电流限制( NFET )
工作电流为OUT
(V
FB
= 1.4 V,即没有开关,V
OUT
= 3.3 V)
关断电流为OUT ( SHDN = GND)
LX开关最大。导通时间(V
FB
= 1.0 V, V
OUT
= 3.3 V)
LX开关MIN 。关断时间(V
FB
= 1.0 V, V
OUT
= 3.3 V)
FB输入电流
LBI / SHDN输入电流
LBO1 / LBO2低输出电压(V
LBI
= 0, I
SINK
= 1.0 mA)的
LBI / SHDN输入阈值LBO1
LBI / SHDN输入阈值LBO2
LBI / SHDN输入阈值,低
LBI / SHDN输入阈值,高
与V 5.承载能力下降
OUT
.
符号
V
IN
V
OUT
V
REF_NL
V
REF_NL_A
TC
VREF
I
REF
V
REF_LOAD
V
REF_LINE
V
FB ,
V
LBI
R
DS ( ON) _N
R
DS ( ON) _P
I
LIM
I
Q
I
SD
t
ON
t
关闭
I
FB
I
LBI ,
I
SHDN
V
LBO_L1
V
LBO_L2
V
LBI1
V
LBI2
V
SHDN_L
V
SHDN_H
1.0
V
IN
1.183
1.178
2.5
1.172
0.8
0.22
1.172
0.904
0.6
典型值
1.190
0.03
0.015
0.03
1.190
0.65
1.3
1.0
9.0
0.05
1.4
0.25
1.5
1.5
1.190
0.944
最大
5.5
5.5
1.197
1.202
1.0
1.0
1.200
14
1.0
2.0
0.46
20
8.0
0.08
0.08
1.200
0.965
0.3
单位
V
V
V
V
毫伏/°C的
mA
mV
mV / V的
V
W
W
A
mA
mA
mS
mS
nA
nA
V
V
V
V
V
另有说明)。
引脚功能说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
FB
LBI / SHDN
LBO1
REF
LBO2
GND
LX
OUT
输出电压反馈输入。
低电池电压检测输入和关断控制输入多功能引脚。
开漏低电池电压检测器输出。输出为低电平时, VLBI是< 1.172 V. LBO1很高
在关闭过程中的阻抗。
1.190 V参考电压输出,与150 nF的电容旁路如果没有加载这个引脚,
1绕过
μF
如果此引脚装载高达2.5毫安V
OUT
= 3.3 V.
开漏低电池电压检测器输出。输出为低电平时, VLBI是< 0.904 V. LBO2很高
在关闭过程中的阻抗。
N沟道和P沟道功率MOSFET的漏极连接。
功率输出。 OUT提供了自举电源IC 。
引脚说明
http://onsemi.com
3
NCP1417
VBAT
+
ZLC
芯片
启用
_ZCUR
20毫伏
+
7
LX
M2
VDD
8
OUT
VDD
值SenseFET
M1
GND
6
GND
VDD
VOUT
_PWGONCE
1
FB
+
PFM
电压
参考
_CEN
_PFM
_MAINSW2ON
控制
逻辑
_SYNSW2ON
_MAINSWOFD
4
REF
_VREFOK
_SYNSWOFD
+
ILIM
GND
_ILIM
+
GND
3
LBO1
2
LBI / SHDN
VREF
+
+
CP1
30毫伏
CP2
30毫伏
GND
5
LBO2
GND
0.8× VREF
图2.简化功能框图。
http://onsemi.com
4
NCP1417
1.220
参考电压,V
REF
/V
1.215
1.210
1.205
1.200
1.195
1.190
V
IN
= 3 V
V
OUT
= 3.3 V
L = 22
μH
C
in
= 10
μF
C
OUT
= 33
μF
C
REF
= 1
μF
T
A
= 25_C
V
IN
= 1.8 V
1.195
参考电压,V
REF
/V
1.192
I
REF
= 0毫安
1.189
I
REF
= 2.5毫安
1.186
1.183
1.180
C
REF
= 1
μF
T
A
= 25_C
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
V
IN
= 2.2 V
1
10
100
1000
输出电流,I
负载
/ MA
输入电压,输出引脚,V
OUT
/V
图3.参考电压与
输出电流
1.194
参考电压,V
REF
/V
1.192
1.19
1.188
1.186
1.184
40
V
OUT
= 3.3 V
C
REF
= 150 nF的
I
REF
= 0毫安
20
0
20
40
60
80
100
2
图4.参考电压与
输入电压的输出引脚
开关导通电阻,R
DS ( ON)
1.5
P- FET ( M2 )
1
N型场效应晶体管( M1 )
0.5
V
OUT
= 3.3 V
0
40
20
0
20
40
60
80
100
环境温度,T
A
/_C
环境温度,T
A
/_C
图5.参考电压与
温度
图6.开关导通电阻
与温度的关系
MIN 。 STARTUP电池电压,V
BATT
/V
1.8
L
x
开关最大。 ON TIME ,T
ON
/μS
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
40
2.1
1.8
无需肖特基二极管
1.5
1.2
0.9
0.6
与肖特基二极管
(MBR0502)
20
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
120
环境温度,T
A
/_C
输出负载电流,I
负载
/ MA
图7. L
x
交换机最大。准时
与温度的关系
图8.最小。启动电池电压
与负载电流
http://onsemi.com
5
NCP1417
200毫安DC- DC升压
转换器与双通道,低
电池保护
NCP1417是单片微高频升压
(升压)电压开关转换器集成电路专为
电池供电的手持式电子产品高达200 mA的负载。
它集成了同步整流器用于提高效率以及
消除了外部肖特基二极管。高开关频率
(高达600千赫兹)允许使用低轮廓电感器和输出的
电容。双低电池电压检测器和逐周期电流
限制为各种电池供电的增值功能
应用程序。所有这些功能开启时,静态电源电流
只有9.0
mA
典型的。此装置是在一个节省空间的可
紧凑Micro8t包。
特点
http://onsemi.com
记号
8
8
1
Micro8
DM后缀
CASE 846A
1
1417
A
Y
W
=器件标识
=大会地点
=年
=工作周
1417
AYW
高效率,高达92 % ,典型的
9.0超低设备静态电源电流
mA
典型
内置同步整流器( P- FET)消除了一个外部
肖特基二极管
高开关频率(高达600千赫),允许使用更小尺寸
电感器和电容器
高精度基准电压输出1.19 V
±
0.6 %@ 25_C ,能
供应多的时候2.5毫安V
OUT
3.3 V
1.0 V的启动在空载保证
输出电压为1.5 V至5.5 V可调
输出电流高达200毫安V
in
= 2.5 V, V
OUT
= 3.3 V
多功能LBI /关断控制引脚
双开漏低电池电压检测器的输出
1.0逐周期电流限制
低调,极少的外部零件
紧凑Micro8套餐
个人数字助理(PDA)的
手持式数字音频产品
摄像机和数码相机
手持式仪器
由一个或两个NiMH或NiCd或一个锂离子转换
细胞以3.3 V / 5.0 V
引脚连接
FB
LBI / SHDN
LBO1
REF
1
2
3
4
( TOP VIEW )
8
7
6
5
OUT
LX
GND
LBO2
订购信息
设备
NCP1417DMR2
Micro8
航运
4000磁带&卷轴
应用
半导体元件工业有限责任公司, 2002年
1
2002年4月 - 第1版
出版订单号:
NCP1417/D
NCP1417
输入
1.0 V至
V
OUT
10
mF
22
mH
150 pF的
355 K
FB
VOUT
+
V
OUT
200 K
LOW BATTERY
检测输入
关闭
输入
56 nF的
LOW BATTERY
漏极开路
输出1
REF
LBO2
LOW BATTERY
漏极开路
输出2
LBI / SHDN
LX
33
mF
输出1.5 V至5.5 V
I
OUT
典型的最多
200毫安在3.3 V输出
和2.5 V输入
NCP1417
LBO1
GND
150 nF的
图1:典型工作电路
最大额定值
等级
电源(引脚8 )
输入/输出引脚
1-5针, 7针
热特性
Micro8塑料包装
最大功率耗散@ T
A
= 25°C
热阻结到空气
工作结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
1.此设备包含ESD保护和超过以下测试:
人体模型( HBM )
"2.0
根据JEDEC标准千伏: JESD22- A114
.
机器模型( MM )
"200
JESD22 - A115 :根据JEDEC标准的V 。
2.最大封装功耗限值不得超过。
TJ(MAX)
*
TA
PD
+
R
qJA
3,闩锁电流最大额定值:
"150
毫安根据JEDEC标准: JESD78 。
4.湿度敏感度等级:根据IPC / JEDEC标准MSL 1 : J- STD- 020A 。
符号
V
OUT
V
IO
价值
-0.3 6.0
-0.3 6.0
单位
V
V
P
D
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
520
240
-40到+150
-40至+85
-55到+150
mW
° C / W
_C
_C
_C
http://onsemi.com
2
NCP1417
电气特性
(V
OUT
= 3.3 V ,T
A
= 25°C典型值, -40°C
T
A
85 ℃,最大/最小值,除非
另有说明)。
特征
工作电压
输出电压范围(由外部反馈调整)
参考电压(C
REF
= 150 nF的,在没有加载,T
A
= 25_C)
参考电压(C
REF
= 150 nF的,在没有加载,
–40_C
T
A
85_C)
参考电压温度COEF网络cient
参考电压负载电流
(V
OUT
= 3.3 V, V
REF
= V
REF_NL
& QUOT ;
1.5%, C
REF
= 1.0
MF)
(注5
)
参考电压负载调整
(V
OUT
= 3.3 V,I
负载
= 0至100
毫安,
C
REF
= 1.0
MF)
参考电压线路调整
FB , LBI输入阈值
内部NFET导通电阻(我
LX
= 100 mA时)
内部PFET导通电阻(我
LX
= 100 mA时)
LX开关电流限制( NFET )
工作电流为OUT
(V
FB
= 1.4 V,即没有开关,V
OUT
= 3.3 V)
关断电流为OUT ( SHDN = GND)
LX开关最大。导通时间(V
FB
= 1.0 V, V
OUT
= 3.3 V)
LX开关MIN 。关断时间(V
FB
= 1.0 V, V
OUT
= 3.3 V)
FB输入电流
LBI / SHDN输入电流
LBO1 / LBO2低输出电压(V
LBI
= 0, I
SINK
= 1.0 mA)的
LBI / SHDN输入阈值LBO1
LBI / SHDN输入阈值LBO2
LBI / SHDN输入阈值,低
LBI / SHDN输入阈值,高
与V 5.承载能力下降
OUT
.
符号
V
IN
V
OUT
V
REF_NL
V
REF_NL_A
TC
VREF
I
REF
V
REF_LOAD
V
REF_LINE
V
FB ,
V
LBI
R
DS ( ON) _N
R
DS ( ON) _P
I
LIM
I
Q
I
SD
t
ON
t
关闭
I
FB
I
LBI ,
I
SHDN
V
LBO_L1
V
LBO_L2
V
LBI1
V
LBI2
V
SHDN_L
V
SHDN_H
1.0
V
IN
1.183
1.178
2.5
1.172
0.8
0.22
1.172
0.904
0.6
典型值
1.190
0.03
0.015
0.03
1.190
0.65
1.3
1.0
9.0
0.05
1.4
0.25
1.5
1.5
1.190
0.944
最大
5.5
5.5
1.197
1.202
1.0
1.0
1.200
14
1.0
2.0
0.46
20
8.0
0.08
0.08
1.200
0.965
0.3
单位
V
V
V
V
毫伏/°C的
mA
mV
mV / V的
V
W
W
A
mA
mA
mS
mS
nA
nA
V
V
V
V
V
引脚功能说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
FB
LBI / SHDN
LBO1
REF
LBO2
GND
LX
OUT
输出电压反馈输入。
低电池电压检测输入和关断控制输入多功能引脚。
开漏低电池电压检测器输出。输出为低电平时, VLBI是< 1.172 V. LBO1很高
在关闭过程中的阻抗。
1.190 V参考电压输出,与150 nF的电容旁路如果没有加载这个引脚,
1绕过
F
如果此引脚装载高达2.5毫安V
OUT
= 3.3 V.
开漏低电池电压检测器输出。输出为低电平时, VLBI是< 0.904 V. LBO2很高
在关闭过程中的阻抗。
N沟道和P沟道功率MOSFET的漏极连接。
功率输出。 OUT提供了自举电源IC 。
引脚说明
http://onsemi.com
3
NCP1417
VBAT
+
ZLC
芯片
启用
_ZCUR
20毫伏
+
7
LX
M2
VDD
8
OUT
值SenseFET
VOUT
_PWGONCE
1
FB
+
PFM
4
REF
电压
参考
_VREFOK
_PFM
_CEN
VDD
_MAINSW2ON
M1
GND
_MAINSWOFD
VDD
_SYNSW2ON
_SYNSWOFD
GND
6
GND
控制
逻辑
_ILIM
+
ILIM
+
GND
3
LBO1
2
LBI / SHDN
VREF
+
CP1
30毫伏
CP2
30毫伏
5
LBO2
GND
0.8× VREF
+
GND
图2.简化功能框图。
http://onsemi.com
4
NCP1417
1.220
参考电压,V
REF
/V
1.215
1.210
1.205
1.200
1.195
1.190
V
IN
= 3 V
V
OUT
= 3.3 V
L = 22
H
C
in
= 10
F
C
OUT
= 33
F
C
REF
= 1
F
T
A
= 25_C
V
IN
= 1.8 V
1.195
参考电压,V
REF
/V
1.192
I
REF
= 0毫安
1.189
I
REF
= 2.5毫安
V
IN
= 2.2 V
1.186
C
REF
= 1
F
T
A
= 25_C
1.183
1
10
100
1000
1.180
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
输出电流,I
负载
/ MA
输入电压,输出引脚,V
OUT
/V
图3.参考电压与
输出电流
1.194
参考电压,V
REF
/V
2
图4.参考电压与
输入电压的输出引脚
1.192
开关导通电阻,R
DS ( ON)
/
1.5
P- FET ( M2 )
1.19
1
N型场效应晶体管( M1 )
1.188
V
OUT
= 3.3 V
C
REF
= 150 nF的
I
REF
= 0毫安
–20
0
20
40
60
80
100
0.5
V
OUT
= 3.3 V
0
–40
1.186
1.184
–40
–20
0
20
40
60
80
100
环境温度,T
A
/_C
环境温度,T
A
/_C
图5.参考电压与
温度
图6.开关导通电阻
与温度的关系
MIN 。 STARTUP电池电压,V
BATT
/V
1.8
L
x
开关最大。 ON TIME ,T
ON
/S
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
–40
2.1
1.8
无需肖特基二极管
1.5
1.2
与肖特基二极管
(MBR0502)
0.9
–20
0
20
40
60
80
100
0.6
0
20
40
60
80
100
120
环境温度,T
A
/_C
输出负载电流,I
负载
/ MA
图7. L
x
交换机最大。准时
与温度的关系
图8.最小。启动电池电压
与负载电流
http://onsemi.com
5
NCP1417
200毫安DC- DC升压
转换器与双通道,低
电池保护
NCP1417是单片微高频升压
(升压)电压开关转换器集成电路专为
电池供电的手持式电子产品高达200 mA的负载。
它集成了同步整流器用于提高效率以及
消除了外部肖特基二极管。高开关频率
(高达600千赫兹)允许使用低轮廓电感器和输出的
电容。双低电池电压检测器和逐周期电流
限制为各种电池供电的增值功能
应用程序。所有这些功能开启时,静态电源电流
只有9.0
mA
典型的。此装置是在一个节省空间的可
紧凑Micro8t包。
特点
http://onsemi.com
记号
8
8
1
Micro8
DM后缀
CASE 846A
1
1417
A
Y
W
=器件标识
=大会地点
=年
=工作周
1417
AYW
高效率,高达92 % ,典型的
9.0超低设备静态电源电流
mA
典型
内置同步整流器( P- FET)消除了一个外部
肖特基二极管
高开关频率(高达600千赫),允许使用更小尺寸
电感器和电容器
高精度基准电压输出1.19 V
±
0.6 %@ 25_C ,能
供应多的时候2.5毫安V
OUT
3.3 V
1.0 V的启动在空载保证
输出电压为1.5 V至5.5 V可调
输出电流高达200毫安V
in
= 2.5 V, V
OUT
= 3.3 V
多功能LBI /关断控制引脚
双开漏低电池电压检测器的输出
1.0逐周期电流限制
低调,极少的外部零件
紧凑Micro8套餐
个人数字助理(PDA)的
手持式数字音频产品
摄像机和数码相机
手持式仪器
由一个或两个NiMH或NiCd或一个锂离子转换
细胞以3.3 V / 5.0 V
引脚连接
FB
LBI / SHDN
LBO1
REF
1
2
3
4
( TOP VIEW )
8
7
6
5
OUT
LX
GND
LBO2
订购信息
设备
NCP1417DMR2
Micro8
航运
4000磁带&卷轴
应用
半导体元件工业有限责任公司, 2002年
1
2002年4月 - 第1版
出版订单号:
NCP1417/D
NCP1417
输入
1.0 V至
V
OUT
10
mF
22
mH
150 pF的
355 K
FB
VOUT
+
V
OUT
200 K
LOW BATTERY
检测输入
关闭
输入
56 nF的
LOW BATTERY
漏极开路
输出1
REF
LBO2
LOW BATTERY
漏极开路
输出2
LBI / SHDN
LX
33
mF
输出1.5 V至5.5 V
I
OUT
典型的最多
200毫安在3.3 V输出
和2.5 V输入
NCP1417
LBO1
GND
150 nF的
图1:典型工作电路
最大额定值
等级
电源(引脚8 )
输入/输出引脚
1-5针, 7针
热特性
Micro8塑料包装
最大功率耗散@ T
A
= 25°C
热阻结到空气
工作结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
1.此设备包含ESD保护和超过以下测试:
人体模型( HBM )
"2.0
根据JEDEC标准千伏: JESD22- A114
.
机器模型( MM )
"200
JESD22 - A115 :根据JEDEC标准的V 。
2.最大封装功耗限值不得超过。
TJ(MAX)
*
TA
PD
+
R
qJA
3,闩锁电流最大额定值:
"150
毫安根据JEDEC标准: JESD78 。
4.湿度敏感度等级:根据IPC / JEDEC标准MSL 1 : J- STD- 020A 。
符号
V
OUT
V
IO
价值
-0.3 6.0
-0.3 6.0
单位
V
V
P
D
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
520
240
-40到+150
-40至+85
-55到+150
mW
° C / W
_C
_C
_C
http://onsemi.com
2
NCP1417
电气特性
(V
OUT
= 3.3 V ,T
A
= 25°C典型值, -40°C
T
A
85 ℃,最大/最小值,除非
另有说明)。
特征
工作电压
输出电压范围(由外部反馈调整)
参考电压(C
REF
= 150 nF的,在没有加载,T
A
= 25_C)
参考电压(C
REF
= 150 nF的,在没有加载,
–40_C
T
A
85_C)
参考电压温度COEF网络cient
参考电压负载电流
(V
OUT
= 3.3 V, V
REF
= V
REF_NL
& QUOT ;
1.5%, C
REF
= 1.0
MF)
(注5
)
参考电压负载调整
(V
OUT
= 3.3 V,I
负载
= 0至100
毫安,
C
REF
= 1.0
MF)
参考电压线路调整
FB , LBI输入阈值
内部NFET导通电阻(我
LX
= 100 mA时)
内部PFET导通电阻(我
LX
= 100 mA时)
LX开关电流限制( NFET )
工作电流为OUT
(V
FB
= 1.4 V,即没有开关,V
OUT
= 3.3 V)
关断电流为OUT ( SHDN = GND)
LX开关最大。导通时间(V
FB
= 1.0 V, V
OUT
= 3.3 V)
LX开关MIN 。关断时间(V
FB
= 1.0 V, V
OUT
= 3.3 V)
FB输入电流
LBI / SHDN输入电流
LBO1 / LBO2低输出电压(V
LBI
= 0, I
SINK
= 1.0 mA)的
LBI / SHDN输入阈值LBO1
LBI / SHDN输入阈值LBO2
LBI / SHDN输入阈值,低
LBI / SHDN输入阈值,高
与V 5.承载能力下降
OUT
.
符号
V
IN
V
OUT
V
REF_NL
V
REF_NL_A
TC
VREF
I
REF
V
REF_LOAD
V
REF_LINE
V
FB ,
V
LBI
R
DS ( ON) _N
R
DS ( ON) _P
I
LIM
I
Q
I
SD
t
ON
t
关闭
I
FB
I
LBI ,
I
SHDN
V
LBO_L1
V
LBO_L2
V
LBI1
V
LBI2
V
SHDN_L
V
SHDN_H
1.0
V
IN
1.183
1.178
2.5
1.172
0.8
0.22
1.172
0.904
0.6
典型值
1.190
0.03
0.015
0.03
1.190
0.65
1.3
1.0
9.0
0.05
1.4
0.25
1.5
1.5
1.190
0.944
最大
5.5
5.5
1.197
1.202
1.0
1.0
1.200
14
1.0
2.0
0.46
20
8.0
0.08
0.08
1.200
0.965
0.3
单位
V
V
V
V
毫伏/°C的
mA
mV
mV / V的
V
W
W
A
mA
mA
mS
mS
nA
nA
V
V
V
V
V
引脚功能说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
FB
LBI / SHDN
LBO1
REF
LBO2
GND
LX
OUT
输出电压反馈输入。
低电池电压检测输入和关断控制输入多功能引脚。
开漏低电池电压检测器输出。输出为低电平时, VLBI是< 1.172 V. LBO1很高
在关闭过程中的阻抗。
1.190 V参考电压输出,与150 nF的电容旁路如果没有加载这个引脚,
1绕过
F
如果此引脚装载高达2.5毫安V
OUT
= 3.3 V.
开漏低电池电压检测器输出。输出为低电平时, VLBI是< 0.904 V. LBO2很高
在关闭过程中的阻抗。
N沟道和P沟道功率MOSFET的漏极连接。
功率输出。 OUT提供了自举电源IC 。
引脚说明
http://onsemi.com
3
NCP1417
VBAT
+
ZLC
芯片
启用
_ZCUR
20毫伏
+
7
LX
M2
VDD
8
OUT
值SenseFET
VOUT
_PWGONCE
1
FB
+
PFM
4
REF
电压
参考
_VREFOK
_PFM
_CEN
VDD
_MAINSW2ON
M1
GND
_MAINSWOFD
VDD
_SYNSW2ON
_SYNSWOFD
GND
6
GND
控制
逻辑
_ILIM
+
ILIM
+
GND
3
LBO1
2
LBI / SHDN
VREF
+
CP1
30毫伏
CP2
30毫伏
5
LBO2
GND
0.8× VREF
+
GND
图2.简化功能框图。
http://onsemi.com
4
NCP1417
1.220
参考电压,V
REF
/V
1.215
1.210
1.205
1.200
1.195
1.190
V
IN
= 3 V
V
OUT
= 3.3 V
L = 22
H
C
in
= 10
F
C
OUT
= 33
F
C
REF
= 1
F
T
A
= 25_C
V
IN
= 1.8 V
1.195
参考电压,V
REF
/V
1.192
I
REF
= 0毫安
1.189
I
REF
= 2.5毫安
V
IN
= 2.2 V
1.186
C
REF
= 1
F
T
A
= 25_C
1.183
1
10
100
1000
1.180
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
输出电流,I
负载
/ MA
输入电压,输出引脚,V
OUT
/V
图3.参考电压与
输出电流
1.194
参考电压,V
REF
/V
2
图4.参考电压与
输入电压的输出引脚
1.192
开关导通电阻,R
DS ( ON)
/
1.5
P- FET ( M2 )
1.19
1
N型场效应晶体管( M1 )
1.188
V
OUT
= 3.3 V
C
REF
= 150 nF的
I
REF
= 0毫安
–20
0
20
40
60
80
100
0.5
V
OUT
= 3.3 V
0
–40
1.186
1.184
–40
–20
0
20
40
60
80
100
环境温度,T
A
/_C
环境温度,T
A
/_C
图5.参考电压与
温度
图6.开关导通电阻
与温度的关系
MIN 。 STARTUP电池电压,V
BATT
/V
1.8
L
x
开关最大。 ON TIME ,T
ON
/S
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
–40
2.1
1.8
无需肖特基二极管
1.5
1.2
与肖特基二极管
(MBR0502)
0.9
–20
0
20
40
60
80
100
0.6
0
20
40
60
80
100
120
环境温度,T
A
/_C
输出负载电流,I
负载
/ MA
图7. L
x
交换机最大。准时
与温度的关系
图8.最小。启动电池电压
与负载电流
http://onsemi.com
5
查看更多NCP1417PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NCP1417
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NCP1417
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9615
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NCP1417
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8633
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多NCP1417供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!