NCP1200
PWM电流模式
控制器的低功耗
通用离线用品
坐落在SOIC - 8或PDIP - 8封装的NCP1200代表
重大飞跃朝着超小型开关式电源。由于
一种新颖的概念，该电路允许一个完整的实施
离线电池充电器或备用SMPS与少量的外部
组件。此外，集成的输出短路
保护让设计师打造一个非常低成本的AC- DC墙
适配器以简单的反馈机制相关联。
同的内部结构，在一个固定的40 kHz工作频率， 60 kHz或
100 kHz时，控制器驱动低栅极电荷开关类设备
是IGBT或MOSFET ，因此需要一个非常小的工作功率。
由于电流模式控制中， NCP1200极大地简化了
可靠和廉价的离线转换器具有极低的设计
声波产生和固有脉冲由脉冲控制。
当电流定值低于给定的值，例如输出
电力需求减少时，IC自动进入跳周期
模式，并提供了出色的效率在轻负载。因为这
发生在低峰值电流，无噪音发生。
最后，该集成电路是由DC干线自供电，从而消除了
需要一个辅助绕组的。此功能可以确保在运行
存在的低输出电压或短裤。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
SOIC8
后缀
CASE 751
1
1
8
PDIP8
P后缀
CASE 626
8
1
xxx
y
1
=器件代码： 40 ， 60或100
=器件代码：
4 40
6 60
1 100
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y， YY =年
W， WW =工作周
1200Pxxx
AWL
YYWW
200Dy
ALYW
8
无辅助绕组操作
内置输出短路保护
极低的空载待机功耗
电流模式与跳跃周期能力
内部的前沿消隐
250毫安峰值电流源/汇能力
内部固定频率在40千赫， 60千赫至100千赫
直接连接光耦
内置频率抖动降低EMI
可用于瞬态和交流分析SPICE模型
内部温度关机
无铅包可用
引脚连接
ADJ
FB
CS
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
HV
NC
V
CC
DRV
（ TOP VIEW ）
典型应用
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第14页上。
AC- DC适配器
离线电池充电器
辅助/辅助电源（ USB ，家电，电视机等）
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 13牧师
出版订单号：
NCP1200/D
NCP1200
ADJ
1
高压电流
来源
75.5 k
1.4 V
跳过周期
比较
国内
V
CC
UVLO
高，低
内部稳压器
8
HV
+
FB
2
29 k
7
NC
当前
SENSE
3
250纳秒
L.E.B.
40 ， 60或
100千赫
时钟
SET
Q触发器
DCMAX = 80％
RESET
Q
6
V
CC
地
4
+
8k
V
REF
5.2 V
60 k
1V
+
±110
mA
超载？
故障持续时间
5
DRV
20 k
图2.内部电路架构
最大额定值
等级
符号
V
CC
价值
16
单位
V
电源电压
热阻结到空气， PDIP- 8版本
热阻结到空气， SOIC版本
最高结温
典型的温关断
存储温度范围
R
qJA
R
qJA
100
178
150
140
° C / W
°C
°C
T
JMAX
T
英镑
-60到+150
2.0
ESD能力， HBM型号（除V所有引脚
CC
和HV ）
ESD能力，机器型号
kV
V
V
V
V
200
450
500
30
引脚8 （ HV ） ，引脚6 （ V最大电压
CC
）接地
引脚8 （ HV ） ，引脚6 （ V最大电压
CC
）去耦至地10
mF
最低工作电压引脚8 （ HV ）
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
http://onsemi.com
3
NCP1200
电气特性
（对于典型值T
J
= + 25 ° C，最小/最大值T
J
= -25 ° C至+ 125°C ，最大牛逼
J
= 150°C,
V
CC
= 11 V，除非另有说明）
等级
动态自供电
（所有频率的版本中，另有说明）
V
CC
越来越多的等级。电流源打开，关闭
V
CC
降低的等级。电流源打开上
V
CC
降低等级，在该闭锁阶段结束
IC内部消费，没有对引脚5输出负载
IC内部消费，在引脚5，F 1 nF的输出负载
SW
= 40千赫
IC内部消费，在引脚5，F 1 nF的输出负载
SW
= 60千赫
IC内部消费，在引脚5，F 1 nF的输出负载
SW
= 100千赫
IC内部消费，闭锁期
内部电流源
高压电流源，V
CC
= 10 V
高压电流源，V
CC
= 0 V
输出驱动器
输出电压上升时间@ CL = 1 nF的输出信号的10-90 ％
输出电压的下降时间@ CL = 1 nF的，输出信号的10-90％
源电阻（车程= 0 ， VGATE = V
CCHMAX
1 V)
沉电阻（车程= 11 V ， VGATE = 1 V）
电流比较器
（引脚5未加载）
输入偏置电流@ 3针1 V输入电平
最大内部电流设定点
默认的内部电流设定值的跳周期操作
传播延迟，从目前检测到门关闭状态
前沿消隐时间
内部振荡器
(V
CC
= 11 V， 5脚1千瓦加载）
振荡频率， 40 kHz的版本
振荡频率， 60 kHz的版本
振荡频率为100kHz版本
内置频率抖动，女
SW
= 40千赫
内置频率抖动，女
SW
= 60千赫
内置频率抖动，女
SW
= 100千赫
最大占空比
反馈部分
(V
CC
= 11 V， 5脚1千瓦加载）
内部上拉电阻
引脚3电流给定值的分频比
SKIP循环发电
默认跳过模式级别
引脚1内部输出阻抗
1，最大值@ T
J
= 25°C.
2.最大值@ T
J
= 25 ° C，请参阅特性曲线。
1
1
Vskip
ZOUT
1.1
1.4
25
1.6
V
kW
2
RUP
Iratio
8.0
4.0
kW
f
OSC
f
OSC
f
OSC
f
抖动
f
抖动
f
抖动
DMAX
36
52
86
74
42
61
103
300
450
620
80
48
70
116
87
千赫
千赫
千赫
赫兹/ V
赫兹/ V
赫兹/ V
%
3
3
3
3
3
I
IB
I
极限
I
Lskip
T
DEL
T
LEB
0.8
0.02
0.9
350
100
230
1.0
160
mA
V
mV
ns
ns
5
5
5
5
T
r
T
f
R
OH
R
OL
27
5
67
28
40
12
61
25
ns
ns
W
W
8
8
I
C1
I
C2
2.8
4.0
4.9
mA
mA
6
6
6
6
6
6
6
6
V
CCOFF
V
CCON
V
CClatch
I
CC1
I
CC2
I
CC2
I
CC2
I
CC3
10.3
8.8
11.4
9.8
6.3
710
1.2
1.4
1.9
350
12.5
11
880
注1
1.4
注2
1.6
注2
2.2
注2
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
针
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
4
NCP1200
PWM电流模式
控制器的低功耗
通用离线用品
坐落在SOIC - 8或PDIP - 8封装的NCP1200代表
重大飞跃朝着超小型开关式电源。由于
一种新颖的概念，该电路允许一个完整的实施
离线电池充电器或备用SMPS与少量的外部
组件。此外，集成的输出短路
保护让设计师打造一个非常低成本的AC- DC墙
适配器以简单的反馈机制相关联。
同的内部结构，在一个固定的40 kHz工作频率， 60 kHz或
100 kHz时，控制器驱动低栅极电荷开关类设备
是IGBT或MOSFET ，因此需要一个非常小的工作功率。
由于电流模式控制中， NCP1200极大地简化了
可靠和廉价的离线转换器具有极低的设计
声波产生和固有脉冲由脉冲控制。
当电流定值低于给定的值，例如输出
电力需求减少时，IC自动进入跳周期
模式，并提供了出色的效率在轻负载。因为这
发生在低峰值电流，无噪音发生。
最后，该集成电路是由DC干线自供电，从而消除了
需要一个辅助绕组的。此功能可以确保在运行
存在的低输出电压或短裤。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
SOIC8
后缀
CASE 751
1
1
8
PDIP8
P后缀
CASE 626
8
1
xxx
y
1
=器件代码： 40 ， 60或100
=器件代码：
4 40
6 60
1 100
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y， YY =年
W， WW =工作周
G,
G
= Pb-Free包装
1200Pxxx
AWL
YYWWG
200Dy
ALYW
G
8
无辅助绕组操作
内置输出短路保护
极低的空载待机功耗
电流模式与跳跃周期能力
内部的前沿消隐
250毫安峰值电流源/汇能力
内部固定频率在40千赫， 60千赫至100千赫
直接连接光耦
内置频率抖动降低EMI
可用于瞬态和交流分析SPICE模型
内部温度关机
无铅包可用
引脚连接
ADJ
FB
CS
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
HV
NC
V
CC
DRV
（ TOP VIEW ）
典型应用
AC- DC适配器
离线电池充电器
辅助/辅助电源（ USB ，家电，电视机等）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第14页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年9月 - 15牧师
出版订单号：
NCP1200/D
NCP1200
ADJ
1
高压电流
来源
75.5 k
1.4 V
跳过周期
比较
国内
V
CC
UVLO
高，低
内部稳压器
8
HV
+
FB
2
29 k
7
NC
当前
SENSE
3
250纳秒
L.E.B.
40 ， 60或
100千赫
时钟
SET
Q触发器
DCMAX = 80％
RESET
Q
6
V
CC
地
4
+
8k
V
REF
5.2 V
60 k
1V
+
±250
mA
超载？
故障持续时间
5
DRV
20 k
图2.内部电路架构
最大额定值
等级
符号
V
CC
价值
16
单位
V
电源电压
热阻结到空气， PDIP- 8版本
热阻结到空气， SOIC版本
最高结温
典型的温关断
存储温度范围
R
qJA
R
qJA
100
178
150
140
° C / W
°C
°C
T
JMAX
T
英镑
-60到+150
2.0
ESD能力， HBM型号（除V所有引脚
CC
和HV ）
ESD能力，机器型号
kV
V
V
V
V
200
450
500
30
引脚8 （ HV ） ，引脚6 （ V最大电压
CC
）接地
引脚8 （ HV ） ，引脚6 （ V最大电压
CC
）去耦至地10
mF
最低工作电压引脚8 （ HV ）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
http://onsemi.com
3
NCP1200
电气特性
（对于典型值T
J
= + 25 ° C，最小/最大值T
J
= -25 ° C至+ 125°C ，最大牛逼
J
= 150°C,
V
CC
= 11 V，除非另有说明）
等级
动态自供电
（所有频率的版本中，另有说明）
V
CC
越来越多的等级。电流源打开，关闭
V
CC
降低的等级。电流源打开上
V
CC
降低等级，在该闭锁阶段结束
IC内部消费，没有对引脚5输出负载
IC内部消费，在引脚5，F 1 nF的输出负载
SW
= 40千赫
IC内部消费，在引脚5，F 1 nF的输出负载
SW
= 60千赫
IC内部消费，在引脚5，F 1 nF的输出负载
SW
= 100千赫
IC内部消费，闭锁期
内部电流源
高压电流源，V
CC
= 10 V
高压电流源，V
CC
= 0 V
输出驱动器
输出电压上升时间@ CL = 1 nF的输出信号的10-90 ％
输出电压的下降时间@ CL = 1 nF的，输出信号的10-90％
源电阻（车程= 0 ， VGATE = V
CCHMAX
1 V)
沉电阻（车程= 11 V ， VGATE = 1 V）
电流比较器
（引脚5未加载）
输入偏置电流@ 3针1 V输入电平
最大内部电流设定点
默认的内部电流设定值的跳周期操作
传播延迟，从目前检测到门关闭状态
前沿消隐时间
内部振荡器
(V
CC
= 11 V， 5脚1千瓦加载）
振荡频率， 40 kHz的版本
振荡频率， 60 kHz的版本
振荡频率为100kHz版本
内置频率抖动，女
SW
= 40千赫
内置频率抖动，女
SW
= 60千赫
内置频率抖动，女
SW
= 100千赫
最大占空比
反馈部分
(V
CC
= 11 V， 5脚1千瓦加载）
内部上拉电阻
引脚3电流给定值的分频比
SKIP循环发电
默认跳过模式级别
引脚1内部输出阻抗
1，最大值@ T
J
= 25°C.
2.最大值@ T
J
= 25 ° C，请参阅特性曲线。
1
1
Vskip
ZOUT
1.1
1.4
25
1.6
V
kW
2
RUP
Iratio
8.0
4.0
kW
f
OSC
f
OSC
f
OSC
f
抖动
f
抖动
f
抖动
DMAX
36
52
86
74
42
61
103
300
450
620
80
48
70
116
87
千赫
千赫
千赫
赫兹/ V
赫兹/ V
赫兹/ V
%
3
3
3
3
3
I
IB
I
极限
I
Lskip
T
DEL
T
LEB
0.8
0.02
0.9
350
100
230
1.0
160
mA
V
mV
ns
ns
5
5
5
5
T
r
T
f
R
OH
R
OL
27
5
67
28
40
12
61
25
ns
ns
W
W
8
8
I
C1
I
C2
2.8
4.0
4.9
mA
mA
6
6
6
6
6
6
6
6
V
CCOFF
V
CCON
V
CClatch
I
CC1
I
CC2
I
CC2
I
CC2
I
CC3
10.3
8.8
11.4
9.8
6.3
710
1.2
1.4
1.9
350
12.5
11
880
注1
1.4
注2
1.6
注2
2.2
注2
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
针
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
