NCP1081
集成大功率
的PoE -PD接口& DC- DC
转换器控制器
介绍
该NCP1081是安森美半导体的高功率的一员
耐压以太网供电用电设备( PoE的PD )产品
家人和代表一个强大,灵活且高度集成的解决方案
针对要求苛刻的中,高功率以太网应用。它
结合在增强型PoE -PD接口,支持一个单元
在符合IEEE802.3af和即将到来的IEEE802.3at草案( D3.0 )标准
TSSOP- 20 EP
和灵活的和可配置的DC-DC转换器的控制器。
DE后缀
该NCP1081的特殊功能提供了新的机会
CASE 948AB
产品的设计直接供电的以太网线,
省去了本地电源适配器或电源和
大大降低了整体的安装和维护成本。
安森美半导体的独特的制造工艺和设计
增强功能使NCP1081能够提供高达25.5瓦的草案
的IEEE802.3at ( D3.0 )标准,最高功率为40W专有的高
功率PoE应用。该NCP1081允许的IEEE802.3at草案
( D3.0 ),并实现了两个事件物理层分类。
其他专有分类程序支持高功率
供电设备( PSE )在市场上。独特的高
功耗的特点,充分利用了显著的成本优势
PoE功能的系统,产品在更广泛的范围
新兴市场,如工业以太网设备,云台和球
NCP1081 =具体设备守则
IP摄像机, RFID阅读器, MIMO WLAN接入点,高端
XXXX =日期代码
VoIP电话,笔记本电脑等。
Y
=大会地点
集成的电流模式DC-DC控制器,便于隔离
ZZ
=追踪代码
和飞回来非隔离,转发和降压转换器拓扑结构。它
拥有所有必要的灵活,强大和高效的特点
订购信息
设计包括可编程开关频率,占空比可达
请参阅包装详细的订购和发货信息
80% ,斜坡补偿和软启动。
尺寸部分本数据手册的第2页。
该NCP1081是在制造一个强大的高压
工艺并集成了一个坚固的垂直N通道DMOS
与适合于最低的损耗电流检测技术
扩展功率范围可达40瓦
苛刻的环境,并能承受恶劣的
可编程分类科幻阳离子电流
环境,如热插拔电缆ESD事件。
在电压可调锁定
该NCP1081补充安森美半导体的ASSP
可编程浪涌电流限制
组合中的工业设备,并且可以与结合
可编程工作电流限可达1100毫安
步进电机驱动器, CAN总线驱动器等
为扩展功率范围
高电压接口设备提供完整的解决方案
在工业和安全市场。
超温保护
工业温度范围
40°C
至85 ℃,充分
供电设备接口
运行在高达150℃的结温
支持IEEE802.3af的和即将到来的选秀
0.6欧姆热插拔通开关损耗低电流
的IEEE802.3at ( D3.0 )标准
感技术
支持IEEE802.3at标准草案( D3.0 )两个事件1层
立式N通道DMOS通过开关提供
分类
集成的分立MOSFET的稳健性
高功率的1层分类指示器
温度控制
半导体元件工业有限责任公司, 2008年
http://onsemi.com
2008年9月,
第4版
1
出版订单号:
NCP1081/D
NCP1081
DC-DC转换器
电流模式控制
支持隔离和非隔离DC -DC转换器
应用
内部电压调节器
宽占空比范围与内部斜率
补偿电路
可编程振荡器频率
可编程软启动时间
引脚图
VPORTP
类
UVLO
侵入
ILIM1
VPORTN1
RTN
VPORTN2
TEST1
TEST2
1
SS
FB
COMP
VDDL
VDDH
门
ARTN
nCLASS_AT
CS
OSC
裸露
PAD
( TOP VIEW )
订购信息
产品型号
NCP1081DEG
NCP1081DER2G
包
TSSOP- 20 EP
(无铅)
TSSOP- 20 EP
(无铅)
传送配置
74单位/管
2500 /磁带&卷轴
温度范围
40°C
至85℃
40°C
至85℃
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
VPORTP
发现
国内
供应
&放大器;
带隙
热
关闭
下
VDDH
VDDH
VDDL
VDDL
类
分类
VDDL
VDDL
5
mA
SS
UVLO
UVLO
V端口
MONITOR
直流 - 直流
变流器
控制
VDDL
5K的1.2 V
FB
COMP
CS
侵入
ILIM1
侵入
ILIM1
OSC
热插拔开关
控制& CURRENT
LIMIT积木
VDDL
20
mA
VDDH
OSC
门
nCLASS_AT
ARTN
VPORTN1,2
RTN
图1. NCP1081框图
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2
NCP1081
简化应用框图
RJ乃
45
RCLASS
VPORTP
类
VDDH
Cvddh
CPD
T1
D1
Voutput成为
Z_line
DB1
克莱因
数据
对
Rinrush
侵入
VDDL
NCP1081
nCLASS_AT
门
CS
FB
ARTN
RTN
Cvddl
LD1
CLOAD
Rd1
M1
Rilim1
R1
ILIM1
UVLO
R2
TEST2
TEST1
VPORTN1
COMP
OSC
VPORTN2
SS
Rslope
RCS
R5
OC1
C2
光电耦合器
R3
C1
备用
对
DB2
ROSC
CSS
Z1
R4
图2.隔离回扫转换器
图2示出了集成的PoE -PD的开关和DC-DC控制器,被配置在一个完全隔离的应用程序工作。该
输出电压调节来完成与外部的光电耦合器和一个并联稳压器(Z1) 。
VPORTP
RCLASS
CPD
RJ乃
45
类
VDDH
T1
Cvddh
Voutput成为
Z_line
DB1
克莱因
数据
对
Rinrush
侵入
VDDL
NCP1081
nCLASS_AT
Cvddl
LD1
Rd1
M1
R3
CLOAD
Rilim1
R1
ILIM1
UVLO
R2
门
CS
FB
ARTN
RTN
COMP
OSC
SS
TEST2
TEST1
VPORTN1
VPORTN2
Rslope
R4
RCS
备用
对
DB2
CSS
ROSC
C1comp
RCOMP
C2comp
图3.非隔离式回扫转换器
图3示出了配置在非隔离回扫结构中集成了PoE -PD和DC-DC调节器。一
补偿网络被插入在FB和COMP引脚为反馈回路的整体稳定性之间。
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3
NCP1081
简化应用框图
D2
T1
RJ45
RCLASS
VPORTP
类
VDDH
R5
D1
CPD
Voutput成为
Z_line
DB1
克莱因
数据
对
Rinrush
侵入
Cvddh
VDDL
NCP1081
nCLASS_AT
Cvddl
LD1
CLOAD
Rd1
R3
M1
Rilim1
R1
ILIM1
UVLO
R2
TEST2
TEST1
COMP
VPORTN1
VPORTN2
OSC
SS
门
CS
FB
ARTN
RTN
Rslope
R4
RCS
备用
对
DB2
CSS
ROSC
C1comp
RCOMP
C2comp
图4.非隔离飞回来了额外的绕组
图4示出了相同的非隔离式的逆向配置,图3中,但增加了一个12伏辅助偏置绕组上的
变压器通过其VDDH引脚提供电源NCP1081型DC-DC调节器。此拓扑切断流过的电流
从VPORTP于Vddh ,因此降低了PD的内部功耗,从而获得更高的整体力量
EF网络效率。
D3
CPD
T1
L1
RJ乃
45
VPORTP
RCLASS
D1
Voutput成为
类
VDDH
Cvddh
D2
R3
Z_line
DB1
克莱因
数据
对
Rinrush
侵入
VDDL
NCP1081
nCLASS_AT
Cvddl
LD1
CLOAD
Rd1
M1
Rilim1
R1
ILIM1
UVLO
R2
门
CS
FB
ARTN
RTN
COMP
OSC
SS
TEST2
TEST1
VPORTN1
VPORTN2
Rslope
R4
RCS
备用
对
DB2
CSS
ROSC
C1comp
RCOMP
C2comp
图5.非隔离式正向转换器
图5示出了NCP1081用于非隔离向前拓扑。
大功率注意事项
该NCP1081的设计实现各种
高功率PoE系统包括配置
根据显影IEEE 802.3at标准。
高功率
操作可以通过一个双事件层1被启用
分类或单一事件图层1分
再加上2层的高功率分级。该
NCP1081还能够支持的专有设计
提供25瓦到40瓦的负载在两对
配置。一个单独的应用笔记描述了这些
实现( “ NCP1081高功率PoE应用程序”) 。
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4
NCP1081
表1.引脚说明
名字
VPORTP
VPORTN1
VPORTN2
RTN
ARTN
VDDH
PIN号
1
6,8
7
14
16
TYPE
供应
地
地
地
供应
描述
积极的输入功率。电压相对于VPORTN
1,2
.
负输入功率。连接到内部通开关的源极。
DC-DC控制器,电源的回报。连接到内部通开关的漏极。它必须
被连接到ARTN 。该引脚也是内部通开关的漏极。
DC- DC控制器接地引脚。必须连接到RTN作为单点接地连接
以提高抗噪声能力。
输出9 V LDO稳压器内部的。电压相对于ARTN 。提供内部
栅极驱动器。 VDDH必须绕过到ARTN用1
mF
或2.2
mF
陶瓷电容器
低ESR 。
输出的3.3 V内部LDO稳压器。电压相对于ARTN 。该引脚可
用于偏置外部的低功率LED ( mA(最大值) 1 )连接到nCLASS_AT ,并能
也可以使用添加额外的偏置电流在外部光耦合器。 VDDL必须逐
传递给ARTN与330 nF的或470 nF的陶瓷电容与低ESR 。
分级电流编程引脚。连接类和VPORTN之间的电阻
1,2
.
浪涌电流限制编程引脚。连突和VPORTN之间的电阻
1,2
.
工作电流限编程引脚。连接ILIM1和之间的电阻器
VPORTN
1,2
.
DC- DC控制器欠压锁定输入。电压相对于VPORTN
1,2
。连
一个电阻分压器VPORTP到UVLO到VPORTN
1,2
设置外部UVLO门限。
型DC-DC调节器的栅极驱动器输出引脚。
内部振荡器频率编程引脚。连接OSC和ARTN之间的电阻器。
低电平有效,漏极开路1层双指分级指标。
输出的DC-DC调节器的内部误差放大器。 COMP是内部拉升至
VDDL用5千瓦电阻。在独立的应用程序, COMP连接的集电极
光电耦合器。电压相对于ARTN 。
DC-DC控制器,逆变内部误差放大器的输入端。在隔离应用中,该引脚
应该绑在ARTN禁止内部误差放大器。
电流检测输入为DC-DC控制器。电压相对于ARTN 。
软启动输入电压为DC-DC控制器。 SS和ARTN之间的电容决定
软启动定时。
数字测试引脚必须始终连接到VPORTN
1,2
.
数字测试引脚必须始终连接到VPORTN
1,2
.
裸焊盘。连接到VPORTN
1,2
地面上。
VDDL
17
供应
类
侵入
ILIM1
UVLO
门
OSC
nCLASS_AT
COMP
2
4
5
3
15
11
13
18
输入
输入
输入
输入
产量
输入
输出,
漏极开路
I / O
FB
CS
SS
TEST1
TEST2
EP
19
12
20
9
10
输入
输入
输入
输入
输入
http://onsemi.com
5