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NCE7580
无铅产品
新洁½
N
沟道增强型功率
MOSFET
描述
NCE7580采用先进的沟½式技术提供½导通电阻(Rdson)，
½栅电荷，E
AS
高且稳定性，一致性½。这种器件适合应用在
PWM，负½½开关电路，UPS或其他的一些应用中。
产品概要
BV
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
典型值。
马克斯。
I
D
84
6.5
8.0
80
V
m
m
A
基本特性
●
V
DS
=75V；I
D
= 80A @ V
GS
=10V；
R
DS （ ON）
<8mΩ @ V
GS
=10V
●
先进的沟½工艺技术
●
专门的设计保证电流½化以及功率控制的应用
●
为保证½导通电阻而特有的高单胞密度设计
●
较大的电流以及击穿电压½量
●
雪崩½量保证
100%测试
UIS测试！
应用
●
●
●
功率½换
硬开关以及高频电路
不间断电源（ UPS ）
TO-220-3L
外½俯视图
内部原理图
封装打标和订购信息
器件打标
NCE7580
器件
7580
器件封装
TO-220-3L
卷½直径
-
带½
-
数量
-
表
1.
工½条件（TA=25`C 有特殊说明除外）
参数
符号
极限值
75
±25
80
78
320
单½
V
V
A
A
A
漏源电压
(VGS=0V）
栅源电压
(VDS=0V)
漏极电流
（静态）在Tc = 25 ℃
漏极电流
（静态）在Tc = 100 ℃
漏极连续电流@脉冲电流
(注释 1)
二极管恢复电压峰值
最大功耗(Tc=25
℃
)
降额因数
单脉冲雪崩½量(注释
2)
工½结温以及存储温度范围
V
DS
V
GS
I
D（ DC）的
I
D（ DC）的
I
DM （时脉）
dv / dt的
30
170
1.13
V / ns的
W
W/℃
P
D
E
AS
580
-55至175
mJ
℃
T
J
,T
英镑
注释
1.
脉冲½度受限于最大结温度
2. E
AS
测试条件：Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V,L=0.3mH
,I
D
=62A;
无锡新洁½功率半导½有限公司
第
1
页
版本
1.1
NCE7580
无铅产品
表
2.
热特性
参数
符号
R
thJC
R
thJA
极限值
0.88
63
单½
℃
/W
℃
/W
热阻，结至外壳（最大值）
热阻，结至大气环境 （最大值）
表
3.
开关特性
电学特性（TA=25`C，特殊说明除外）
参数
符号
BV
DSS
I
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
LSS
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
SD
I
SDM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
条件
V
GS
= 0V我
D
=250μA
V
DS
=75V,V
GS
=0V
V
DS
=75V,V
GS
=0V
V
GS
=±20V,V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
,I
D
=250μA
V
GS
= 10V ，我
D
=40A
V
DS
=5V,I
D
=30A
V
DS
=25V,V
GS
=0V,
F=1.0MHz
最小值
75
典型值
最大值
单½
V
源漏击穿电压
零栅压时的漏极电流(Tc=25℃)
零栅压时的漏极电流(Tc=125℃)
栅和衬底间的漏电流
阈值电压
导通电阻
动态特性
跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
总栅电荷
栅源电荷
栅漏电荷
开关时间
接通延时时间
接通上升时间
断开延时时间
断开下降时间
源漏寄生二极管特性
½二极管导通电流
½二极管瞬态最大导通电流
½二极管正向压降
(注释 1)
反向恢复时间
(注释 1)
反向恢复电荷
(注释 1)
反向导通时间
1
10
±100
2
2.85
6.5
60
3100
310
260
100
18
27
18.2
4
8
μA
μA
nA
V
m
S
PF
PF
PF
nC
nC
nC
nS
nS
nS
nS
V
DS
=30V,I
D
=30A,
V
GS
=10V
V
DD
=30V,I
D
=2A,R
L
=15
V
GS
=10V,R
G
=2.5
15.6
70.5
13.8
80
320
A
A
V
nS
nC
Tj=25℃,I
SD
=40A,V
GS
=0V
Tj=25℃,I
F
=75A,di/dt=100A/μs
1.2
53
105
内部的开启时间可以½略
(开启受控于 L
S
+L
D
)
注释
1.
脉冲测试:
脉½
≤
300μs,
占空比
≤
1.5%, R
G
=25,
初始结温=25℃
无锡新洁½功率半导½有限公司
第
2
页
版本
1.1
NCE7580
无铅产品
测试电路
1）E
AS
测试电路：
2）栅极电荷测试电路：
3）开关时间测试电路：
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第
3
页
版本
1.1
NCE7580
无铅产品
典型的电学特性及热特性（曲线）
图
1.
安全工½区
图
2.
源漏½二极管正向压降
图
3.
输出特性
图
4.
½移特性
图
5.
漏源导通电阻
图
6.
导通电阻——结温
无锡新洁½功率半导½有限公司
第
4
页
版本
1.1
NCE7580
无铅产品
图
7.
击穿电压—结温
图
8.
阈值电压—结温
图
9.
栅电荷
图
10.
电容—漏源电压
图
11.
最大瞬态热阻
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第
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页
版本
1.1
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