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无铅产品
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NCE3050K
NCE N沟道
增强型功率MOSFET
描述
该NCE3050K采用先进的沟槽技术和
设计，提供优秀的研发
DS （ ON）
低栅极电荷。它
可以在各种各样的应用中使用。
一般特点
●
V
DS
=30V,I
D
=50A
R
DS （ ON）
< 9mΩ @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
< 15MΩ @ V
GS
=5V
●
高密度电池设计超低导通电阻
●
充分界定雪崩电压和电流
●
良好的稳定性和均匀性与高鹗
AS
●
优秀的包装进行良好的散热
●
特殊工艺技术，高ESD能力
原理图
应用
●
●
●
电源开关的应用
硬开关和高频电路
不间断电源
标志和引脚分配
100 ％ UIS测试！
TO- 252顶视图
包装标志和订购信息
器件标识
NCE3050K
设备
NCE3050K
器件封装
TO-252
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
-
绝对最大额定值（ TA = 25℃除非另有说明）
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
V
GS
漏电流连续
漏电流连续（T
C
=100℃)
漏电流脉冲
最大功率耗散
降额因子
单脉冲雪崩能量（注5 ）
工作结存储温度范围
E
AS
极限
30
±20
50
35
140
60
0.4
70
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
℃
I
D
I
D
(100℃)
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
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第1页
v1.0
无铅产品
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热特性
热阻，结到外壳（注2 ）
R
θJC
NCE3050K
2.5
℃
/W
电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）
参数
符号
条件
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
基本特征（注3 ）
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
动态特性（注4 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性（注4 ）
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的特性
二极管的正向电压（注3 ）
二极管的正向电流（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
民
30
典型值
最大
单位
V
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
LSS
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
I
S
t
rr
QRR
t
on
V
GS
= 0V我
D
=250μA
V
DS
=30V,V
GS
=0V
V
GS
=±20V,V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
,I
D
=250μA
V
GS
= 10V ，我
D
=25A
V
GS
= 5V ，我
D
=20A
V
DS
=10V,I
D
=20A
1
±100
1
3
9
15
15
2000
280
160
10
μA
nA
V
m
S
PF
PF
PF
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
V
DS
=15V,V
GS
=0V,
F=1.0MHz
V
DD
=15V,I
D
=20A
V
GS
=10V,R
根
=1.8
8
30
5
23
7
4.5
0.85
22
12
1.2
40
35
20
V
DS
=10V,I
D
=25A,
V
GS
=10V
V
GS
=0V,I
S
=25A
TJ = 25°C ， IF = 40A
的di / dt = 100A / μs的（注3 ）
V
A
nS
nC
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
1.
重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。
2.
表面安装在FR4板，T
≤
10秒。
3.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
4.
通过设计保证，不受生产
5.
EAS条件：环境温度为25℃时，V
DD
=15V,V
G
=10V,L=1mH,Rg=25
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NCE3050K
测试电路
1）E
AS
测试电路
2 ）栅极电荷测试电路：
3 ）开关时间测试电路：
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典型的电和热性能（曲线）
NCE3050K
归一化的导通电阻
I
D
- 漏电流（ A）
VDS漏源电压（ V）
T
J
-Junction温度（℃ ）
图1输出特性
图4中的Rdson ， JunctionTemperature
VGS栅极 - 源极电压（ V）
VGS栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
QG栅极电荷（ NC）
图2传输特性
导通电阻导通电阻归
I
s
- 反向漏电流（ A）
图5栅极电荷
I
D
- 漏电流（ A）
VSD源极 - 漏极电压（ V）
图3 Rdson-
漏电流
图6源 - 漏极二极管正向
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NCE3050K
电容（pF ）
归BVDSS
VDS漏源电压（ V）
T
J
-Junction温度（℃ ）
图7电容VS的Vds
图9
BV
DSS
VS结温
I
D
- 漏电流（ A）
VDS漏源电压（ V）
T
J
-Junction温度（℃ ）
图8
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
安全工作区
图10
V
GS （ TH）
VS结。温度
方波时脉持续时间（秒）
图11归最大瞬态热阻抗
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NHD-0108FZ-RN-YBW
NTE2385
NX8567SAM322-CC
NCP1236AD65R2G
NTB35N15
NX8341UJ-AZ
NSD15-48D5
NTE5272AK
N43100Q1EN1S
NE3511S02-T1C
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    -
    -
    -
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