NBSG86A
2.5V / 3.3V的SiGe差分
与输出的智能门
级别选择
该NBSG86A是一个多功能差分逻辑门
可以被配置为一个AND / NAND，OR / NOR ，XOR / XNOR ，或2：1的
MUX 。该器件是GigaComm 系列高的一部分
高性能硅锗产品。该装置安装在一个
低调的4x4毫米， 16引脚倒装芯片BGA或3×3毫米16引脚QFN封装
封装。
差分输入包括内部50
W
终端电阻
并接受NECL （负ECL ） ， PECL （正ECL ）
LVCMOS / LVTTL ， CML或LVDS 。在OLS *输入用于
编程为0至800毫伏峰对峰的输出振幅
在五个连续的步骤。
该NBSG86A采用默认的输入电路，这样在开
输入条件（D
x
, D
x
， VTD
x
， VTD
x,
VTSEL ）的输出
设备将保持稳定。
特点
http://onsemi.com
记号
图*
FCBGA16
BA后缀
CASE 489
16
1
SG
86A
LYW
1
QFN16
MN后缀
CASE 485G
最大输入时钟频率> 8 GHz的典型
最大输入数据速率> 8 Gb / s的典型
165 ps的典型传播延迟
40 ps的典型的上升和下降时间
可选的摆幅PECL输出与操作范围：
V
CC
= 2.375 V至3.465 V与V
EE
= 0 V
可选的摇摆NECL输出与NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
可选的输出电平（ 0 V ， 200毫伏， 400毫伏，
600毫伏，或800 mV峰峰值输出）
50
W
内部输入终端电阻
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
无铅包可用
*输出电平选择
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第12页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 10牧师
出版订单号：
NBSG86A/D
SG
86A
ALYWG
G
NBSG86A
1
A
VTD1
2
D1
3
D1
4
VTD1
VTD0 D0
16
OLS
15
D0
14
VTD0
13
裸露焊盘
（EP）的
12
11
V
EE
Q
Q
V
CC
1
2
NBSG86A
3
4
B
SEL
VTSEL
V
CC
Q
SEL
Q
C
SEL
OLS
V
EE
SEL
VTSEL
10
9
D
VTD0
D0
D0
VTD0
5
VTD1
6
D1
7
8
D1 VTD1
图1. BGA- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
BGA
C2
C1
QFN
1
2
名字
OLS
（注3）
SEL
I / O
输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
RSECL输出
RSECL输出
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
图2. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
描述
输入引脚的输出电平选择（ OLS ） 。见表2 。
倒差分选择逻辑输入。
B1
3
SEL
反的差分选择逻辑输入。
B2
A1
A2
4
5
6
VTSEL
VTD1
D1
常见的内部50
W
终止引脚为SEL / SEL 。见表7。（注1 ）
内部50
W
终止引脚。见表7。（注1 ）
反的差分输入1.内部75千瓦到V
EE
.
A3
7
D1
倒差分输入1.内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
A4
B3
B4
C4
C3
D4
D3
8
9
10
11
12
13
14
VTD1
V
CC
Q
Q
V
EE
VTD0
D0
内部50
W
终止引脚。见表7。（注1 ）
正电源电压（注2 ）
反的差分输出。通常情况下终止50
W
电阻
V
TT
= V
CC
2 V.
倒差分输出。通常情况下终止50
W
电阻
V
TT
= V
CC
2 V
负电源电压（注2 ）
内部50
W
终止引脚。见表7。（注1 ）
倒差分输入0内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
D2
15
D0
反的差分输入0内部75千瓦到V
EE
.
D1
不适用
16
VTD0
EP
内部50
W
终止引脚。见表7。（注1 ）
裸露焊盘。在封装底部的裸露热焊盘（见案例图）
必须被附连到一个散热导管。
1.在差分配置中，当输入端接端子（ VTDx ， VTDx ， VTSEL ）被连接到一个共同的终止电压，
如果没有信号被施加，则设备将是容易的自激振荡。
2.所有V
CC
和V
EE
引脚必须从外部连接到电源，以保证正常运行。
3.当在400毫伏的输出电平是所希望的和V
CC
V
EE
> 3.0V， 2千瓦的电阻应该从OLS引脚连接到V
EE
.
http://onsemi.com
2
NBSG86A
表2.输出电平选择OLS
OLS
V
CC
V
CC
0.4 V
V
CC
0.8 V
V
CC
1.2 V
V
EE
（注4 ）
FL燕麦
Q / Q VPP
800毫伏
200毫伏
600毫伏
0
400毫伏
600毫伏
OLS灵敏度
OLS - 75毫伏
OLS
$
150毫伏
OLS
$
100毫伏
OLS
$
75毫伏
OLS
$
100毫伏
不适用
4.当在400毫伏的输出电平是所希望的和V
CC
V
EE
> 3.0 V， 2.0 kW的电阻应为
连接从OLS到V
EE
.
50
W
VTD0
D0
R
1
D0
VTD0
50
W
50
W
VTD1
D1
R
1
D1
VTD1
50
W
VTSEL
SEL
SEL
R
1
R
2
50
W
50
W
R
1
Q
Q
R
2
图3.逻辑图
50
W
VTD0
VT或
V
BB
V
CC
VTD0
VTD1
50
W
50
W
D0
D0
Q
Q
D1
D1
VTD1
50
W
50
W
50
W
V
EE
V
CC
SEL
D0
0
0
0
0
表3. AND / NAND真值表
（注5 ）
m
D1
0
0
1
1
b
SEL
0
1
0
1
m
*
b
Q
0
0
0
1
m
5. D0，D1， SEL是D0，D1， SEL的逆除非指定其它 -
明智的。
VTSEL
SEL
b
图4.配置AND / NAND功能
http://onsemi.com
3
NBSG86A
50
W
VTD0
m
VTD0
50
W
50
W
VTD1
V
CC
VT或V
BB
VTD1
50
W
D0
D0
Q
Q
D1
D1
50
W
50
W
表4. OR / NOR真值表**
m
D0
0
0
1
1
D1
1
1
1
1
b
SEL
0
1
0
1
m
or
b
Q
0
1
1
1
** D0，D1， SEL是D0，D1， SEL逆除非指定
否则。
VTSEL
SEL
b
SEL
图5.配置OR / NOR功能
50
W
VTD0
m
VTD0
50
W
50
W
VTD1
D0
D0
Q
Q
D1
D1
表5 XOR / XNOR真值表**
m
D0
0
0
1
50
W
1
D1
1
1
0
0
b
SEL
0
1
0
1
m
XOR
b
Q
0
1
1
0
VTD1
50
W
50
W
VTSEL
SEL
** D0，D1， SEL是D0，D1， SEL逆除非指定
否则。
SEL
b
图6.配置XOR / XNOR功能
50
W
VTD0
D0
D0
VTD0
50
W
50
W
VTD1
D1
D1
VTD1
50
W
50
W
50
W
Q
Q
表6. 2 ： 1 MUX真值表**
SEL
1
0
Q
D1
D0
** D0，D1， SEL是D0，D1， SEL逆除非指定
否则。
VTSEL
SEL
SEL
图7.配置为2 ： 1 MUX功能
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4
NBSG86A
表7.接口选项
接口选择
CML
LVDS
交流耦合
RSECL ， PECL ， NECL
LVTTL ， LVCMOS
连接
连接VTD0 ， VTD1 ， VTSEL和VTD0 ， VTD1到V
CC
连接VTD0 ， VTD1 ， VTD0和VTD1在一起。离开VTSEL开放。
偏VTD0 ， VTD1 ， VTSEL和VTD0内（ VIHCMR ）共模范围VTD1输入
标准ECL终止技术
外部电压，应适用于未使用的互补差分输入。
额定电压1.5 V的LVTTL和V
CC
/ 2 LVCMOS输入。
表8. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
(R
1
)
(R
2
)
人体模型
机器型号
带电器件模型
16FCBGA
16QFN
氧指数：28 34
价值
75千瓦
37.5千瓦
＆ GT ; 1千伏
> 50 V
＆ GT ; 4千伏
LEVEL 3
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
364
湿气敏感度（注6 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
6.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
表9.最大额定值
（注7 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
IN
I
OUT
TA
T
英镑
q
JA
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压| D
n
D
n
|
输入电流过R
T
(50
W
电阻器）
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注8）
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
2S2P （注8 ）
2S2P （注9 ）
< 15秒
< 3秒@ 248℃
< 3秒@ 260℃
16 FCBGA
16 FCBGA
16 QFN
16 QFN
16 FCBGA
16 QFN
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
CC
V
EE
w
2.8 V
V
CC
V
EE
< 2.8 V
STATIC
浪涌
连续
浪涌
16FCBGA
16QFN
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
3.6
3.6
3.6
3.6
2.8
|V
CC
V
EE
|
45
80
25
50
-40到+70
-40至+85
-65到+150
108
86
41.6
35.2
5.0
4.0
225
265
265
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
q
JC
T
SOL
热阻（结到外壳）
波峰焊
铅（ BGA ）
铅（ QFN ）
无铅（ QFN ）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
7.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
8. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源） 。
9. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
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5
NBSG86A
2.5V / 3.3V的SiGe差分
与输出的智能门
级别选择
该NBSG86A是一个多功能差分逻辑门
可以被配置为一个AND / NAND，OR / NOR ，XOR / XNOR ，或2：1的
MUX 。该器件是GigaComm 系列高的一部分
高性能硅锗产品。该装置安装在一个
低调的4x4毫米， 16引脚倒装芯片BGA或3×3毫米16引脚QFN封装
封装。
差分输入包括内部50
W
终端电阻
并接受NECL （负ECL ） ， PECL （正ECL ）
LVCMOS / LVTTL ， CML或LVDS 。 OLS的输入用于
编程为0至800毫伏峰对峰的输出振幅
在五个连续的步骤。
该NBSG86A采用默认的输入电路，这样在开
输入条件（D
x
, D
x
， VTD
x
， VTD
x,
VTSEL ）的输出
设备将保持稳定。
http://onsemi.com
记号
图*
FCBGA16
BA后缀
CASE 489
SG
86A
LYW
最大输入时钟频率> 8 GHz的典型
最大输入数据速率> 8 Gb / s的典型
165 ps的典型传播延迟
40 ps的典型的上升和下降时间
QFN16
MN后缀
CASE 485G
SG86A
ALYW
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
可选的摆幅PECL输出与操作范围：
V
CC
= 2.375 V至3.465 V与V
EE
= 0 V
可选的摇摆NECL输出与NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
可选的输出电平（ 0 V ， 200毫伏， 400毫伏，
600毫伏，或800 mV峰峰值输出）
50
W
内部输入终端电阻
*有关详细信息，请参考应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
NBSG86ABA
NBSG86ABAR2
包
4×4毫米
FCBGA16
4×4毫米
FCBGA16
3×3毫米
QFN16
3×3毫米
QFN16
航运
100单位/托盘
500/
磁带&卷轴
123单位/铁
NBSG86AMN
NBSG86AMNR2
3000/
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
板
描述
NBSG86ABAEVB NBSG86ABA评估板
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年5月 - 8版本
出版订单号：
NBSG86A/D
NBSG86A
1
A
VTD1
2
D1
3
D1
4
VTD1
VTD0 D0
16
OLS
15
D0
14
VTD0
13
裸露焊盘
（EP）的
12
11
V
EE
Q
Q
V
CC
1
2
NBSG86A
3
4
B
SEL
VTSEL
V
CC
Q
SEL
Q
C
SEL
OLS
V
EE
SEL
VTSEL
10
9
D
VTD0
D0
D0
VTD0
5
VTD1
6
D1
7
8
D1 VTD1
图1. BGA- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
BGA
C2
C1
QFN
1
2
名字
OLS
（注3）
SEL
I / O
输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
RSECL输出
RSECL输出
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
图2. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
描述
输入引脚的输出电平选择（ OLS ） 。见表2 。
倒差分选择逻辑输入。
B1
3
SEL
反的差分选择逻辑输入。
B2
A1
A2
4
5
6
VTSEL
VTD1
D1
常见的内部50
W
终止引脚为SEL / SEL 。见表7。（注1 ）
内部50
W
终止引脚。见表7。（注1 ）
反的差分输入1.内部75千瓦到V
EE
.
A3
7
D1
倒差分输入1.内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
A4
B3
B4
C4
C3
D4
D3
8
9
10
11
12
13
14
VTD1
V
CC
Q
Q
V
EE
VTD0
D0
内部50
W
终止引脚。见表7。（注1 ）
正电源电压（注2 ）
反的差分输出。通常情况下终止50
W
电阻
V
TT
= V
CC
2 V.
倒差分输出。通常情况下终止50
W
电阻
V
TT
= V
CC
2 V
负电源电压（注2 ）
内部50
W
终止引脚。见表7。（注1 ）
倒差分输入0内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
D2
15
D0
反的差分输入0内部75千瓦到V
EE
.
D1
不适用
16
VTD0
EP
内部50
W
终止引脚。见表7。（注1 ）
裸露焊盘。在封装底部的裸露热焊盘（见案例图）
必须被附连到一个散热导管。
1.在差分配置中，当输入端接端子（ VTDx ， VTDx ， VTSEL ）被连接到一个共同的终止电压，
如果没有信号被施加，则设备将是容易的自激振荡。
2.所有V
CC
和V
EE
引脚必须从外部连接到电源，以保证正常运行。
3.当在400毫伏的输出电平是所希望的和V
CC
V
EE
> 3.0V， 2千瓦的电阻应该从OLS引脚连接到V
EE
.
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2
NBSG86A
表2.输出电平选择OLS
OLS
V
CC
V
CC
0.4 V
V
CC
0.8 V
V
CC
1.2 V
V
EE
（注4 ）
FL燕麦
Q / Q VPP
800毫伏
200毫伏
600毫伏
0
400毫伏
600毫伏
OLS灵敏度
OLS - 75毫伏
OLS
$
150毫伏
OLS
$
100毫伏
OLS
$
75毫伏
OLS
$
100毫伏
不适用
4.当在400毫伏的输出电平是所希望的和V
CC
V
EE
> 3.0 V， 2.0 kW的电阻应为
连接从OLS到V
EE
.
50
W
VTD0
D0
R
1
D0
VTD0
50
W
50
W
VTD1
D1
R
1
D1
VTD1
50
W
VTSEL
SEL
SEL
R
1
R
2
50
W
50
W
R
1
Q
Q
R
2
图3.逻辑图
50
W
VTD0
VT或
V
BB
V
CC
VTD0
VTD1
50
W
50
W
D0
D0
Q
Q
D1
D1
VTD1
50
W
50
W
50
W
V
EE
V
CC
SEL
D0
0
0
0
0
表3. AND / NAND真值表
（注5 ）
m
D1
0
0
1
1
b
SEL
0
1
0
1
m
*
b
Q
0
0
0
1
m
5. D0，D1， SEL是D0，D1， SEL的逆除非指定其它 -
明智的。
VTSEL
SEL
b
图4.配置AND / NAND功能
http://onsemi.com
3
NBSG86A
50
W
VTD0
m
VTD0
50
W
50
W
VTD1
V
CC
VT或V
BB
VTD1
50
W
D0
D0
Q
Q
D1
D1
50
W
50
W
表4. OR / NOR真值表**
m
D0
0
0
1
1
D1
1
1
1
1
b
SEL
0
1
0
1
m
or
b
Q
0
1
1
1
** D0，D1， SEL是D0，D1， SEL逆除非指定
否则。
VTSEL
SEL
b
SEL
图5.配置OR / NOR功能
50
W
VTD0
m
VTD0
50
W
50
W
VTD1
D0
D0
Q
Q
D1
D1
表5 XOR / XNOR真值表**
m
D0
0
0
1
50
W
1
D1
1
1
0
0
b
SEL
0
1
0
1
m
XOR
b
Q
0
1
1
0
VTD1
50
W
50
W
VTSEL
SEL
** D0，D1， SEL是D0，D1， SEL逆除非指定
否则。
SEL
b
图6.配置XOR / XNOR功能
50
W
VTD0
D0
D0
VTD0
50
W
50
W
VTD1
D1
D1
VTD1
50
W
50
W
50
W
Q
Q
表6. 2 ： 1 MUX真值表**
SEL
1
0
Q
D1
D0
** D0，D1， SEL是D0，D1， SEL逆除非指定
否则。
VTSEL
SEL
SEL
图7.配置为2 ： 1 MUX功能
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4
NBSG86A
表7.接口选项
接口选择
CML
LVDS
交流耦合
RSECL ， PECL ， NECL
LVTTL ， LVCMOS
连接
连接VTD0 ， VTD1 ， VTSEL和VTD0 ， VTD1到V
CC
连接VTD0 ， VTD1 ， VTD0和VTD1在一起。离开VTSEL开放。
偏VTD0 ， VTD1 ， VTSEL和VTD0内（ VIHCMR ）共模范围VTD1输入
标准ECL终止技术
外部电压，应适用于未使用的互补差分输入。
额定电压1.5 V的LVTTL和V
CC
/ 2 LVCMOS输入。
表8. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
(R
1
)
(R
2
)
人体模型
机器型号
带电器件模型
16FCBGA
16QFN
氧指数：28 34
价值
75千瓦
37.5千瓦
＆ GT ; 1千伏
> 50 V
＆ GT ; 4千伏
LEVEL 3
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
364
湿气敏感度（注6 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
6.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
表9.最大额定值
（注7 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
IN
I
OUT
TA
T
英镑
q
JA
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压| D
n
D
n
|
输入电流过R
T
(50
W
电阻器）
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注8）
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
2S2P （注8 ）
2S2P （注9 ）
t15
美国证券交易委员会。
16 FCBGA
16 FCBGA
16 QFN
16 QFN
16 FCBGA
16 QFN
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
CC
V
EE
w
2.8 V
V
CC
V
EE
< 2.8 V
STATIC
浪涌
连续
浪涌
16FCBGA
16QFN
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
3.6
3.6
3.6
3.6
2.8
|V
CC
V
EE
|
45
80
25
50
-40到+70
-40至+85
-65到+150
108
86
41.6
35.2
5.0
4.0
225
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
q
JC
T
SOL
热阻（结到外壳）
波峰焊
7.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
8. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源） 。
9. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
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5
NBSG86A
2.5V / 3.3V的SiGe差分
与输出的智能门
级别选择
该NBSG86A是一个多功能差分逻辑门
可以被配置为一个AND / NAND，OR / NOR ，XOR / XNOR ，或2：1的
MUX 。该器件是GigaComm 系列高的一部分
高性能硅锗产品。该装置安装在一个
低调的4x4毫米， 16引脚倒装芯片BGA或3×3毫米16引脚QFN封装
封装。
差分输入包括内部50
W
终端电阻
并接受NECL （负ECL ） ， PECL （正ECL ）
LVCMOS / LVTTL ， CML或LVDS 。 OLS的输入用于
编程为0至800毫伏峰对峰的输出振幅
在五个连续的步骤。
该NBSG86A采用默认的输入电路，这样在开
输入条件（D
x
, D
x
， VTD
x
， VTD
x,
VTSEL ）的输出
设备将保持稳定。
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记号
图*
FCBGA16
BA后缀
CASE 489
SG
86A
LYW
最大输入时钟频率> 8 GHz的典型
最大输入数据速率> 8 Gb / s的典型
165 ps的典型传播延迟
40 ps的典型的上升和下降时间
QFN16
MN后缀
CASE 485G
SG86A
ALYW
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
可选的摆幅PECL输出与操作范围：
V
CC
= 2.375 V至3.465 V与V
EE
= 0 V
可选的摇摆NECL输出与NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
可选的输出电平（ 0 V ， 200毫伏， 400毫伏，
600毫伏，或800 mV峰峰值输出）
50
W
内部输入终端电阻
*有关详细信息，请参考应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
NBSG86ABA
NBSG86ABAR2
包
4×4毫米
FCBGA16
4×4毫米
FCBGA16
3×3毫米
QFN16
3×3毫米
QFN16
航运
100单位/托盘
500/
磁带&卷轴
123单位/铁
NBSG86AMN
NBSG86AMNR2
3000/
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
板
描述
NBSG86ABAEVB NBSG86ABA评估板
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年5月 - 8版本
出版订单号：
NBSG86A/D
NBSG86A
1
A
VTD1
2
D1
3
D1
4
VTD1
VTD0 D0
16
OLS
15
D0
14
VTD0
13
裸露焊盘
（EP）的
12
11
V
EE
Q
Q
V
CC
1
2
NBSG86A
3
4
B
SEL
VTSEL
V
CC
Q
SEL
Q
C
SEL
OLS
V
EE
SEL
VTSEL
10
9
D
VTD0
D0
D0
VTD0
5
VTD1
6
D1
7
8
D1 VTD1
图1. BGA- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
BGA
C2
C1
QFN
1
2
名字
OLS
（注3）
SEL
I / O
输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
RSECL输出
RSECL输出
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
图2. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
描述
输入引脚的输出电平选择（ OLS ） 。见表2 。
倒差分选择逻辑输入。
B1
3
SEL
反的差分选择逻辑输入。
B2
A1
A2
4
5
6
VTSEL
VTD1
D1
常见的内部50
W
终止引脚为SEL / SEL 。见表7。（注1 ）
内部50
W
终止引脚。见表7。（注1 ）
反的差分输入1.内部75千瓦到V
EE
.
A3
7
D1
倒差分输入1.内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
A4
B3
B4
C4
C3
D4
D3
8
9
10
11
12
13
14
VTD1
V
CC
Q
Q
V
EE
VTD0
D0
内部50
W
终止引脚。见表7。（注1 ）
正电源电压（注2 ）
反的差分输出。通常情况下终止50
W
电阻
V
TT
= V
CC
2 V.
倒差分输出。通常情况下终止50
W
电阻
V
TT
= V
CC
2 V
负电源电压（注2 ）
内部50
W
终止引脚。见表7。（注1 ）
倒差分输入0内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
D2
15
D0
反的差分输入0内部75千瓦到V
EE
.
D1
不适用
16
VTD0
EP
内部50
W
终止引脚。见表7。（注1 ）
裸露焊盘。在封装底部的裸露热焊盘（见案例图）
必须被附连到一个散热导管。
1.在差分配置中，当输入端接端子（ VTDx ， VTDx ， VTSEL ）被连接到一个共同的终止电压，
如果没有信号被施加，则设备将是容易的自激振荡。
2.所有V
CC
和V
EE
引脚必须从外部连接到电源，以保证正常运行。
3.当在400毫伏的输出电平是所希望的和V
CC
V
EE
> 3.0V， 2千瓦的电阻应该从OLS引脚连接到V
EE
.
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2
NBSG86A
表2.输出电平选择OLS
OLS
V
CC
V
CC
0.4 V
V
CC
0.8 V
V
CC
1.2 V
V
EE
（注4 ）
FL燕麦
Q / Q VPP
800毫伏
200毫伏
600毫伏
0
400毫伏
600毫伏
OLS灵敏度
OLS - 75毫伏
OLS
$
150毫伏
OLS
$
100毫伏
OLS
$
75毫伏
OLS
$
100毫伏
不适用
4.当在400毫伏的输出电平是所希望的和V
CC
V
EE
> 3.0 V， 2.0 kW的电阻应为
连接从OLS到V
EE
.
50
W
VTD0
D0
R
1
D0
VTD0
50
W
50
W
VTD1
D1
R
1
D1
VTD1
50
W
VTSEL
SEL
SEL
R
1
R
2
50
W
50
W
R
1
Q
Q
R
2
图3.逻辑图
50
W
VTD0
VT或
V
BB
V
CC
VTD0
VTD1
50
W
50
W
D0
D0
Q
Q
D1
D1
VTD1
50
W
50
W
50
W
V
EE
V
CC
SEL
D0
0
0
0
0
表3. AND / NAND真值表
（注5 ）
m
D1
0
0
1
1
b
SEL
0
1
0
1
m
*
b
Q
0
0
0
1
m
5. D0，D1， SEL是D0，D1， SEL的逆除非指定其它 -
明智的。
VTSEL
SEL
b
图4.配置AND / NAND功能
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3
NBSG86A
50
W
VTD0
m
VTD0
50
W
50
W
VTD1
V
CC
VT或V
BB
VTD1
50
W
D0
D0
Q
Q
D1
D1
50
W
50
W
表4. OR / NOR真值表**
m
D0
0
0
1
1
D1
1
1
1
1
b
SEL
0
1
0
1
m
or
b
Q
0
1
1
1
** D0，D1， SEL是D0，D1， SEL逆除非指定
否则。
VTSEL
SEL
b
SEL
图5.配置OR / NOR功能
50
W
VTD0
m
VTD0
50
W
50
W
VTD1
D0
D0
Q
Q
D1
D1
表5 XOR / XNOR真值表**
m
D0
0
0
1
50
W
1
D1
1
1
0
0
b
SEL
0
1
0
1
m
XOR
b
Q
0
1
1
0
VTD1
50
W
50
W
VTSEL
SEL
** D0，D1， SEL是D0，D1， SEL逆除非指定
否则。
SEL
b
图6.配置XOR / XNOR功能
50
W
VTD0
D0
D0
VTD0
50
W
50
W
VTD1
D1
D1
VTD1
50
W
50
W
50
W
Q
Q
表6. 2 ： 1 MUX真值表**
SEL
1
0
Q
D1
D0
** D0，D1， SEL是D0，D1， SEL逆除非指定
否则。
VTSEL
SEL
SEL
图7.配置为2 ： 1 MUX功能
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4
NBSG86A
表7.接口选项
接口选择
CML
LVDS
交流耦合
RSECL ， PECL ， NECL
LVTTL ， LVCMOS
连接
连接VTD0 ， VTD1 ， VTSEL和VTD0 ， VTD1到V
CC
连接VTD0 ， VTD1 ， VTD0和VTD1在一起。离开VTSEL开放。
偏VTD0 ， VTD1 ， VTSEL和VTD0内（ VIHCMR ）共模范围VTD1输入
标准ECL终止技术
外部电压，应适用于未使用的互补差分输入。
额定电压1.5 V的LVTTL和V
CC
/ 2 LVCMOS输入。
表8. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
(R
1
)
(R
2
)
人体模型
机器型号
带电器件模型
16FCBGA
16QFN
氧指数：28 34
价值
75千瓦
37.5千瓦
＆ GT ; 1千伏
> 50 V
＆ GT ; 4千伏
LEVEL 3
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
364
湿气敏感度（注6 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
6.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
表9.最大额定值
（注7 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
IN
I
OUT
TA
T
英镑
q
JA
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压| D
n
D
n
|
输入电流过R
T
(50
W
电阻器）
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注8）
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
2S2P （注8 ）
2S2P （注9 ）
t15
美国证券交易委员会。
16 FCBGA
16 FCBGA
16 QFN
16 QFN
16 FCBGA
16 QFN
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
CC
V
EE
w
2.8 V
V
CC
V
EE
< 2.8 V
STATIC
浪涌
连续
浪涌
16FCBGA
16QFN
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
3.6
3.6
3.6
3.6
2.8
|V
CC
V
EE
|
45
80
25
50
-40到+70
-40至+85
-65到+150
108
86
41.6
35.2
5.0
4.0
225
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
q
JC
T
SOL
热阻（结到外壳）
波峰焊
7.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
8. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源） 。
9. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
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5
QQ：2880707522 复制
