NBSG72A
2.5V / 3.3V的SiGe差分
2× 2交叉点开关
与输出电平选择
该NBSG72A是一个高带宽的全差分2× 2
交叉点开关和输出电平选择（ OLS ）的能力。这是
在GigaComm 系列高性能硅的一部分
锗产品。该装置被装在一个低轮廓3× 3毫米
16引脚QFN封装。
差分输入包括内部50
W
终端电阻
并接受NECL （负ECL ） ， PECL （正ECL ）
LVCMOS / LVTTL ， CML或LVDS 。 OLS的输入用于
编程介于0毫伏和峰 - 峰输出振幅
800 mV的五个连续的步骤。在选择输入单端
并且可以被驱动以任LVECL或LVCMOS / LVTTL
输入电平。
特点
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记号
图*
1
1
QFN16
MN后缀
CASE 485G
最大输入时钟频率> 7 GHz的典型
最大输入数据速率> 7 Gb / s的典型
200 ps的典型传播延迟（ OLS = FLOAT ）
55/45 PS典型的上升/下降时间（ OLS = FLOAT ）
可选的摆幅PECL输出与操作范围：
V
CC
= 2.375 V至3.465 V与V
EE
= 0 V
可选的摇摆NECL输出与NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
=
2.375
V到
3.465
V
可选输出电压（ 0毫伏， 200毫伏， 400毫伏， 600毫伏或
800 mV峰峰值输出）
50
W
内部输入终端电阻
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第13页上。
单端LVECL或LVCMOS / LVTTL输入选择
（拉美经济体系， SELB ）
无铅包可用
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年11月
启5
1
出版订单号：
NBSG72A/D
16
SG
72A
ALYWG
G
NBSG72A
V
CC
16
V
TD0
D0
D0
拉美经济体系
1
2
NBSG72A
3
4
5
V
EE
6
D1
7
D1
8
V
TD1
Q0
15
Q0
14
OLS
13
12 V
CC
11 Q1
10 Q1
9
SELB
裸露焊盘（ EP ）
图1. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
PIN号
1
2
名字
VTD0
D0
I / O
LVDS ，CML， ECL，
LVTTL ， LVCMOS
输入
LVDS ，CML， ECL，
LVTTL ， LVCMOS
输入
LVECL ， LVCMOS
输入
LVDS ，CML， ECL，
LVTTL ， LVCMOS
输入
LVDS ，CML， ECL，
LVTTL ， LVCMOS
输入
LVECL ， LVCMOS
输入
RSECL输出
RSECL输出
输入
RSECL输出
RSECL输出
倒差分输入0 。
描述
常见的内部50
W
终止引脚为D0和D0输入。见表4。（注1 ）
3
D0
反的差分输入0 。
4
5
6
拉美经济体系
V
EE
D1
中选择逻辑输入A.内部75 kW的下拉到V
EE
.
负电源。所有V
EE
引脚必须从外部连接到电源到
保证正常运行。
倒差分输入1 。
7
D1
8
9
VTD1
SELB
Q1
Q1
10
11
12
13
14
15
16
V
CC
OLS
（注2 ）
Q0
Q0
V
CC
EP
1.在当输入端接端子（ VTD0 ， VTD1 ）被连接到一个共同的终止电压的差动结构，并且如果没有信号
被施加，则设备将是容易的自激振荡。
2.当在400毫伏的输出电平是所希望的和V
CC
V
EE
> 3.0V， 2千瓦的电阻应该从OLS引脚连接到V
EE
.
反的差分输入1 。
常见的内部50
W
终止引脚为D1和D1输入。见表4。（注1 ）
选择逻辑输入B.内部75千瓦下拉到V
EE
.
反的差分输出。
倒差分输出。
正电源。所有V
CC
引脚必须从外部连接到电源到
保证正常运行。
输入引脚的输出电平选择（ OLS ），见表3 。
反的差分输出通常情况下终止50
W
电阻
V
TT
= V
CC
2.0 V.
倒差分输出通常情况下终止50
W
电阻
V
TT
= V
CC
2.0 V.
正电源。所有V
CC
引脚必须从外部连接到电源到
保证正常运行。
裸露焊盘。在封装底部的裸露热焊盘（见案例图）
必须被附连到一个散热导管。
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2
NBSG72A
VTD0
D0
D0
D1
D1
50
W
VTD1
拉美经济体系
75千瓦
2
SELB
75千瓦
OLS
2
50
W
2
2
2
Q1
Q1
V
CC
V
EE
2
2
50
W
50
W
2
2
2
Q0
Q0
+
表2.真值表
拉美经济体系
低
高
低
高
SELB
低
低
高
高
Q0
D0
D1
D0
D1
Q1
D0
D0
D1
D1
图2.逻辑/框图
表3.输出电平选择（ OLS ）
OLS
V
CC
V
CC
0.4 V
V
CC
0.8 V
V
CC
1.2 V
V
EE
（注3）
FL燕麦
输出幅度（V
OUTpp
)
800毫伏
200毫伏
600毫伏
0
400毫伏
600毫伏
OLS灵敏度
OLS
75毫伏
OLS
±
150毫伏
OLS
±
100毫伏
OLS
±
75毫伏
OLS
±
100毫伏
不适用
3.当在400毫伏的输出电平是所希望的和V
CC
V
EE
> 3.0 V，一个2千瓦的电阻应该从OLS连接到V
EE
.
表4.接口选择
接口选择
CML
LVDS
交流耦合
RSECL ， PECL ， NECL
LVCMOS / LVTTL
连接VTD0和VTD1到V
CC
VTD0和VTD1应悬空。
偏VTD0和VTD1内输入共模范围（ VIHCMR ）
标准ECL终止技术
外部电压，应适用于未使用的互补差分输入。
额定电压为1.5 V的LVTTL和V
CC
/ 2 LVCMOS输入。
连接
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3
NBSG72A
表5. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻（拉美经济体系， SELB ）
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
＆ GT ; 2千伏
> 50 V
＆ GT ; 1千伏
LEVEL 1
氧指数：28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
436
湿度敏感度（注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
表6.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
OUT
I
IN
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压| D
X
D
X
|
输出电流
输入电流过R
T
(50
W
电阻器）
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注2 ）
热阻（结到外壳）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
（注2 ）
< 3秒@ 260℃
< 3秒@ 260℃
QFN16
QFN16
QFN16
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
V
CC
w
2.8 V
V
EE
V
CC
t
2.8 V
连续
浪涌
STATIC
浪涌
V
I
V
CC
V
I
V
EE
条件2
等级
3.6
3.6
3.6
3.6
2.8
|V
CC
V
EE
|
25
50
45
80
40
+85
65
+150
42
35
4
265
265
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
2. JEDEC标准多层电路板
1S2P （ 1信号， 2个电源） 。
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4
NBSG72A
表7.直流特性，输入，输出PECL
V
CC
= 2.5 V; V
EE
= 0V （注3）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
负电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
（ OLS = V
CC
)
（ OLS = V
CC
0.4 V)
（ OLS = V
CC
0.8 V， OLS = FLOAT ）
（ OLS = V
CC
1.2 V)
（ OLS = V
EE
)
输出电压幅值
（ OLS = V
CC
)
（ OLS = V
CC
0.4 V)
（ OLS = V
CC
0.8 V， OLS = FLOAT ）
（ OLS = V
CC
1.2 V)
（ OLS = V
EE
)
输入高电压（单端）
（注6 ）
D0, D0, D1, D1
输入低电压（单端）
（注7 ）
D0, D0, D1, D1
输入高电压共模
范围（差分配置） （注5 ）
内部输入终端电阻
输入大电流（ @V
IH
)
低输入电流（ @V
IL
)
670
125
510
0
325
V
EE
+
1275
V
EE
1.2
45
50
35
20
800
215
615
5
415
V
CC
1000*
V
CC
1400*
V
CC
V
IH
150
2.5
55
100
100
660
120
505
0
320
V
EE
+
1275
V
EE
1.2
45
50
35
20
795
210
610
0
410
V
CC
1000*
V
CC
1400*
V
CC
V
IH
150
2.5
55
100
100
655
120
500
0
320
V
EE
+
1275
V
EE
1.2
45
50
35
20
790
210
605
5
410
V
CC
1000*
V
CC
1400*
V
CC
V
IH
150
2.5
55
100
100
mV
mV
V
W
mA
mA
555
1235
775
1455
1005
705
1295
895
1505
1095
855
1385
1015
1585
1215
595
1270
810
1490
1040
745
1330
930
1540
1130
895
1420
1050
1620
1250
625
1295
840
1510
1065
775
1355
960
1560
1155
925
1445
1080
1640
1275
mV
民
40
1460
典型值
55
1510
最大
65
1560
民
40
1490
25°C
典型值
55
1540
最大
65
1590
民
40
1515
85°C
典型值
55
1565
最大
65
1615
单位
mA
mV
mV
V
OUTpp
V
IH
V
IL
V
IHCMR
R
TIN
I
IH
I
IL
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
*用于测试目的的标准结构。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至
0.965
V.
4.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
6. V
IH
不能超过V
CC
.
7. V
IL
总是
w
V
EE
.
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
