NBSG16VS
2.5V / 3.3V的SiGe差分
接收器/驱动器
可变输出摆幅
描述
1
QFN16
MN后缀
CASE 485G
特点
最大输入时钟频率高达12 GHz的典型
最大输入数据速率高达12 Gb / s的典型
40 ps的典型的上升和下降时间（V
CTRL
= V
CC
1 V)
120 ps的典型传播延迟（V
CTRL
= V
CC
1 V)
变摆幅PECL输出与操作范围： V
CC
= 2.375 V至
3.465 V与V
EE
= 0 V
可变摇摆NECL输出与NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
输出电平（ 100 mV至750 mV峰峰值输出;
V
CC
V
EE
= 3.0 V至3.465 V） ，差分输出仅
50
W
内部输入终端电阻
兼容现有的2.5 V / 3.3 V EP设备
V
BB
和V
MM
参考电压输出
无铅包可用
A
L
Y
W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第12页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 启示录7
出版订单号：
NBSG16VS/D
该NBSG16VS是一个差分接收器/驱动器针对高
频率应用要求可变的输出摆幅。该装置
在功能上等同于EP16VS器件高得多的
的带宽和更低的EMI性能。这个设备可以用于
应用驱动VCSEL激光器。
输入包括内部50
W
终端电阻并接受
NECL （负ECL ） ， PECL （正ECL ） ， LVTTL ， LVCMOS ，
CML或LVDS 。输出振幅由施加电压来改变
于V
CTRL
输入引脚。输出变量摆幅ECL从100毫伏
750 mV的幅度，优化操作从V
CC
V
EE
=
3.0 V至3.465 V.
在V
BB
和V
MM
引脚在内部产生的电压供应
仅可用于该设备。在V
BB
被用作参考电压
单端NECL或PECL输入和V
MM
引脚被用作一个
参考电压LVCMOS输入。对于单端输入
操作中，未使用的互补差分输入端被连接到
V
BB
或V
MM
作为切换基准电压。 V
BB
或V
MM
还可以
rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
MM
通过
0.01
mF
电容和限制电流源或下沉到0.5毫安。
当不使用时，V
BB
和V
MM
输出端应保持开路。
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标记DIAGRAMS *
SG
11
ALYW
FCBGA16
BA后缀
CASE 489
16
SG
16VS
ALYWG
G
NBSG16VS
1
A
V
EE
2
NC
3
V
CTRL
4
V
EE
V
EE
16
VTD
V
BB
V
MM
15
14
V
EE
13
裸露焊盘（ EP ）
1
2
NBSG16VS
3
4
12
11
10
9
V
CC
Q
Q
V
CC
B
D
VTD
V
CC
Q
D
Q
C
D
VTD
V
CC
D
VTD
D
V
EE
V
BB
V
MM
V
EE
5
V
EE
6
7
8
NC V
CTRL
V
EE
图1. BGA- 16引脚
（ TOP VIEW ）
图2. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
BGA
C2
C1
QFN
1
2
名字
VTD
D
I / O
ECL ，CML
LVCMOS ，
LVDS ，
LVTTL
输入
ECL ，CML
LVCMOS ，
LVDS ，
LVTTL
输入
描述
内部50
W
终止引脚。见表2 。
倒差分输入。内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
B1
3
D
反的差分输入。内部75千瓦到V
EE
.
B2
A1,D1,A4,
D4
A2
A3
B3,C3
B4
C4
D3
D2
不适用
4
5,8,13,16
6
7
9,12
10
11
14
15
VTD
V
EE
NC
V
CTRL
V
CC
Q
Q
V
MM
V
BB
EP
内部50
W
终止引脚。见表2 。
负电源电压
无连接
输出摆幅控制。旁路引脚到V
CC
通过0.1
mF
电容。
RSECL
产量
RSECL
产量
正电源电压
反的差分输出。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V
倒差分输出。通常情况下终止50
W
到V
TT
= V
CC
2 V
LVCMOS的参考电压输出。 （V
CC
V
EE
)/2
ECL参考电压输出
裸露焊盘。 （注2 ）
1. NC表示从电连接到所述模具，并且必须保持打开状态。
2.所有V
CC
和V
EE
引脚必须从外部连接到电源，以保证正常运行。包装上的裸露热焊盘
底部（参见壳体图纸）必须被连接到一个散热导管。
3.当输入端接端子（ VTD ， VTD ）被连接到一个共同的终止电压的差动结构，并且如果没有信号
被施加，则设备将是容易的自激振荡。
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2
NBSG16VS
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻（ D，D ）
内部输入上拉电阻（D ）
ESD保护
湿气敏感度（注4 ）
FCBGA16
QFN16
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
4.有关其它信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
人体模型
机器型号
铅PKG
LEVEL 3
LEVEL 1
价值
75千瓦
36.5千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 100 V
无铅PKG
不适用
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
192
表4.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
OUT
I
IN
I
BB
I
MM
T
A
T
英镑
q
JA
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压
输出电流
输入电流过R
T
(50
W
电阻器）
V
BB
吸入/源
V
MM
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注5 ）
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
2S2P （注5）
2S2P （注6 ）
16 FCBGA
16 FCBGA
16 QFN
16 QFN
16 FCBGA
16 QFN
|D D|
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
CC
V
EE
w
2.8 V
V
CC
V
EE
t
2.8 V
连续
浪涌
STATIC
浪涌
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
3.6
3.6
3.6
3.6
2.8
|V
CC
V
EE
|
25
50
45
80
1
1
-40至+85
-65到+150
108
86
41.6
35.2
5.0
4.0
225
225
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
q
JC
T
SOL
热阻（结到外壳）
波峰焊
Pb
无铅
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
5. JEDEC标准51-6多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源） 。
6. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
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4
NBSG16VS
表5. DC特性，输入，带可变PECL输出
V
CC
= 2.5 V; V
EE
= 0 V （注7 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
负电源电流
输出高电压（注8）
输出低电压（注8）
（最大回转）
(V
CTRL
= V
CC
- 600毫伏）
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
输入高电压
（单端） （注10和11）
输入低电压
（单端）（注10和图12）
PECL输出电压参考值
输入高电压共模
范围内（注9 ）
（差分配置）
CMOS输出电压参考值
(V
CC
V
EE
)/2
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
645
1090
V
THR
+ 75
V
IH
2500
1080
1.2
765
1210
V
CC
1000*
V
CC
1400*
1140
885
1330
V
CC
V
THR
75
1200
2.5
605
1035
V
THR
+ 75
V
IH
2500
1080
1.2
725
1155
V
CC
1000*
V
CC
1400*
1140
845
1275
V
CC
V
THR
75
1200
2.5
600
1010
V
THR
+ 75
V
IH
2500
1080
1.2
720
1130
V
CC
1000*
V
CC
1400*
1140
840
1250
V
CC
V
THR
75
1200
2.5
mV
mV
mV
V
民
18
1315
典型值
25
1440
最大
32
1565
民
18
1305
25°C
典型值
25
1430
最大
32
1555
民
18
1305
85°C
典型值
25
1430
最大
32
1555
单位
mA
mV
mV
V
MM
R
TIN
I
IH
I
IL
mV
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
W
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
*用于测试目的的标准结构。
7.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至-0.965 V.
8.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V. V
OH
/V
OL
测量V
IH
/V
IL
.
9. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10. V
THR
时的电压施加到互补输入，通常为V
BB
或V
MM
. V
THR （MIN）
= V
IHCMR
+ 75毫伏。 V
THR （MAX）中
= V
IHCMR
= 75毫伏。
11. V
IH
不能超过V
CC
.
12. V
IL
总是
w
V
EE
.
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5
QQ：2880707522 复制
