NBSG16M
2.5 V / 3.3 V输入多级
到CML时钟/数据
接收器/驱动器/转换器
卜FF器
描述
http://onsemi.com
记号
图*
16
1
该NBSG16M是一个差分电流模式逻辑（CML ）
接收器/驱动器/翻译器缓存。该装置在功能上等同
到EP16 ， LVEP16 ，或CML输出结构SG16设备和
降低电磁干扰的能力。
输入包括内部50
W
终端电阻并接受
LVNECL （负ECL ） ， LVPECL （正ECL ） ， LVTTL ，
LVCMOS ， CML或LVDS 。 CML输出结构包含
内部50
W
源端接电阻到V
CC
。该装置
产生400毫伏的输出振幅50
W
接收器电阻
V
CC
.
在V
BB
引脚在内部生成的电源可用此电压
唯一设备。对于所有的单端输入条件，未使用
互补的差分输入端被连接到V
BB
作为开关
基准电压。 V
BB
还可以rebias AC耦合输入。当
使用去耦V
BB
通过0.01
mF
电容和限制电流源
或下沉到0.5毫安。当不使用时，V
BB
输出应悬空。
特点
1
QFN16
MN后缀
CASE 485G
SG
16M
ALYW
G
G
A
L
Y
W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
最大输入时钟频率> 10 GHz的典型
最大输入数据速率> 10 Gb / s的典型
120 ps的典型传播延迟
35 ps的典型的上升和下降时间
正CML输出与操作范围：
V
CC
= 2.375 V至3.465 V与V
EE
= 0 V
负CML输出与RSNECL或NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
=
2.375
V到
3.465
V
CML输出电平; 400 mV峰峰值输出与
50
W
接收器电阻到V
CC
50
W
内部输入和输出端接电阻
兼容现有的2.5 V / 3.3 V LVEP ， EP ， LVEL
和SG设备
V
BB
参考电压输出
无铅包可用
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年4月，
启5
1
出版订单号：
NBSG16M/D
NBSG16M
V
CC
V
BB
16
VTD
D
D
VTD
1
2
NBSG16M
3
4
5
V
CC
6
NC
7
V
EE
8
V
EE
10
9
Q
V
CC
15
V
EE
14
V
EE
13
12
11
裸露焊盘（ EP ）
V
CC
Q
图1. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
V
TD
D
D
I / O
描述
LVDS ， CML ， ECL ， LVTTL ，
LVCMOS输入
LVDS ， CML ， ECL ， LVTTL ，
LVCMOS输入
CML输出
CML输出
V
TD
V
CC
NC
V
EE
V
EE
V
CC
Q
Q
V
CC
V
EE
V
EE
V
BB
V
CC
EP
1. NC引脚电连接到所述模具，并且必须保持打开状态。
2. CML输出需要50
W
接收端接电阻到V
CC
正确操作。
3.在差分配置中，当输入端接端子（Ⅴ
TD
, V
TD
）被连接到一个共同的终止电压，如果没有信号
被施加，则设备将是容易的自激振荡。
倒差分输入（注3 ）
反的差分输入。 （注3）
内部50
W
终止引脚。见表2 （注3）
正电源电压。所有V
CC
引脚必须从外部连接到电源供应器，以瓜尔
antee正确操作。
无连接（注1 ）
负电源电压。所有V
EE
引脚必须从外部连接到电源供应器，以瓜尔
antee正确操作。
负电源电压。所有V
EE
引脚必须从外部连接到电源供应器，以瓜尔
antee正确操作。
正电源电压。所有V
CC
引脚必须从外部连接到电源供应器，以瓜尔
antee正确操作。
反的CML差分输出，内置50
W
源端接电阻器。 （注2 ）
倒CML差分输出，内置50
W
源端接电阻器。 （注2 ）
正电源电压。所有V
CC
引脚必须从外部连接到电源供应器，以瓜尔
antee正确操作。
负电源电压。所有V
EE
引脚必须从外部连接到电源供应器，以瓜尔
antee正确操作。
负电源电压。所有V
EE
引脚必须从外部连接到电源供应器，以瓜尔
antee正确操作。
内部产生的ECL参考输出电压
正电源电压。所有V
CC
引脚必须从外部连接到电源供应器，以瓜尔
antee正确操作。
裸露焊盘。热裸露焊盘（ EP ）的封装底部（见案例图）绝
被连接到一个散热导管。
内部50
W
终止引脚。见表2 （注3）
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2
NBSG16M
V
CC
V
CC
VTD
50
W
D
D
50
W
VTD
V
BB
16毫安
V
EE
V
EE
50
W
50
W
Q
Q
50
W
50
W
Q
Q
图2.逻辑图
图3. CML输出结构
表2.接口选择
接口选择
CML
LVDS
交流耦合
RSECL ， PECL ， NECL
LVTTL ， LVCMOS
连接
连接VTD和VTD到V
CC
连接VTD和VTD一起
偏置VTD和VTD内输入（V
IHCMR
)
共模范围
标准ECL终止技术
外部电压应当施加到
未使用的互补差分输入。
额定电压1.5 V的LVTTL和V
CC
/ 2为
LVCMOS输入。
表3，属性
特征
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
价值
＆ GT ; 1千伏
＆ GT ; 100 V
＆ GT ; 4千伏
无铅PKG
LEVEL 1
湿气敏感度，不定超时Drypack （注4 ）
QFN16
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
氧指数：28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
145
4.其它湿度敏感的信息，请参考应用笔记AND8003 / D 。
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3
NBSG16M
表4.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
IN
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压| D
D|
输入电流过R
T
(50
W
电阻器）
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注5 ）
热阻（结到外壳）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
1S2P （注5）
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
QFN16
QFN16
QFN16
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
CC
V
EE
w
2.8 V
V
CC
V
EE
< 2.8 V
STATIC
浪涌
连续
浪涌
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
3.6
3.6
3.6
3.6
2.8
|V
CC
V
EE
|
45
80
25
50
1.0
40
+85
65
+150
42
35
4.0
265
265
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会
影响器件的可靠性。
5. JEDEC标准多层电路板
1S2P （ 1信号， 2个电源）
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4
NBSG16M
表5. DC特性，正CML输出
V
CC
= 2.5 V; V
EE
= 0 V （注6 ）
40°C
符号
I
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注6 ）
输入高电压
（单端） （注8）
输入低电压
（单端） （注8）
ECL参考电压输出
输入高电压共模
范围（注8 ）
（差分配置）
内部输入终端电阻
内部输出端接
电阻器
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
V
EE
+
1.275
V
EE
1075
1.2
民
37
V
CC
40
典型值
43
V
CC
10
V
CC
400
V
CC
1.0*
V
CC
1.4*
1170
最大
51
V
CC
V
CC
330
V
CC
V
IH
0.150
1265
2.5
V
EE
+
1.275
V
EE
1075
1.2
民
37
V
CC
40
25°C
典型值
43
V
CC
10
V
CC
400
V
CC
1.0*
V
CC
1.4*
1170
最大
51
V
CC
V
CC
330
V
CC
V
IH
0.150
1265
2.5
V
EE
+
1..275
V
EE
1075
1.2
民
37
V
CC
40
85°C
典型值
43
V
CC
10
V
CC
400
V
CC
1.0*
V
CC
1.4*
1170
最大
51
V
CC
V
CC
330
V
CC
V
IH
0.150
1265
2.5
单位
mA
mV
mV
V
V
mV
V
R
TIN
R
TOUT
I
IH
I
IL
45
45
50
50
60
25
55
55
100
50
45
45
50
50
60
25
55
55
100
50
45
45
50
50
60
25
55
55
100
50
W
W
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至
0.965
V.
7.所有装载50
W
到V
CC
.
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是参照differen-最正侧
TiAl金属的输入信号。
*用于测试目的的标准结构。
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