NBSG16
2.5V / 3.3V的SiGe差分
接收器/驱动器
RSECL *输出
*低摆幅ECL
http://onsemi.com
该NBSG16是一个差分接收器/驱动器针对高
频率的应用。该装置在功能上等同于
EP16和LVEP16设备具有更高的带宽和更低的
电磁干扰的能力。
输入包括内部50
W
终端电阻并接受
NECL （负ECL ） ， PECL （正ECL ） ， HSTL ， LVTTL ，
LVCMOS ， CML或LVDS 。输出RSECL （低摆幅
电致化学发光），400毫伏。
在V
BB
和V
MM
引脚在内部产生的电压供应
仅可用于该设备。在V
BB
被用作参考电压
单端NECL或PECL输入和V
MM
引脚被用作一个
参考电压LVCMOS输入。对于所有的单端输入
的条件下，未使用的互补差分输入端被连接
到V
BB
或V
MM
作为切换基准电压。 V
BB
或V
MM
五月
也rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
MM
通过0.01
mF
电容和限制电流源或下沉到0.5毫安。
当不使用时，V
BB
和V
MM
输出端应保持开路。
记号
图*
SG
16
LYW
FCBGA-16
BA后缀
CASE 489
QFN-16
MN后缀
CASE 485G
SG16
ALYW
最大输入时钟频率> 12 GHz的典型
最大输入数据速率> 12 Gb / s的典型
120 ps的典型传播延迟
40 ps的典型的上升和下降时间
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关详细信息，请参考应用笔记
AND8002/D
RSPECL输出与操作范围： V
CC
= 2.375 V至3.465 V
随着V
EE
= 0 V
RSNECL输出与RSNECL或NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
RSECL输出电平（ 400 mV峰峰值输出） ，微分
只有输出
50
W
内部输入终端电阻
订购信息
设备
NBSG16BA
NBSG16BAR2
包
4×4毫米
FCBGA-16
4×4毫米
FCBGA-16
3×3毫米
QFN-16
3×3毫米
QFN-16
航运
100单位/托盘
500 /磁带&卷轴
兼容现有的2.5 V / 3.3 V LVEP ， EP和LVEL设备
V
BB
和V
MM
参考电压输出
NBSG16MN
NBSG16MNR2
123单位/铁
3000 /磁带&卷轴
板
NBSG16BAEVB
描述
NBSG16BA评估板
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年5月 - 12牧师
出版订单号：
NBSG16/D
NBSG16
1
A
V
EE
2
NC
3
NC
4
V
EE
V
EE
V
BB
16
VTD
15
V
MM
V
EE
14
13
裸露焊盘（ EP ）
1
2
NBSG16
3
4
12
11
10
9
V
CC
Q
Q
V
CC
B
D
VTD
V
CC
Q
D
D
VTD
C
D
VTD
V
CC
Q
D
V
EE
V
BB
V
MM
V
EE
5
V
EE
6
NC
7
NC
8
V
EE
图1. BGA- 16引脚
（ TOP VIEW ）
图2. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
BGA
C2
C1
QFN
1
2
名字
VTD
D
I / O
-
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
-
-
-
-
RSECL输出
RSECL输出
-
-
-
描述
内部50
W
终止引脚。见表2 。
倒差分输入。内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
B1
3
D
反的差分输入。内部75千瓦到V
EE
.
B2
A1,D1,A4,
D4
A2,A3
B3,C3
B4
C4
D3
D2
不适用
4
5,8,13,16
6,7
9,12
10
11
14
15
-
VTD
V
EE
NC
V
CC
Q
Q
V
MM
V
BB
EP
内部50
W
终止引脚。见表2 。
负电源电压
无连接
正电源电压
反的差分输出。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
- 2 V
倒差分输出。通常情况下终止50
W
到V
TT
= V
CC
- 2 V
LVCMOS的参考电压输出。 （V
CC
- V
EE
)/2
ECL参考电压输出
裸露焊盘。 （注2 ）
1. NC引脚电连接到所述模具，并且必须保持打开状态。
2.所有V
CC
和V
EE
引脚必须从外部连接到电源，以保证正常运行。包装上的裸露热焊盘
底部（参见壳体图纸）必须被连接到一个散热导管。
3.当输入端接端子（ VTD ， VTD ）被连接到一个共同的终止电压的差动结构，并且如果没有信号
被施加，则设备将是容易的自激振荡。
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2
NBSG16
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻（ D，D ）
内部输入上拉电阻（D ）
ESD保护
湿度敏感度（注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
人体模型
机器型号
FCBGA-16
QFN-16
氧指数：28 34
价值
75千瓦
36.5千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 100 V
LEVEL 3
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
167
表4.最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
OUT
I
BB
I
MM
T
A
T
英镑
q
JA
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
V
MM
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注3）
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
1S2P （注3）
2S2P （注4 ）
< 15秒。
16 FCBGA
16 FCBGA
16 QFN
16 QFN
16 FCBGA
16 QFN
|D - D|
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
CC
- V
EE
w
V
CC
- V
EE
＆ LT ;
连续
浪涌
2.8 V
2.8 V
V
I
V
CC
V
I
V
EE
条件2
等级
3.6
-3.6
3.6
-3.6
2.8
|V
CC
- V
EE
|
25
50
1
1
-40至+85
-65到+150
108
86
41.6
35.2
5
4.0
225
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
q
JC
T
SOL
热阻（结到外壳）
波峰焊
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
3. JEDEC标准多层电路板 - 1S2P （ 1信号， 2个电源）
4. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
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4
NBSG16
表5. DC特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 2.5 V; V
EE
= 0V （注5）
-40
°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注6 ）
输出电压幅值
输入高电压
（单端） （注7 ）
输入低电压
（单端） （注7 ）
PECL输出电压参考值
输入高电压通用
模范围（注8 ）
（差分配置）
CMOS输出电压参考值
V
CC
/2
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
民
17
1450
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1080
1.2
典型值
23
1530
410
V
CC
-
1.0*
V
CC
-
1.4*
1140
最大
29
1575
525
V
CC
V
THR
-
75毫伏
1200
2.5
民
17
1525
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1080
1.2
25°C
典型值
23
1565
410
V
CC
-
1.0*
V
CC
-
1.4*
1140
最大
29
1600
525
V
CC
V
THR
-
75毫伏
1200
2.5
民
17
1550
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1080
1.2
85°C
典型值
23
1590
410
V
CC
-
1.0*
V
CC
-
1.4*
1140
最大
29
1625
525
V
CC
V
THR
-
75毫伏
1200
2.5
单位
mA
mV
mV
V
V
mV
V
V
MM
R
TIN
I
IH
I
IL
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
mV
W
mA
mA
注： SiGe半导体电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至-0.965 V.
6.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
7. V
THR
时的电压施加到互补输入，通常为V
BB
或V
MM
.
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
*用于测试目的的标准结构。
表6.直流特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 3.3 V; V
EE
= 0 V （注9 ）
-40
°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注10 ）
输出电压幅值
输入高电压
（单端） （注11 ）
输入低电压
（单端） （注11 ）
PECL输出电压参考值
输入高电压通用
模范围（注12 ）
（差分配置）
CMOS输出电压参考值
V
CC
/2
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
民
17
2250
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1880
1.2
典型值
23
2330
410
V
CC
-
1.0*
V
CC
-
1.4*
1940
最大
29
2375
525
V
CC
V
THR
-
75毫伏
2000
3.3
民
17
2325
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1880
1.2
25°C
典型值
23
2365
410
V
CC
-
1.0*
V
CC
-
1.4*
1940
最大
29
2400
525
V
CC
V
THR
-
75毫伏
2000
3.3
民
17
2350
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1880
1.2
85°C
典型值
23
2390
410
V
CC
-
1.0*
V
CC
-
1.4*
1940
最大
29
2425
525
V
CC
V
THR
-
75毫伏
2000
3.3
单位
mA
mV
mV
V
V
mV
V
V
MM
R
TIN
I
IH
I
IL
1500
45
1650
50
30
25
1800
55
100
50
1500
45
1650
50
30
25
1800
55
100
50
1500
45
1650
50
30
25
1800
55
100
50
mV
W
mA
mA
注： SiGe半导体电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变0.925 V至-0.165 V.
10.所有装载50
W
到V
CC
- 2.0 V.
11. V
THR
时的电压施加到互补输入，通常为V
BB
或V
MM
.
12. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
*用于测试目的的标准结构。
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5
NBSG16
2.5V / 3.3V的SiGe差分
接收器/驱动器
RSECL *输出
*低摆幅ECL
http://onsemi.com
该NBSG16是一个差分接收器/驱动器针对高
频率的应用。该装置在功能上等同于
EP16和LVEP16设备具有更高的带宽和更低的
电磁干扰的能力。
输入包括内部50
W
终端电阻并接受
NECL （负ECL ） ， PECL （正ECL ） ， HSTL ， LVTTL ，
LVCMOS ， CML或LVDS 。输出RSECL （低摆幅
电致化学发光），400毫伏。
在V
BB
和V
MM
引脚在内部产生的电压供应
仅可用于该设备。在V
BB
被用作参考电压
单端NECL或PECL输入和V
MM
引脚被用作一个
参考电压LVCMOS输入。对于所有的单端输入
的条件下，未使用的互补差分输入端被连接
到V
BB
或V
MM
作为切换基准电压。 V
BB
或V
MM
五月
也rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
MM
通过0.01
mF
电容和限制电流源或下沉到0.5毫安。
当不使用时，V
BB
和V
MM
输出端应保持开路。
记号
图*
SG
16
LYW
FCBGA-16
BA后缀
CASE 489
QFN-16
MN后缀
CASE 485G
SG16
ALYW
最大输入时钟频率> 12 GHz的典型
最大输入数据速率> 12 Gb / s的典型
120 ps的典型传播延迟
40 ps的典型的上升和下降时间
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关详细信息，请参考应用笔记
AND8002/D
RSPECL输出与操作范围： V
CC
= 2.375 V至3.465 V
随着V
EE
= 0 V
RSNECL输出与RSNECL或NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
RSECL输出电平（ 400 mV峰峰值输出） ，微分
只有输出
50
W
内部输入终端电阻
订购信息
设备
NBSG16BA
NBSG16BAR2
包
4×4毫米
FCBGA-16
4×4毫米
FCBGA-16
3×3毫米
QFN-16
3×3毫米
QFN-16
航运
100单位/托盘
500 /磁带&卷轴
兼容现有的2.5 V / 3.3 V LVEP ， EP和LVEL设备
V
BB
和V
MM
参考电压输出
NBSG16MN
NBSG16MNR2
123单位/铁
3000 /磁带&卷轴
板
NBSG16BAEVB
描述
NBSG16BA评估板
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年5月 - 12牧师
出版订单号：
NBSG16/D
NBSG16
1
A
V
EE
2
NC
3
NC
4
V
EE
V
EE
V
BB
16
VTD
15
V
MM
V
EE
14
13
裸露焊盘（ EP ）
1
2
NBSG16
3
4
12
11
10
9
V
CC
Q
Q
V
CC
B
D
VTD
V
CC
Q
D
D
VTD
C
D
VTD
V
CC
Q
D
V
EE
V
BB
V
MM
V
EE
5
V
EE
6
NC
7
NC
8
V
EE
图1. BGA- 16引脚
（ TOP VIEW ）
图2. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
BGA
C2
C1
QFN
1
2
名字
VTD
D
I / O
-
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
-
-
-
-
RSECL输出
RSECL输出
-
-
-
描述
内部50
W
终止引脚。见表2 。
倒差分输入。内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
B1
3
D
反的差分输入。内部75千瓦到V
EE
.
B2
A1,D1,A4,
D4
A2,A3
B3,C3
B4
C4
D3
D2
不适用
4
5,8,13,16
6,7
9,12
10
11
14
15
-
VTD
V
EE
NC
V
CC
Q
Q
V
MM
V
BB
EP
内部50
W
终止引脚。见表2 。
负电源电压
无连接
正电源电压
反的差分输出。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
- 2 V
倒差分输出。通常情况下终止50
W
到V
TT
= V
CC
- 2 V
LVCMOS的参考电压输出。 （V
CC
- V
EE
)/2
ECL参考电压输出
裸露焊盘。 （注2 ）
1. NC引脚电连接到所述模具，并且必须保持打开状态。
2.所有V
CC
和V
EE
引脚必须从外部连接到电源，以保证正常运行。包装上的裸露热焊盘
底部（参见壳体图纸）必须被连接到一个散热导管。
3.当输入端接端子（ VTD ， VTD ）被连接到一个共同的终止电压的差动结构，并且如果没有信号
被施加，则设备将是容易的自激振荡。
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2
NBSG16
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻（ D，D ）
内部输入上拉电阻（D ）
ESD保护
湿度敏感度（注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
人体模型
机器型号
FCBGA-16
QFN-16
氧指数：28 34
价值
75千瓦
36.5千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 100 V
LEVEL 3
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
167
表4.最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
OUT
I
BB
I
MM
T
A
T
英镑
q
JA
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
V
MM
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注3）
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
1S2P （注3）
2S2P （注4 ）
< 15秒。
16 FCBGA
16 FCBGA
16 QFN
16 QFN
16 FCBGA
16 QFN
|D - D|
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
CC
- V
EE
w
V
CC
- V
EE
＆ LT ;
连续
浪涌
2.8 V
2.8 V
V
I
V
CC
V
I
V
EE
条件2
等级
3.6
-3.6
3.6
-3.6
2.8
|V
CC
- V
EE
|
25
50
1
1
-40至+85
-65到+150
108
86
41.6
35.2
5
4.0
225
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
q
JC
T
SOL
热阻（结到外壳）
波峰焊
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
3. JEDEC标准多层电路板 - 1S2P （ 1信号， 2个电源）
4. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
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4
NBSG16
表5. DC特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 2.5 V; V
EE
= 0V （注5）
-40
°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注6 ）
输出电压幅值
输入高电压
（单端） （注7 ）
输入低电压
（单端） （注7 ）
PECL输出电压参考值
输入高电压通用
模范围（注8 ）
（差分配置）
CMOS输出电压参考值
V
CC
/2
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
民
17
1450
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1080
1.2
典型值
23
1530
410
V
CC
-
1.0*
V
CC
-
1.4*
1140
最大
29
1575
525
V
CC
V
THR
-
75毫伏
1200
2.5
民
17
1525
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1080
1.2
25°C
典型值
23
1565
410
V
CC
-
1.0*
V
CC
-
1.4*
1140
最大
29
1600
525
V
CC
V
THR
-
75毫伏
1200
2.5
民
17
1550
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1080
1.2
85°C
典型值
23
1590
410
V
CC
-
1.0*
V
CC
-
1.4*
1140
最大
29
1625
525
V
CC
V
THR
-
75毫伏
1200
2.5
单位
mA
mV
mV
V
V
mV
V
V
MM
R
TIN
I
IH
I
IL
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
mV
W
mA
mA
注： SiGe半导体电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至-0.965 V.
6.所有装载50
W
到V
CC
-2.0伏。
7. V
THR
时的电压施加到互补输入，通常为V
BB
或V
MM
.
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
*用于测试目的的标准结构。
表6.直流特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 3.3 V; V
EE
= 0 V （注9 ）
-40
°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注10 ）
输出电压幅值
输入高电压
（单端） （注11 ）
输入低电压
（单端） （注11 ）
PECL输出电压参考值
输入高电压通用
模范围（注12 ）
（差分配置）
CMOS输出电压参考值
V
CC
/2
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
民
17
2250
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1880
1.2
典型值
23
2330
410
V
CC
-
1.0*
V
CC
-
1.4*
1940
最大
29
2375
525
V
CC
V
THR
-
75毫伏
2000
3.3
民
17
2325
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1880
1.2
25°C
典型值
23
2365
410
V
CC
-
1.0*
V
CC
-
1.4*
1940
最大
29
2400
525
V
CC
V
THR
-
75毫伏
2000
3.3
民
17
2350
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1880
1.2
85°C
典型值
23
2390
410
V
CC
-
1.0*
V
CC
-
1.4*
1940
最大
29
2425
525
V
CC
V
THR
-
75毫伏
2000
3.3
单位
mA
mV
mV
V
V
mV
V
V
MM
R
TIN
I
IH
I
IL
1500
45
1650
50
30
25
1800
55
100
50
1500
45
1650
50
30
25
1800
55
100
50
1500
45
1650
50
30
25
1800
55
100
50
mV
W
mA
mA
注： SiGe半导体电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变0.925 V至-0.165 V.
10.所有装载50
W
到V
CC
- 2.0 V.
11. V
THR
时的电压施加到互补输入，通常为V
BB
或V
MM
.
12. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
*用于测试目的的标准结构。
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5
NBSG16
2.5V / 3.3V的SiGe差分
接收器/驱动器
RSECL *输出
*低摆幅ECL
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描述
标记DIAGRAMS *
1
QFN16
MN后缀
CASE 485G
特点
最大输入时钟频率> 12 GHz的典型
最大输入数据速率> 12 Gb / s的典型
120 ps的典型传播延迟
40 ps的典型的上升和下降时间
RSPECL输出与操作范围： V
CC
= 2.375 V至3.465 V
随着V
EE
= 0 V
RSNECL输出与RSNECL或NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
RSECL输出电平（ 400 mV峰峰值输出） ，微分
只有输出
50
W
内部输入终端电阻
兼容现有的2.5 V / 3.3 V LVEP ， EP和LVEL设备
V
BB
和V
MM
参考电压输出
无铅包可用
A
L
Y
W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 14牧师
出版订单号：
NBSG16/D
该NBSG16是一个差分接收器/驱动器针对高
频率的应用。该装置在功能上等同于
EP16和LVEP16设备具有更高的带宽和更低的
电磁干扰的能力。
输入包括内部50
W
终端电阻并接受
NECL （负ECL ） ， PECL （正ECL ） ， HSTL ， LVTTL ，
LVCMOS ， CML或LVDS 。输出RSECL （低摆幅
电致化学发光），400毫伏。
在V
BB
和V
MM
引脚在内部产生的电压供应
仅可用于该设备。在V
BB
被用作参考电压
单端NECL或PECL输入和V
MM
引脚被用作一个
参考电压LVCMOS输入。对于所有的单端输入
的条件下，未使用的互补差分输入端被连接
到V
BB
或V
MM
作为切换基准电压。 V
BB
或V
MM
五月
也rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
MM
通过0.01
mF
电容和限制电流源或下沉到0.5毫安。
当不使用时，V
BB
和V
MM
输出端应保持开路。
SG
16
ALYW
FCBGA16
BA后缀
CASE 489
16
SG
16
ALYWG
G
NBSG16
1
A
V
EE
2
NC
3
NC
4
V
EE
V
EE
V
BB
16
VTD
15
V
MM
V
EE
14
13
裸露焊盘（ EP ）
1
2
NBSG16
3
4
12
11
10
9
V
CC
Q
Q
V
CC
B
D
VTD
V
CC
Q
D
D
VTD
C
D
VTD
V
CC
Q
D
V
EE
V
BB
V
MM
V
EE
5
V
EE
6
NC
7
NC
8
V
EE
图1. BGA- 16引脚
（ TOP VIEW ）
图2. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
BGA
C2
C1
QFN
1
2
名字
VTD
D
I / O
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
RSECL输出
RSECL输出
描述
内部50
W
终止引脚。见表2 。
倒差分输入。内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
B1
3
D
反的差分输入。内部75千瓦到V
EE
.
B2
A1,D1,A4,
D4
A2,A3
B3,C3
B4
C4
D3
D2
不适用
4
5,8,13,16
6,7
9,12
10
11
14
15
VTD
V
EE
NC
V
CC
Q
Q
V
MM
V
BB
EP
内部50
W
终止引脚。见表2 。
负电源电压
无连接
正电源电压
反的差分输出。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V
倒差分输出。通常情况下终止50
W
到V
TT
= V
CC
2 V
LVCMOS的参考电压输出。 （V
CC
V
EE
)/2
ECL参考电压输出
裸露焊盘。 （注2 ）
1. NC引脚电连接到所述模具，并且必须保持打开状态。
2.所有V
CC
和V
EE
引脚必须从外部连接到电源，以保证正常运行。包装上的裸露热焊盘
底部（参见壳体图纸）必须被连接到一个散热导管。
3.当输入端接端子（ VTD ， VTD ）被连接到一个共同的终止电压的差动结构，并且如果没有信号
被施加，则设备将是容易的自激振荡。
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2
NBSG16
V
CC
VTD
50
W
D
D
50
W
VTD
75千瓦
36.5
KW
V
MM
Q
Q
75千瓦
V
BB
V
EE
图3.逻辑图
表2.接口选择
接口选择
CML
LVDS
交流耦合
RSECL ， PECL ， NECL
LVTTL
连接
连接VTD和VTD到V
CC
连接VTD和VTD一起
偏置VTD和VTD内输入（V
IHCMR
)
共模范围
标准ECL终止技术
外部电压应当施加到
未使用的互补差分输入。
额定电压为1.5 V的LVTTL 。
V
MM
应连接到未使用
互补差分输入。
LVCMOS
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻（ D，D ）
内部输入上拉电阻（D ）
ESD保护
湿度敏感度（注1 ）
FCBGA16
QFN16
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
人体模型
机器型号
铅PKG
LEVEL 3
LEVEL 1
价值
75千瓦
36.5千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 100 V
无铅PKG
不适用
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
167
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3
NBSG16
表4.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
OUT
I
BB
I
MM
T
A
T
英镑
q
JA
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压
输出电流
V
BB
吸入/源
V
MM
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注2 ）
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
1S2P （注2）
2S2P （注3）
16 FCBGA
16 FCBGA
16 QFN
16 QFN
16 FCBGA
16 QFN
|D D|
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
CC
V
EE
w
V
CC
V
EE
＆ LT ;
连续
浪涌
2.8 V
2.8 V
V
I
V
CC
V
I
V
EE
条件2
等级
3.6
3.6
3.6
3.6
2.8
|V
CC
V
EE
|
25
50
1
1
-40至+85
-65到+150
108
86
41.6
35.2
5
4.0
225
225
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
q
JC
T
SOL
热阻（结到外壳）
波峰焊
Pb
无铅
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
2. JEDEC标准多层电路板 - 1S2P （ 1信号， 2个电源）
3. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
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4
NBSG16
表5. DC特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 2.5 V; V
EE
= 0 V （注4 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注5 ）
输出电压幅值
输入高电压
（单端） （注6 ）
输入低电压
（单端） （注6 ）
PECL输出电压参考值
输入高电压通用
模范围（注7 ）
（差分配置）
CMOS输出电压参考值
V
CC
/2
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
民
17
1450
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1080
1.2
典型值
23
1530
410
V
CC
1.0*
V
CC
1.4*
1140
最大
29
1575
525
V
CC
V
THR
75毫伏
1200
2.5
民
17
1525
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1080
1.2
25°C
典型值
23
1565
410
V
CC
1.0*
V
CC
1.4*
1140
最大
29
1600
525
V
CC
V
THR
75毫伏
1200
2.5
民
17
1550
350
V
THR
+
75毫伏
V
EE
1080
1.2
85°C
典型值
23
1590
410
V
CC
1.0*
V
CC
1.4*
1140
最大
29
1625
525
V
CC
V
THR
75毫伏
1200
2.5
单位
mA
mV
mV
V
V
mV
V
V
MM
R
TIN
I
IH
I
IL
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
1100
45
1250
50
30
25
1400
55
100
50
mV
W
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
*用于测试目的的标准结构。
4.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至-0.965 V.
5.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
6. V
THR
时的电压施加到互补输入，通常为V
BB
或V
MM
.
7. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
