NBSG11
2.5V / 3.3V的SiGe 1:2
差分时钟驱动器
与RSECL *输出
*低摆幅ECL
http://onsemi.com
该NBSG11是1至2差分扇出缓冲器，用于优化
低偏移和超低抖动。
输入包括内部50
W
终端电阻并接受
NECL （负ECL ） ， PECL （正ECL ） ， CML ， LVCMOS ，
LVTTL或LVDS 。输出RSECL （低摆幅ECL ）
400毫伏。
记号
图*
SG
11
LYW
最大输入时钟频率
最多
12 GHz的典型
最大输入数据速率
最多
12 Gb / s的典型
30 ps的典型的上升和下降时间
125 ps的典型传播延迟
FCBGA-16
BA后缀
CASE 489
RSPECL输出与操作范围： V
CC
= 2.375 V至3.465 V
随着V
EE
= 0 V
RSNECL输出与RSNECL或NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
RSECL输出电平（ 400 mV峰峰值输出） ，微分
只有输出
50
W
内部输入终端电阻
QFN-16
MN后缀
CASE 485G
SG11
ALYW
兼容现有的2.5 V / 3.3 V LVEP ， EP和LVEL设备
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关详细信息，请参考应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
NBSG11BA
NBSG11BAR2
包
4×4毫米
FCBGA-16
4×4毫米
FCBGA-16
3×3毫米
QFN-16
3×3毫米
QFN-16
航运
100单位/托盘
500 /磁带&卷轴
NBSG11MN
NBSG11MNR2
123单位/铁
3000 /磁带&卷轴
板
NBSG11BAEVB
描述
NBSG11BA评估板
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年4月 - 6牧师
出版订单号：
NBSG11/D
NBSG11
1
A
VTCLK
2
NC
3
NC
4
Q1
V
EE
16
VTCLK
NC
15
NC
14
V
CC
13
裸露焊盘（ EP ）
1
2
NBSG11
3
4
12
11
10
9
Q0
Q0
Q1
Q1
B
CLK
V
EE
V
CC
Q1
CLK
Q0
C
CLK
V
EE
V
CC
CLK
VTCLK
D
VTCLK
NC
NC
Q0
5
V
EE
6
NC
7
NC
8
V
CC
图1. BGA- 16引脚
（ TOP VIEW ）
图2. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
BGA
D1
C1
QFN
1
2
名字
VTCLK
CLK
I / O
-
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
-
-
-
-
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
-
描述
内部50
W
终止引脚。见表2 。
倒差分输入。内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
B1
3
CLK
反的差分输入。内部75千瓦到V
EE
.
A1
B2,C2
A2,A3,D2,
D3
B3,C3
A4
B4
C4
D4
不适用
4
5,16
6,7,14,15
8,13
9
10
11
12
-
VTCLK
V
EE
NC
V
CC
Q1
Q1
Q0
Q0
EP
内部50
W
终止引脚。见表2 。
负电源电压
无连接
正电源电压
倒差分输出1.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
- 2 V
反的差分输出1.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
- 2 V
倒差分输出为0。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
- 2 V
反的差分输出为0。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
- 2 V
裸露焊盘（注2 ）
1. NC引脚电连接到所述模具，并且必须保持打开状态。
2.所有V
CC
和V
EE
引脚必须从外部连接到电源，以保证正常运行。包装上的裸露热焊盘
底部（参见壳体图纸）必须被连接到一个散热导管。
3.当输入端接端子（ VTCLK ， VTCLK ）被连接到一个共同的终止电压的差动结构，并
如果没有信号被施加，则设备将是容易的自激振荡。
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2
NBSG11
V
CC
VTCLK
36.5千瓦
50
W
CLK
CLK
50
W
VTCLK
V
EE
75千瓦
75千瓦
Q0
Q0
Q1
Q1
图3.逻辑图
表2.接口选择
接口选择
CML
LVDS
AC耦合
RSECL ， PECL ， NECL
LVTTL ， LVCMOS
连接
连接VTCLK和VTCLK到V
CC
连接VTCLK和VTCLK在一起
偏VTCLK并在VTCLK输入
（ VIHCMR ）共模范围
标准ECL终止技术
一个外部电压应当施加到
未使用的互补差分输入。
额定电压为1.5 V的LVTTL和V
CC
/2
为LVCMOS输入。
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻（ CLK ， CLK ）
内部输入上拉电阻（ CLK ）
ESD保护
湿气敏感度（注4 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
4.有关其它信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
人体模型
机器型号
FCBGA-16
QFN-16
氧指数：28 34
价值
75千瓦
36.5千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 100 V
LEVEL 3
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
125
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3
NBSG11
表4.最大额定值
（注5 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注6 ）
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
1S2P （注6）
2S2P （注7 ）
< 15秒
16 FCBGA
16 FCBGA
16 QFN
16 QFN
16 FCBGA
16 QFN
|D - D|
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
CC
- V
EE
w
V
CC
- V
EE
＆ LT ;
连续
浪涌
16 FCBGA
16 QFN
2.8 V
2.8 V
V
I
≤
V
CC
V
I
≥
V
EE
条件2
等级
3.6
-3.6
3.6
-3.6
2.8
|V
CC
- V
EE
|
25
50
-40到+70
-40至+85
-65到+150
108
86
41.6
35.2
5.0
4.0
225
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
q
JC
T
SOL
热阻（结到外壳）
波峰焊
5.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
6. JEDEC标准多层电路板 - 1S2P （ 1信号， 2个电源） 。
7. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
表5. DC特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 2.5 V; V
EE
= 0 V （注8 ）
-40
°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
特征
负电源电流
输出高电压（注9 ）
输出电压振幅
输入高电压（单端）
（注11 ）
输入低电压（单端）
（注12 ）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注10 ）
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
, V
IHMAX
)
低输入电流（ @ V
IL
, V
一部作品
)
民
45
1450
350
V
CC
-
1435
mV
V
IH
-
2.5 V
1.2
典型值
60
1530
410
V
CC
-
1000
毫伏*
V
CC
-
1400
毫伏*
最大
75
1575
525
V
CC
民
45
1525
350
V
CC
-
1435
mV
V
IH
-
2.5 V
1.2
25°C
典型值
60
1565
410
V
CC
-
1000
毫伏*
V
CC
-
1400
毫伏*
最大
75
1600
525
V
CC
70°C(BGA)/85°C(QFN)**
民
45
1550
350
V
CC
-
1435
mV
V
IH
-
2.5 V
1.2
典型值
60
1590
410
V
CC
-
1000
毫伏*
V
CC
-
1400
毫伏*
最大
75
1625
525
V
CC
单位
mA
mV
mV
V
V
IL
V
IH
-
150毫伏
2.5
V
IH
-
150
mV
2.5
V
IH
-
150
mV
2.5
V
V
IHCMR
V
R
TIN
I
IH
I
IL
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
W
mA
mA
注： SiGe半导体电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
8.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至-0.965 V.
9.所有装载50
W
到V
CC
- 2.0 V. V
OH
/V
OL
测量V
IH
/V
IL
.
10. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
11. V
IH
不能超过V
CC
.
12. V
IL
总是
≥
V
EE
.
*用于测试目的的标准结构。
**包装在FCBGA -16的装置，具有70 ° C和器件封装中的QFN -16的最高温度规范具有最大
温度规格为85 ℃。
http://onsemi.com
4
NBSG11
表6.直流特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 3.3 V; V
EE
= 0 V （注13 ）
-40
°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
特征
负电源电流
输出高电压（注14 ）
输出电压振幅
输入高电压（单端）
（注16 ）
输入低电压（单端）
（注17 ）
输入高电压共模
范围内（注15 ）
（差分配置）
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
, V
IHMAX
)
低输入电流（ @ V
IL
, V
一部作品
)
民
45
2250
350
V
CC
-
1435
mV
V
IH
-
2.5 V
1.2
典型值
60
2330
410
V
CC
-
1000
毫伏*
V
CC
-
1400
毫伏*
最大
75
2375
525
V
CC
民
45
2325
350
V
CC
-
1435
mV
V
IH
-
2.5 V
1.2
25°C
典型值
60
2365
410
V
CC
-
1000
毫伏*
V
CC
-
1400
毫伏*
最大
75
2400
525
V
CC
70°C(BGA)/85°C(QFN)**
民
45
2350
350
V
CC
-
1435
mV
V
IH
-
2.5 V
1.2
典型值
60
2390
410
V
CC
-
1000
毫伏*
V
CC
-
1400
毫伏*
最大
75
2425
525
V
CC
单位
mA
mV
mV
V
V
IL
V
IH
-
150
mV
3.3
V
IH
-
150
mV
3.3
V
IH
-
150
mV
3.3
V
V
IHCMR
V
R
TIN
I
IH
I
IL
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
W
mA
mA
注： SiGe半导体电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
13.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变0.925 V至-0.165 V.
14.所有装载50
W
到V
CC
- 2.0 V. V
OH
/V
OL
测量V
IH
/V
IL
.
15. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
16. V
IH
不能超过V
CC
.
17. V
IL
总是
≥
V
EE
.
*用于测试目的的标准结构。
**包装在FCBGA -16的装置，具有70 ° C和器件封装中的QFN -16的最高温度规范具有最大
温度规格为85 ℃。
http://onsemi.com
5
NBSG11
2.5V / 3.3V的SiGe 1:2
差分时钟驱动器
与RSECL *输出
*低摆幅ECL
http://onsemi.com
描述
标记DIAGRAMS *
该NBSG11是1至2差分扇出缓冲器，用于优化
低偏移和超低抖动。
输入包括内部50
W
终端电阻并接受
NECL （负ECL ） ， PECL （正ECL ） ， CML ， LVCMOS ，
LVTTL或LVDS 。输出RSECL （低摆幅ECL ）
400毫伏。
特点
SG
11
ALYW
FCBGA16
BA后缀
CASE 489
16
1
QFN16
MN后缀
CASE 485G
A
L
Y
W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 8版本
出版订单号：
NBSG11/D
最大输入时钟频率
最多
12 GHz的典型
最大输入数据速率
最多
12 Gb / s的典型
30 ps的典型的上升和下降时间
125 ps的典型传播延迟
RSPECL输出与操作范围： V
CC
= 2.375 V至3.465 V
随着V
EE
= 0 V
RSNECL输出与RSNECL或NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
RSECL输出电平（ 400 mV峰峰值输出） ，微分
只有输出
50
W
内部输入终端电阻
兼容现有的2.5 V / 3.3 V LVEP ， EP和LVEL设备
无铅包可用
SG11
ALYWG
G
NBSG11
1
A
VTCLK
2
NC
3
NC
4
Q1
V
EE
16
VTCLK
NC
15
NC
14
V
CC
13
裸露焊盘（ EP ）
1
2
NBSG11
3
4
12
11
10
9
Q0
Q0
Q1
Q1
B
CLK
V
EE
V
CC
Q1
CLK
Q0
C
CLK
V
EE
V
CC
CLK
VTCLK
D
VTCLK
NC
NC
Q0
5
V
EE
6
NC
7
NC
8
V
CC
图1. BGA- 16引脚
（ TOP VIEW ）
图2. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
BGA
D1
C1
QFN
1
2
名字
VTCLK
CLK
I / O
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
描述
内部50
W
终止引脚。见表2 。
倒差分输入。内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
B1
3
CLK
反的差分输入。内部75千瓦到V
EE
.
A1
B2,C2
A2,A3,D2,
D3
B3,C3
A4
B4
C4
D4
不适用
4
5,16
6,7,14,15
8,13
9
10
11
12
VTCLK
V
EE
NC
V
CC
Q1
Q1
Q0
Q0
EP
内部50
W
终止引脚。见表2 。
负电源电压
无连接
正电源电压
倒差分输出1.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2.0 V.
反的差分输出1.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2.0 V.
倒差分输出为0。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2.0 V.
反的差分输出为0。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V.
裸露焊盘（注2 ）
1. NC引脚电连接到所述模具，并且必须保持打开状态。
2.所有V
CC
和V
EE
引脚必须从外部连接到电源，以保证正常运行。包装上的裸露热焊盘
底部（参见壳体图纸）必须被连接到一个散热导管。
3.当输入端接端子（ VTCLK ， VTCLK ）被连接到一个共同的终止电压的差动结构，并
如果没有信号被施加，则设备将是容易的自激振荡。
http://onsemi.com
2
NBSG11
V
CC
VTCLK
36.5千瓦
50
W
CLK
CLK
50
W
VTCLK
V
EE
75千瓦
75千瓦
Q0
Q0
Q1
Q1
图3.逻辑图
表2.接口选择
接口选择
CML
LVDS
交流耦合
RSECL ， PECL ， NECL
LVTTL ， LVCMOS
连接
连接VTCLK和VTCLK到V
CC
连接VTCLK和VTCLK在一起
偏VTCLK并在VTCLK输入
（ VIHCMR ）共模范围
标准ECL终止技术
一个外部电压应当施加到
未使用的互补差分输入。
额定电压为1.5 V的LVTTL和V
CC
/2
为LVCMOS输入。
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻（ CLK ， CLK ）
内部输入上拉电阻（ CLK ）
ESD保护
湿气敏感度（注4 ）
FCBGA16
QFN16
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
4.有关其它信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
人体模型
机器型号
铅PKG
LEVEL 3
LEVEL 1
价值
75千瓦
36.5千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 100 V
无铅PKG
不适用
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
125
http://onsemi.com
3
NBSG11
表4.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注5 ）
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
1S2P （注5）
2S2P （注6 ）
16 FCBGA
16 FCBGA
16 QFN
16 QFN
16 FCBGA
16 QFN
|D D|
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
CC
V
EE
w
V
CC
V
EE
＆ LT ;
连续
浪涌
16 FCBGA
16 QFN
2.8 V
2.8 V
V
I
≤
V
CC
V
I
≥
V
EE
条件2
等级
3.6
3.6
3.6
3.6
2.8
|V
CC
V
EE
|
25
50
-40到+70
-40至+85
-65到+150
108
86
41.6
35.2
5.0
4.0
225
225
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
q
JC
T
SOL
热阻（结到外壳）
波峰焊
Pb
无铅
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
5. JEDEC标准多层电路板 - 1S2P （ 1信号， 2个电源） 。
6. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
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4
NBSG11
表5. DC特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 2.5 V; V
EE
= 0 V （注7 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
特征
负电源电流
输出高电压（注8）
输出电压振幅
输入高电压（单端）
（注10 ）
输入低电压（单端）
（注11 ）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注9 ）
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
, V
IHMAX
)
低输入电流（ @ V
IL
, V
一部作品
)
民
45
1450
350
V
CC
1435
mV
V
IH
2.5 V
1.2
典型值
60
1530
410
V
CC
1000
毫伏*
V
CC
1400
毫伏*
最大
75
1575
525
V
CC
民
45
1525
350
V
CC
1435
mV
V
IH
2.5 V
1.2
25°C
典型值
60
1565
410
V
CC
1000
毫伏*
V
CC
1400
毫伏*
最大
75
1600
525
V
CC
70°C(BGA)/85°C(QFN)**
民
45
1550
350
V
CC
1435
mV
V
IH
2.5 V
1.2
典型值
60
1590
410
V
CC
1000
毫伏*
V
CC
1400
毫伏*
最大
75
1625
525
V
CC
单位
mA
mV
mV
V
V
IL
V
IH
150毫伏
2.5
V
IH
150
mV
2.5
V
IH
150
mV
2.5
V
V
IHCMR
V
R
TIN
I
IH
I
IL
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
W
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
*用于测试目的的标准结构。
**包装在FCBGA -16的装置，具有70 ° C和器件封装中的QFN -16的最高温度规范具有最大
温度规格为85 ℃。
7.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至-0.965 V.
8.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V. V
OH
/V
OL
测量V
IH
/V
IL
.
9. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
10. V
IH
不能超过V
CC
.
11. V
IL
总是
≥
V
EE
.
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5
NBSG11
2.5V / 3.3V的SiGe 1:2
差分时钟驱动器
与RSECL *输出
*低摆幅ECL
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该NBSG11是1至2差分扇出缓冲器，用于优化
低偏移和超低抖动。
输入包括内部50
W
终端电阻并接受
NECL （负ECL ） ， PECL （正ECL ） ， CML ， LVCMOS ，
LVTTL或LVDS 。输出RSECL （低摆幅ECL ）
400毫伏。
记号
图*
SG
11
LYW
最大输入时钟频率
最多
12 GHz的典型
最大输入数据速率
最多
12 Gb / s的典型
30 ps的典型的上升和下降时间
125 ps的典型传播延迟
FCBGA-16
BA后缀
CASE 489
RSPECL输出与操作范围： V
CC
= 2.375 V至3.465 V
随着V
EE
= 0 V
RSNECL输出与RSNECL或NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
RSECL输出电平（ 400 mV峰峰值输出） ，微分
只有输出
50
W
内部输入终端电阻
QFN-16
MN后缀
CASE 485G
SG11
ALYW
兼容现有的2.5 V / 3.3 V LVEP ， EP和LVEL设备
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关详细信息，请参考应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
NBSG11BA
NBSG11BAR2
包
4×4毫米
FCBGA-16
4×4毫米
FCBGA-16
3×3毫米
QFN-16
3×3毫米
QFN-16
航运
100单位/托盘
500 /磁带&卷轴
NBSG11MN
NBSG11MNR2
123单位/铁
3000 /磁带&卷轴
板
NBSG11BAEVB
描述
NBSG11BA评估板
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年4月 - 6牧师
出版订单号：
NBSG11/D
NBSG11
1
A
VTCLK
2
NC
3
NC
4
Q1
V
EE
16
VTCLK
NC
15
NC
14
V
CC
13
裸露焊盘（ EP ）
1
2
NBSG11
3
4
12
11
10
9
Q0
Q0
Q1
Q1
B
CLK
V
EE
V
CC
Q1
CLK
Q0
C
CLK
V
EE
V
CC
CLK
VTCLK
D
VTCLK
NC
NC
Q0
5
V
EE
6
NC
7
NC
8
V
CC
图1. BGA- 16引脚
（ TOP VIEW ）
图2. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
BGA
D1
C1
QFN
1
2
名字
VTCLK
CLK
I / O
-
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
-
-
-
-
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
-
描述
内部50
W
终止引脚。见表2 。
倒差分输入。内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
B1
3
CLK
反的差分输入。内部75千瓦到V
EE
.
A1
B2,C2
A2,A3,D2,
D3
B3,C3
A4
B4
C4
D4
不适用
4
5,16
6,7,14,15
8,13
9
10
11
12
-
VTCLK
V
EE
NC
V
CC
Q1
Q1
Q0
Q0
EP
内部50
W
终止引脚。见表2 。
负电源电压
无连接
正电源电压
倒差分输出1.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
- 2 V
反的差分输出1.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
- 2 V
倒差分输出为0。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
- 2 V
反的差分输出为0。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
- 2 V
裸露焊盘（注2 ）
1. NC引脚电连接到所述模具，并且必须保持打开状态。
2.所有V
CC
和V
EE
引脚必须从外部连接到电源，以保证正常运行。包装上的裸露热焊盘
底部（参见壳体图纸）必须被连接到一个散热导管。
3.当输入端接端子（ VTCLK ， VTCLK ）被连接到一个共同的终止电压的差动结构，并
如果没有信号被施加，则设备将是容易的自激振荡。
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2
NBSG11
V
CC
VTCLK
36.5千瓦
50
W
CLK
CLK
50
W
VTCLK
V
EE
75千瓦
75千瓦
Q0
Q0
Q1
Q1
图3.逻辑图
表2.接口选择
接口选择
CML
LVDS
AC耦合
RSECL ， PECL ， NECL
LVTTL ， LVCMOS
连接
连接VTCLK和VTCLK到V
CC
连接VTCLK和VTCLK在一起
偏VTCLK并在VTCLK输入
（ VIHCMR ）共模范围
标准ECL终止技术
一个外部电压应当施加到
未使用的互补差分输入。
额定电压为1.5 V的LVTTL和V
CC
/2
为LVCMOS输入。
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻（ CLK ， CLK ）
内部输入上拉电阻（ CLK ）
ESD保护
湿气敏感度（注4 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
4.有关其它信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
人体模型
机器型号
FCBGA-16
QFN-16
氧指数：28 34
价值
75千瓦
36.5千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 100 V
LEVEL 3
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
125
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3
NBSG11
表4.最大额定值
（注5 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注6 ）
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
1S2P （注6）
2S2P （注7 ）
< 15秒
16 FCBGA
16 FCBGA
16 QFN
16 QFN
16 FCBGA
16 QFN
|D - D|
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
CC
- V
EE
w
V
CC
- V
EE
＆ LT ;
连续
浪涌
16 FCBGA
16 QFN
2.8 V
2.8 V
V
I
≤
V
CC
V
I
≥
V
EE
条件2
等级
3.6
-3.6
3.6
-3.6
2.8
|V
CC
- V
EE
|
25
50
-40到+70
-40至+85
-65到+150
108
86
41.6
35.2
5.0
4.0
225
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
q
JC
T
SOL
热阻（结到外壳）
波峰焊
5.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
6. JEDEC标准多层电路板 - 1S2P （ 1信号， 2个电源） 。
7. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
表5. DC特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 2.5 V; V
EE
= 0 V （注8 ）
-40
°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
特征
负电源电流
输出高电压（注9 ）
输出电压振幅
输入高电压（单端）
（注11 ）
输入低电压（单端）
（注12 ）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注10 ）
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
, V
IHMAX
)
低输入电流（ @ V
IL
, V
一部作品
)
民
45
1450
350
V
CC
-
1435
mV
V
IH
-
2.5 V
1.2
典型值
60
1530
410
V
CC
-
1000
毫伏*
V
CC
-
1400
毫伏*
最大
75
1575
525
V
CC
民
45
1525
350
V
CC
-
1435
mV
V
IH
-
2.5 V
1.2
25°C
典型值
60
1565
410
V
CC
-
1000
毫伏*
V
CC
-
1400
毫伏*
最大
75
1600
525
V
CC
70°C(BGA)/85°C(QFN)**
民
45
1550
350
V
CC
-
1435
mV
V
IH
-
2.5 V
1.2
典型值
60
1590
410
V
CC
-
1000
毫伏*
V
CC
-
1400
毫伏*
最大
75
1625
525
V
CC
单位
mA
mV
mV
V
V
IL
V
IH
-
150毫伏
2.5
V
IH
-
150
mV
2.5
V
IH
-
150
mV
2.5
V
V
IHCMR
V
R
TIN
I
IH
I
IL
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
W
mA
mA
注： SiGe半导体电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
8.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至-0.965 V.
9.所有装载50
W
到V
CC
- 2.0 V. V
OH
/V
OL
测量V
IH
/V
IL
.
10. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
11. V
IH
不能超过V
CC
.
12. V
IL
总是
≥
V
EE
.
*用于测试目的的标准结构。
**包装在FCBGA -16的装置，具有70 ° C和器件封装中的QFN -16的最高温度规范具有最大
温度规格为85 ℃。
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4
NBSG11
表6.直流特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 3.3 V; V
EE
= 0 V （注13 ）
-40
°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
特征
负电源电流
输出高电压（注14 ）
输出电压振幅
输入高电压（单端）
（注16 ）
输入低电压（单端）
（注17 ）
输入高电压共模
范围内（注15 ）
（差分配置）
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
, V
IHMAX
)
低输入电流（ @ V
IL
, V
一部作品
)
民
45
2250
350
V
CC
-
1435
mV
V
IH
-
2.5 V
1.2
典型值
60
2330
410
V
CC
-
1000
毫伏*
V
CC
-
1400
毫伏*
最大
75
2375
525
V
CC
民
45
2325
350
V
CC
-
1435
mV
V
IH
-
2.5 V
1.2
25°C
典型值
60
2365
410
V
CC
-
1000
毫伏*
V
CC
-
1400
毫伏*
最大
75
2400
525
V
CC
70°C(BGA)/85°C(QFN)**
民
45
2350
350
V
CC
-
1435
mV
V
IH
-
2.5 V
1.2
典型值
60
2390
410
V
CC
-
1000
毫伏*
V
CC
-
1400
毫伏*
最大
75
2425
525
V
CC
单位
mA
mV
mV
V
V
IL
V
IH
-
150
mV
3.3
V
IH
-
150
mV
3.3
V
IH
-
150
mV
3.3
V
V
IHCMR
V
R
TIN
I
IH
I
IL
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
W
mA
mA
注： SiGe半导体电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
13.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变0.925 V至-0.165 V.
14.所有装载50
W
到V
CC
- 2.0 V. V
OH
/V
OL
测量V
IH
/V
IL
.
15. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
16. V
IH
不能超过V
CC
.
17. V
IL
总是
≥
V
EE
.
*用于测试目的的标准结构。
**包装在FCBGA -16的装置，具有70 ° C和器件封装中的QFN -16的最高温度规范具有最大
温度规格为85 ℃。
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5
QQ：2880707522 复制
