NBB-500Cas-
cadable
宽带
砷化镓MMIC
放大器的直流
4GHz
NBB-500
级联宽带
砷化镓MMIC放大器DC至4GHz
符合RoHS &无铅产品
封装形式：微-X ， 4针，陶瓷
特点
可靠的，低成本的HBT
设计
19.0分贝增益， + 12.3dBm
P1dB@2GHz
高P1dB为
+14.0dBm@6.0GHz
单电源操作
化
50Ω I / O匹配的高
频率。利用
GND
4
标记 - N5
RF IN 1
3 RF OUT
2
GND
应用
窄宽带的COM
商用和军用无线电
设计
线性和饱和Amplifi-
ERS
增益级或驱动程序Amplifi-
ERS的MWRadio /光学
设计（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN / CEL-
细胞性/ DWDM ）
功能框图
产品说明
该NBB -500可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC放大器是
低成本，通用射频和微型高性能的解决方案
波放大的需求。此50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT
专有的MMIC设计，提供无与伦比的性能，小型
信号应用。与外部偏置电阻，该NBB -500设计
提供了灵活性和稳定性。该NBB -500封装在一个低成本，
表面贴装陶瓷封装，提供了易于组装的高VOL-
UME磁带和卷轴的要求。正是在任一包装或芯片可
（ NBB - 500 -D ）的形式，其中的黄金金属化是理想的混合电路
设计。
订购信息
NBB - 500Cascadable宽带的GaAs MMIC放大器DC至4GHz
NBB-500
NBB-500-T1
NBB-500-D
NBB-500-E
NBB-X-K1
级联宽带的GaAs MMIC放大器DC至4GHz
磁带&卷， 1000件
NBB -500芯片的形式（ 100件最小起订）
完全组装的评估板
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A9 DS070327
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 12
NBB-500
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
功耗
器件的电流
通道温度
工作温度
储存温度
等级
+20
300
70
200
-45至+85
-65到+150
单位
DBM
mW
mA
°C
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而
以往，不承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，
也不对任何侵犯专利或其它第三方权利，造成
从它的使用。没有许可任何专利授予暗示或其他方式
RFMD或专利权。 RFMD保留更改部分税务局局长的权利
cuitry ，建议随时申请和规格不
另行通知。
基于EUDirective2002 / 95 / EC （本文件修订版的时候RoHS状况
锡永） 。
超过任何一种或这些限制的组合可能导致永久
损害。
参数
整体
小信号功率增益， S21
分钟。
19.0
16.0
规范
典型值。
20.5
19.5
18.5
±0.8
1.70:1
1.45:1
1.65:1
马克斯。
单位
dB
dB
dB
dB
条件
V
D
= + 3.9V ，我
CC
= 35毫安，Z
0
=50Ω, T
A
=+25°C
F = 0.1GHz至1.0GHz的
F = 1.0GHz的为2.0GHz的
F = 2.0GHz的为4.0GHz的
F = 0.1GHz至3.0GHz的
F = 0.1GHz至4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为6.0GHz
F = 6.0GHz到10.0GHz
增益平坦度， GF
输入和输出VSWR
带宽BW
输出功率@
-1dB压缩， P1dB为
噪声系数NF
三阶截取， IP3
反向隔离， S12
器件电压，V
D
增益温度系数，
δG
T
/δT
3.6
4.2
12.3
14.0
3.2
+26.5
-17.0
3.9
-0.0015
4.2
GHz的
DBM
DBM
dB
DBM
dB
V
分贝/°C的
BW3 （ 3分贝）
f=2.0GHz
f=6.0GHz
f=3.0GHz
f=2.0GHz
F = 0.1GHz至10.0GHz
平均无故障时间与温度
@ I
CC
=35mA
外壳温度
结温
MTTF
85
120
>1,000,000
256
°C
°C
小时
° C / W
热阻
θ
JC
J
T
–
T
例
-------------------------- =
θ
JC
( °C
瓦
)
-
V
D
I
CC
2 12
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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NBB-500
针
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直电容，
适于操作的频率，应当在大多数应用中使用
系统蒸发散。不允许输入的直流耦合，因为这将覆盖
内部反馈环路，并导致温度不稳定。
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感，以V
CC
。电阻器被选择来设置直流
电流流入该引脚到所需的水平。电阻值由下式确定
下面的等式：
接口示意图
2
3
GND
RF OUT
RF OUT
(
V
CC
–
V
设备
)
-
R
= ------------------------------------------
I
CC
护理也应考虑在电阻器的选择，保证了电流
租入部分不超过最高数据表工作电流
在计划的操作温度。这意味着，一个电阻
的供给，该管脚之间总是需要，即使邻近的供给
5.0V可用，提供直流反馈，以防止热失控。
由于DC是存在于该销，一隔直流电容器，适合于
操作频率，应在大多数应用中使用。供应
偏置网络侧也应很好旁路。
在RF
4
GND
相同引脚2 。
封装图
45°
0.055
(1.40)
单位：
英寸
(mm)
N5
0.040
(1.02)
0.070
(1.78)
0.020
0.200 SQ 。
(5.08)
0.005
(0.13)
转A9 DS070327
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 12
NBB-500
典型偏置配置
可应要求提供相关的偏置电路，器件封装和散热的考虑应用笔记。
V
CC
R
CC
4
In
1
C座
2
3
L呛
（可选）
OUT
C座
V
设备
V
D
= 3.9 V
推荐偏置电阻值
电源电压，V
CC
(V)
偏置电阻，R
CC
(Ω)
5
31
8
117
10
174
12
231
15
317
20
460
4 12
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NBB-500
芯片外形图 - NBB - 500 -D
芯片尺寸： 0.017 “× 0.017 ”× 0.004 “
单位：
英寸
(mm)
回芯片的接地。
产量
输入
0.017 ± 0.001
(0.44 ± 0.03)
GND
通过
0.017 ± 0.001
(0.44 ± 0.03)
0.004 ± 0.001
(0.10 ± 0.03)
销售标准 - 无包装模具
模具销售信息
所有分段模具销往100％的直流测试。对模具材料的晶圆级测试销量参数应nego-
tiated在逐案基础。
分段模被选中为客户发货按照RFMD文档＃ 6000152 - 模具产品
最后的视觉检查标准
1
.
分段模有每个订单100件的最低销量。最多每个载波400芯片是允许 -
能。
芯片封装
所有死亡都打包在GelPak ESD防护容器具有以下规范：
OD = 2"X2" ，容量= 400模（ 20X20段） ，保留级别=高（ X0 ） 。
GelPak ESD防护的容器被放置在一个静电屏蔽袋。 RFMD建议，一旦袋
开了GelPak / s的应储存在可控氮气环境。不要按一个封闭的盖子
GelPak ，仅通过边缘处理。不包含真空容器GelPak密封袋。
预防必须采取处理过程中最小化的包装振动，如管芯可在运输过程中移动
2
.
包装贮存
单元包应保持在最佳装配，性能和可靠性的干燥氮气环境中。
预防必须采取处理过程中最小化的包装振动，如管芯可在运输过程中移动
2
.
模具处理
搬运模具材料时正确的ESD必须采取预防措施。
模具应使用真空拾取设备进行处理，或沿长边用锋利的一对twee-的处理
zers 。请勿触摸死亡与身体任何部位的。
当使用自动拾取和贴装设备，确保影响力的设置是否正确。用力过度
可能会损坏GaAs器件。
转A9 DS070327
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 12
NBB-500
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
窄和宽带商业和
军用无线电设计
线性和饱和放大器
产品说明
该NBB -500可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC
放大器是一个低成本，为gen-高性能的解决方案
ERAL用途的射频和微波放大的需求。这
50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT的专有
MMIC设计，提供无与伦比的性能
小信号的应用。与外部偏置设计
电阻的NBB -500提供了灵活性和稳定性。该
NBB -500封装在一个低成本，表面安装
陶瓷封装，提供了易于组装用于高
成交量磁带和卷轴的要求。它是在可
无论是包装还是芯片（ NBB - 500 -D ）的形式，其中黄金
金属化是理想的混合电路的设计。
45°
0.055
(1.40)
级联宽带
砷化镓MMIC放大器DC至4GHz
增益级或驱动放大器
MWRadio /光学设计（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN /蜂窝/ DWDM ）
单位：
英寸
(mm)
N5
0.040
(1.02)
0.070
(1.78)
0.020
0.200 SQ 。
(5.08)
0.005
(0.13)
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式：微-X ， 4针，陶瓷
特点
可靠，低成本的HBT设计
19.0分贝增益， + 12.3dBm的P1dB @ 2GHz的
高P1dB为+14.0dBm@6.0GHz的
GND
4
标记 - N5
单电源工作
50Ω I / O相匹配的高频率。利用
RF IN 1
3 RF OUT
订购信息
2
GND
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流
4GHz
NBB -500 -T1或-T3Tape &卷， 1000或3000件（分别）
NBB-500-D
NBB -500芯片的形式（ 100件最小起订）
NBB-500-E
完全组装的评估板
NBB-X-K1
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
RF Micro Devices公司
电话：（ 336 ） 664 1233
桑代克路7628
传真：（ 336 ） 664 0454
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
http://www.rfmd.com
NBB-500
功能框图
转A5 050414
4-49
NBB-500
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
功耗
器件的电流
通道温度
工作温度
储存温度
等级
+20
300
70
200
-45至+85
-65到+150
单位
DBM
mW
mA
°C
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
超过任何一种或这些限制的组合可能会造成永久性的损坏。
参数
整体
小信号功率增益， S21
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
19.0
16.0
20.5
19.5
18.5
±0.8
1.70:1
1.45:1
1.65:1
4.2
12.3
14.0
3.2
+26.5
-17.0
3.9
-0.0015
单位
dB
dB
dB
dB
条件
V
D
= + 3.9V ，我
CC
= 35毫安，Z
0
=50, T
A
=+25°C
F = 0.1GHz至1.0GHz的
F = 1.0GHz的为2.0GHz的
F = 2.0GHz的为4.0GHz的
F = 0.1GHz至3.0GHz的
F = 0.1GHz至4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为6.0GHz
F = 6.0GHz到10.0GHz
BW3 （ 3分贝）
f=2.0GHz
f=6.0GHz
f=3.0GHz
f=2.0GHz
F = 0.1GHz至10.0GHz
增益平坦度， GF
输入和输出VSWR
带宽BW
输出功率@
-1dB压缩， P1dB为
噪声系数NF
三阶截取， IP3
反向隔离， S12
器件电压，V
D
增益温度系数，
δG
T
/δT
GHz的
DBM
DBM
dB
DBM
dB
V
分贝/°C的
3.6
4.2
平均无故障时间与温度
@ I
CC
=35mA
外壳温度
结温
MTTF
85
120
>1,000,000
256
°C
°C
小时
° C / W
热阻
θ
JC
J
T
–
T
例
-------------------------- =
θ
JC
( °C
瓦
)
-
V
D
I
CC
4-50
转A5 050414
NBB-500
针
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直
电容器，适合于工作频率，应当在使用
大多数应用。不允许输入的直流耦合的，因为这
将取代内部反馈回路，造成温度instabil-
性。
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感，以V
CC
。电阻器被选择来设置
直流电流进入该引脚到所需的水平。该电阻值是阻止 -
开采由下面的等式：
接口示意图
2
3
GND
RF OUT
RF OUT
(
V
CC
–
V
设备
)
-
R
= ------------------------------------------
I
CC
在RF
4
GND
护理也应考虑在电阻器的选择，以确保
目前进入部分不超过最高数据表的操作电流
租在计划的操作温度。这意味着，一个电阻
的供给，该管脚之间总是需要，即使供给
附近5.0V可用，提供直流反馈，以防止热运行 -
了。因为DC是目前该引脚上，隔直电容， suit-
能够为工作频率，应当在大多数使用
应用程序。偏置网络的供给方也应该清楚
绕过。
相同引脚2 。
转A5 050414
4-51
NBB-500
典型偏置配置
可应要求提供相关的偏置电路，器件封装和散热的考虑应用笔记。
V
CC
R
CC
4
In
1
C座
2
3
L呛
（可选）
OUT
C座
V
设备
V
D
= 3.9 V
推荐偏置电阻值
电源电压，V
CC
(V)
偏置电阻，R
CC
()
5
31
8
117
10
174
12
231
15
317
20
460
4-52
转A5 050414
NBB-500
芯片外形图 - NBB - 500 -D
芯片尺寸： 0.017 “× 0.017 ”× 0.004 “
单位：
英寸
(mm)
回芯片的接地。
产量
输入
0.017 ± 0.001
(0.44 ± 0.03)
GND
通过
0.017 ± 0.001
(0.44 ± 0.03)
0.004 ± 0.001
(0.10 ± 0.03)
销售标准 - 无包装模具
模具销售信息
所有分段模具销往100％的直流测试。对模具材料的晶圆级测试销量参数应nego-
tiated在逐案基础。
分段模被选中为客户发货按照RFMD文档＃ 6000152 - 模具产品
最后的视觉检查标准
1
.
分段模有每个订单100件的最低销量。最多每个载波400芯片是允许 -
能。
芯片封装
所有死亡都打包在GelPak ESD防护容器具有以下规范：
OD = 2"X2" ，容量= 400模（ 20X20段） ，保留级别=高（ X8 ） 。
GelPak ESD防护的容器被放置在一个静电屏蔽袋。 RFMD建议，一旦袋
开了GelPak / s的应储存在可控氮气环境。不要按一个封闭的盖子
GelPak ，仅通过边缘处理。不包含真空容器GelPak密封袋。
预防必须采取处理过程中最小化的包装振动，如管芯可在运输过程中移动
2
.
包装贮存
单元包应保持在最佳装配，性能和可靠性的干燥氮气环境中。
预防必须采取处理过程中最小化的包装振动，如管芯可在运输过程中移动
2
.
模具处理
搬运模具材料时正确的ESD必须采取预防措施。
模具应使用真空拾取设备进行处理，或沿长边用锋利的一对twee-的处理
zers 。请勿触摸死亡与身体任何部位的。
当使用自动拾取和贴装设备，确保影响力的设置是否正确。用力过度
可能会损坏GaAs器件。
转A5 050414
4-53
QQ：2881677436 复制
