NBB-312
级联宽带
砷化镓MMIC放大器直流到12GHz的
符合RoHS &无铅产品
封装形式： MPGA ，蝴蝶结， 3×3 ，陶瓷
特点
可靠的，低成本的HBT
设计
12.5分贝增益
为+ 15.8dBm的P1dB高在
6GHz
单电源操作
化
50Ω I / O匹配的高
使用频率
销1
指标
RF OUT
8
地
7
6
5
9
4
在RF
1
2
3
地
应用
窄宽带的COM
商用和军用无线电
设计
线性和饱和Amplifi-
ERS
增益级或驱动程序Amplifi-
ERS的MWRadio /光学
设计
（ PTP / PMP / LMDS / UNII / VSAT
/ WLAN /蜂窝/ DWDM ）
功能框图
产品说明
该NBB - 312可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC放大器是一个低
成本，通用射频和微波的高性能解决方案
放大的需求。此50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT亲
专有的MMIC设计，对于小显，提供卓越的性能
最终的应用程序。与外部偏置电阻，该NBB -312设计
提供了灵活性和稳定性。该NBB -310封装在一个低成本，
表面贴装陶瓷封装，提供了易于组装的高VOL-
UME磁带和卷轴的要求。正是在任一1000或3000可
计件每卷数量。连接器连接评估板设计opti-
而得到优化用于高频率也可用于表征目的。
订购信息
NBB-312
NBB-312-T1
NBB-312-E
NBB-X-K1
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流到12GHz的
磁带&卷， 1000件
完全组装的评估板
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A5 DS060124
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1第8
NBB-312
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
功耗
器件的电流
通道温度
工作温度
储存温度
等级
+20
350
70
200
-45至+85
-65到+150
单位
DBM
mW
mA
°C
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而
以往，不承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，
也不对任何侵犯专利或其它第三方权利，造成
从它的使用。没有许可任何专利授予暗示或其他方式
RFMD或专利权。 RFMD保留更改部分税务局局长的权利
cuitry ，建议随时申请和规格不
另行通知。
基于EUDirective2002 / 95 / EC （本文件修订版的时候RoHS状况
锡永） 。
超过任何一种或这些限制的组合可能导致永久
损害。
参数
整体
小信号功率增益， S21
分钟。
12.5
12.0
11.4
9.0
规范
典型值。
12.9
12.9
11.7
9.7
+0.6
1.2:1
1.65:1
2.0:1
马克斯。
单位
dB
dB
dB
dB
dB
条件
V
D
= + 5V ，我
CC
= 50毫安，Z
0
=50Ω, T
A
=+25°C
F = 0.1GHz至1.0GHz的
F = 1.0GHz的为4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为8.0GHz
F = 8.0GHz到12.0GHz
F = 0.1GHz至8.0GHz
F = 0.1GHz至7.0GHz
F = 7.0GHz到10.0GHz
F = 10.0GHz至12.0GHz
F = 0.1GHz至12.0GHz
增益平坦度， GF
输入VSWR
输出VSWR
带宽BW
输出功率@
-1dB压缩， P1dB为
1.5:1
11.0
14.9
15.8
15.0
12.0
GHz的
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
DBM
dB
5.3
V
分贝/°C的
BW3 （ 3分贝）
f=2.0GHz
f=6.0GHz
f=8.0GHz
f=12.0GHz
f=3.0GHz
f=2.0GHz
F = 0.1GHz至12.0GHz
噪声系数NF
三阶截取， IP3
反向隔离， S12
器件电压，V
D
增益温度系数，
δG
T
/δT
4.7
4.9
+24.0
-15.6
5.0
-0.0015
平均无故障时间与温度
@ I
CC
=50mA
外壳温度
结温
MTTF
85
123
>1,000,000
152
°C
°C
小时
° C / W
热阻
θ
JC
J
T
–
T
例
--------------------------
=
θ
JC
( °C
瓦
)
-
V
D
I
CC
2第8
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A5 DS060124
NBB-312
针
1
2
3
4
功能
GND
GND
GND
在RF
描述
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直电容，
适于操作的频率，应当在大多数应用中使用
系统蒸发散。不允许输入的直流耦合，因为这将覆盖
内部反馈环路，并导致温度不稳定。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感，以V
CC
。电阻器被选择来设置直流
电流流入该引脚到所需的水平。电阻值由下式确定
下面的等式：
接口示意图
5
6
7
8
GND
GND
GND
RF OUT
RF OUT
(
V
CC
–
V
设备
)
R
=
------------------------------------------
-
I
CC
护理也应考虑在电阻器的选择，保证了电流
租入部分不超过最高数据表工作电流
在计划的操作温度。这意味着，一个电阻
的供给，该管脚之间总是需要，即使邻近的供给
8.0V可用，提供直流反馈，以防止热失控。
或者，恒定电流源电路也可以实现。
由于DC是存在于该销，一隔直流电容器，适合于
操作频率，应在大多数应用中使用。供应
偏置网络侧也应很好旁路。
相同的引脚1 。
在RF
9
GND
封装图
2.94分钟
3.28最大
销1
指标
1.00分钟
1.50最大
0.025分
0.125 MAX
销1
指标
RF OUT
地
在RF
0.50 NOM
0.50 NOM
N6
盖ID
1.70分钟
1.91最大
2.39分钟
2.59最大
0.38 NOM
地
0.98分钟
1.02最大
0.37分钟
0.63最大
以毫米为单位所有尺寸
注意事项：
1.焊盘共面内的±0.025毫米。
2.盖子会集中相对于前侧的金属化用的±0.13毫米容差。
3.标记包括两个字符和点到基准引脚1 。
转A5 DS060124
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 8
NBB-312
典型偏置配置
可应要求提供相关的偏置电路，器件封装和散热的考虑应用笔记。
V
CC
R
CC
1,2,3
In
4
C座
8
5,6,7,9
L呛
（可选）
OUT
C座
V
设备
V
D
= 5 V
推荐偏置电阻值
电源电压，V
CC
(V)
偏置电阻，R
CC
(Ω)
8
60
10
100
12
140
15
200
20
300
应用笔记
接合温度（楔形或球）
建议在加热块的温度设定为160℃ ± 10℃。
4 8
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A5 DS060124
NBB-312
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
NBB-X-K1
这个工具包是为了协助设计在RFMD NBB-和NLB系列的InGaP HBT增益模块放大器。每个工具
套件包含以下内容。
5每个NBB - 300 ， NBB - 310和NBB -400陶瓷微-X放大器
5每个NLB - 300 ， NLB - 310和NLB -400塑料微型X放大器
2宽带评估板和高频SMA连接器
宽带偏置说明和规格汇总指标，便于操作的
转A5 DS060124
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 8
NBB-312
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
窄和宽带商业和
军用无线电设计
线性和饱和放大器
产品说明
该NBB - 312可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC
放大器是一个低成本，为gen-高性能的解决方案
ERAL用途的射频和微波放大的需求。这
50
Ω
增益模块是基于一个可靠的HBT的专有
MMIC设计，提供无与伦比的性能
小信号的应用。与外部偏置设计
电阻的NBB -312提供了灵活性和稳定性。该
NBB -310封装在一个低成本，表面安装
陶瓷封装，提供了易于组装用于高
成交量磁带和卷轴的要求。它是在可
无论是1000还是3000块每卷数量。连接
高频优化torized评估板设计
昆西也可用于表征目的。
2.94分钟
3.28最大
销1
指标
0.025分
0.125 MAX
销1
指标
RF OUT
地
在RF
级联宽带
砷化镓MMIC放大器直流到12GHz的
增益级或驱动放大器
MWRadio /光学设计（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN /蜂窝/ DWDM ）
0.50 NOM
0.50 NOM
1.00分钟
1.50最大
N6
盖ID
1.70分钟
1.91最大
2.39分钟
2.59最大
0.38 NOM
地
0.98分钟
1.02最大
0.37分钟
0.63最大
以毫米为单位所有尺寸
注意事项：
1.焊盘共面内的±0.025毫米。
2.盖子会集中相对于前侧的金属化用的±0.13毫米容差。
3.标记包括两个字符和点到基准引脚1 。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： MPGA ，蝴蝶结， 3×3 ，陶瓷
特点
可靠，低成本的HBT设计
12.5分贝增益
高的P1dB为+ 15.8dBm ，在6GHz的
单电源工作
50Ω I / O匹配的高频
销1
指标
1
RF OUT
8
地
7
6
5
9
4
在RF
2
3
地
利用
订购信息
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流
12GHz
NBB-312-T1
磁带&卷， 1000件
NBB-312-E
完全组装的评估板
NBB-X-K1
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
RF Micro Devices公司
电话：（ 336 ） 664 1233
桑代克路7628
传真：（ 336 ） 664 0454
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
http://www.rfmd.com
NBB-312
功能框图
转A5 060124
4-25
NBB-312
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
功耗
器件的电流
通道温度
工作温度
储存温度
等级
+20
350
70
200
-45至+85
-65到+150
单位
DBM
mW
mA
°C
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
超过任何一种或这些限制的组合可能会造成永久性的损坏。
参数
整体
小信号功率增益， S21
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
12.5
12.0
11.4
9.0
12.9
12.9
11.7
9.7
+0.6
1.2:1
1.65:1
2.0:1
1.5:1
11.0
14.9
15.8
15.0
12.0
4.9
+24.0
-15.6
5.0
-0.0015
单位
dB
dB
dB
dB
dB
条件
V
D
= + 5V ，我
CC
= 50毫安，Z
0
=50Ω, T
A
=+25°C
F = 0.1GHz至1.0GHz的
F = 1.0GHz的为4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为8.0GHz
F = 8.0GHz到12.0GHz
F = 0.1GHz至8.0GHz
F = 0.1GHz至7.0GHz
F = 7.0GHz到10.0GHz
F = 10.0GHz至12.0GHz
F = 0.1GHz至12.0GHz
BW3 （ 3分贝）
f=2.0GHz
f=6.0GHz
f=8.0GHz
f=12.0GHz
f=3.0GHz
f=2.0GHz
F = 0.1GHz至12.0GHz
增益平坦度， GF
输入VSWR
输出VSWR
带宽BW
输出功率@
-1dB压缩， P1dB为
GHz的
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
DBM
dB
V
分贝/°C的
噪声系数NF
三阶截取， IP3
反向隔离， S12
器件电压，V
D
增益温度系数，
δG
T
/δT
4.7
5.3
平均无故障时间与温度
@ I
CC
=50mA
外壳温度
结温
MTTF
85
123
>1,000,000
152
°C
°C
小时
° C / W
热阻
θ
JC
J
T
–
T
例
-------------------------- =
θ
JC
( °C
瓦
)
-
V
D
I
CC
4-26
转A5 060124
NBB-312
针
1
2
3
4
功能
GND
GND
GND
在RF
描述
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直
电容器，适合于工作频率，应当在使用
大多数应用。不允许输入的直流耦合的，因为这
将取代内部反馈回路，造成温度instabil-
性。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感，以V
CC
。电阻器被选择来设置
直流电流进入该引脚到所需的水平。该电阻值是阻止 -
开采由下面的等式：
接口示意图
5
6
7
8
GND
GND
GND
RF OUT
RF OUT
(
V
CC
–
V
设备
)
R
= ------------------------------------------
-
I
CC
护理也应考虑在电阻器的选择，以确保
目前进入部分不超过最高数据表的操作电流
租在计划的操作温度。这意味着，一个电阻
的供给，该管脚之间总是需要，即使供给
附近8.0V可用，提供直流反馈，以防止热运行 -
了。或者，恒定电流源电路可方案需要
mented 。因为DC是目前该引脚上，隔直电容，
适于操作的频率，应当在大多数应用中使用
系统蒸发散。偏置网络的供给方也应该清楚
绕过。
相同的引脚1 。
在RF
9
GND
转A5 060124
4-27
NBB-312
典型偏置配置
可应要求提供相关的偏置电路，器件封装和散热的考虑应用笔记。
V
CC
R
CC
1,2,3
In
4
C座
5,6,7,9
8
L呛
（可选）
OUT
C座
V
设备
V
D
= 5 V
推荐偏置电阻值
电源电压，V
CC
(V)
偏置电阻，R
CC
(Ω)
8
60
10
100
12
140
15
200
20
300
应用笔记
接合温度（楔形或球）
建议在加热块的温度设定为160℃ ± 10℃。
4-28
转A5 060124
NBB-312
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
NBB-X-K1
这个工具包是为了协助设计在RFMD NBB-和NLB系列的InGaP HBT增益模块放大器。
每个工具包包含以下内容。
5每个NBB - 300 ， NBB - 310和NBB -400陶瓷微-X放大器
5每个NLB - 300 ， NLB - 310和NLB -400塑料微型X放大器
2宽带评估板和高频SMA连接器
宽带偏置说明和规格汇总指标，便于操作的
转A5 060124
4-29
NBB-312
0
典型应用
窄和宽带商业和
军用无线电设计
线性和饱和放大器
产品说明
该NBB - 312可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC
放大器是一个低成本，为gen-高性能的解决方案
ERAL用途的射频和微波放大的需求。这
50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT的专有
MMIC设计，提供无与伦比的性能
小信号的应用。与外部偏置设计
电阻的NBB -312提供了灵活性和稳定性。该
NBB -310封装在一个低成本，表面安装
陶瓷封装，提供了易于组装用于高
成交量磁带和卷轴的要求。它是在可
无论是1000还是3000块每卷数量。连接
高频优化torized评估板设计
昆西也可用于表征目的。
2.94分钟
3.28最大
销1
指标
0.025分
0.125 MAX
销1
指标
RF OUT
地
在RF
级联宽带
砷化镓MMIC放大器直流到12GHz的
增益级或驱动放大器
MWRadio /光学设计（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN /蜂窝/ DWDM ）
0.50 NOM
0.50 NOM
1.00分钟
1.50最大
N6
盖ID
1.70分钟
1.91最大
2.39分钟
2.59最大
0.38 NOM
地
0.98分钟
1.02最大
0.37分钟
0.63最大
以毫米为单位所有尺寸
注意事项：
1.焊盘共面内的±0.025毫米。
2.盖子会集中相对于前侧的金属化用的±0.13毫米容差。
3.标记包括两个字符和点到基准引脚1 。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： MPGA ，蝴蝶结， 3×3 ，陶瓷
特点
可靠，低成本的HBT设计
12.5分贝增益
高的P1dB为+ 15.8dBm ，在6GHz的
单电源工作
50Ω I / O匹配的高频
销1
指标
1
RF OUT
8
地
7
6
5
9
4
在RF
2
3
地
利用
订购信息
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流
12GHz
NBB - 312 -T1或-T3Tape &卷， 1000或3000件（分别）
NBB-312-E
完全组装的评估板
NBB-X-K1
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
RF Micro Devices公司
电话：（ 336 ） 664 1233
桑代克路7628
传真：（ 336 ） 664 0454
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
http://www.rfmd.com
NBB-312
功能框图
转A3 030912
4-25
NBB-312
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
功耗
器件的电流
通道温度
工作温度
储存温度
等级
+20
350
70
200
-45至+85
-65到+150
单位
DBM
mW
mA
°C
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
超过任何一种或这些限制的组合可能会造成永久性的损坏。
参数
整体
小信号功率增益， S21
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
12.5
12.0
11.4
9.0
12.9
12.9
11.7
9.7
+0.6
1.2:1
1.65:1
2.0:1
1.5:1
11.0
14.9
15.8
15.0
12.0
4.9
+24.0
-15.6
5.0
-0.0015
单位
dB
dB
dB
dB
dB
条件
V
D
= + 5V ，我
CC
= 50毫安，Z
0
=50, T
A
=+25°C
F = 0.1GHz至1.0GHz的
F = 1.0GHz的为4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为8.0GHz
F = 8.0GHz到12.0GHz
F = 0.1GHz至8.0GHz
F = 0.1GHz至7.0GHz
F = 7.0GHz到10.0GHz
F = 10.0GHz至12.0GHz
F = 0.1GHz至12.0GHz
BW3 （ 3分贝）
f=2.0GHz
f=6.0GHz
f=8.0GHz
f=12.0GHz
f=3.0GHz
f=2.0GHz
F = 0.1GHz至12.0GHz
增益平坦度， GF
输入VSWR
输出VSWR
带宽BW
输出功率@
-1dB压缩， P1dB为
GHz的
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
DBM
dB
V
分贝/°C的
噪声系数NF
三阶截取， IP3
反向隔离， S12
器件电压，V
D
增益温度系数，
δG
T
/δT
4.7
5.3
平均无故障时间与温度
@ I
CC
=50mA
外壳温度
结温
MTTF
85
123
>1,000,000
152
°C
°C
小时
° C / W
热阻
θ
JC
J
T
–
T
例
-------------------------- =
θ
JC
( °C
瓦
)
-
V
D
I
CC
4-26
转A3 030912
NBB-312
针
1
2
3
4
功能
GND
GND
GND
在RF
描述
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直
电容器，适合于工作频率，应当在使用
大多数应用。不允许输入的直流耦合的，因为这
将取代内部反馈回路，造成温度instabil-
性。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感，以V
CC
。电阻器被选择来设置
直流电流进入该引脚到所需的水平。该电阻值是阻止 -
开采由下面的等式：
接口示意图
5
6
7
8
GND
GND
GND
RF OUT
RF OUT
(
V
CC
–
V
设备
)
-
R
= ------------------------------------------
I
CC
在RF
9
GND
护理也应考虑在电阻器的选择，以确保
目前进入部分不超过最高数据表的操作电流
租在计划的操作温度。这意味着，一个电阻
的供给，该管脚之间总是需要，即使供给
附近8.0V可用，提供直流反馈，以防止热运行 -
了。或者，恒定电流源电路可方案需要
mented 。因为DC是目前该引脚上，隔直电容，
适于操作的频率，应当在大多数应用中使用
系统蒸发散。偏置网络的供给方也应该清楚
绕过。
相同的引脚1 。
转A3 030912
4-27
NBB-312
典型偏置配置
可应要求提供相关的偏置电路，器件封装和散热的考虑应用笔记。
V
CC
R
CC
1,2,3
In
4
C座
5,6,7,9
8
L呛
（可选）
OUT
C座
V
设备
V
D
= 5 V
推荐偏置电阻值
电源电压，V
CC
(V)
偏置电阻，R
CC
()
8
60
10
100
12
140
15
200
20
300
应用笔记
接合温度（楔形或球）
建议在加热块的温度设定为160℃ ± 10℃。
4-28
转A3 030912
NBB-312
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
NBB-X-K1
这个工具包是为了协助设计在RFMD NBB-和NLB系列的InGaP HBT增益模块放大器。
每个工具包包含以下内容。
5每个NBB - 300 ， NBB - 310和NBB -400陶瓷微-X放大器
5每个NLB - 300 ， NLB - 310和NLB -400塑料微型X放大器
2宽带评估板和高频SMA连接器
宽带偏置说明和规格汇总指标，便于操作的
转A3 030912
4-29
NBB-312
0
典型应用
窄和宽带商业和
军用无线电设计
线性和饱和放大器
产品说明
该NBB - 312可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC
放大器是一个低成本，为gen-高性能的解决方案
ERAL用途的射频和微波放大的需求。这
50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT的专有
MMIC设计，提供无与伦比的性能
小信号的应用。与外部偏置设计
电阻的NBB -312提供了灵活性和稳定性。该
NBB -310封装在一个低成本，表面安装
陶瓷封装，提供了易于组装用于高
成交量磁带和卷轴的要求。它是在可
无论是1000还是3000块每卷数量。连接
高频优化torized评估板设计
昆西也可用于表征目的。
2.94分钟
3.28最大
销1
指标
0.025分
0.125 MAX
销1
指标
RF OUT
地
在RF
级联宽带
砷化镓MMIC放大器直流到12GHz的
增益级或驱动放大器
MWRadio /光学设计（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN /蜂窝/ DWDM ）
0.50 NOM
0.50 NOM
1.00分钟
1.50最大
N6
盖ID
1.70分钟
1.91最大
2.39分钟
2.59最大
0.38 NOM
地
0.98分钟
1.02最大
0.37分钟
0.63最大
以毫米为单位所有尺寸
注意事项：
1.焊盘共面内的±0.025毫米。
2.盖子会集中相对于前侧的金属化用的±0.13毫米容差。
3.标记包括两个字符和点到基准引脚1 。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： MPGA ，蝴蝶结， 3×3 ，陶瓷
特点
可靠，低成本的HBT设计
12.5分贝增益
高的P1dB为+ 15.8dBm ，在6GHz的
单电源工作
50Ω I / O匹配的高频
销1
指标
1
RF OUT
8
地
7
6
5
9
4
在RF
2
3
地
利用
订购信息
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流
12GHz
NBB - 312 -T1或-T3Tape &卷， 1000或3000件（分别）
NBB-312-E
完全组装的评估板
NBB-X-K1
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
RF Micro Devices公司
电话：（ 336 ） 664 1233
桑代克路7628
传真：（ 336 ） 664 0454
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
http://www.rfmd.com
NBB-312
功能框图
转A3 030912
4-25
NBB-312
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
功耗
器件的电流
通道温度
工作温度
储存温度
等级
+20
350
70
200
-45至+85
-65到+150
单位
DBM
mW
mA
°C
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
超过任何一种或这些限制的组合可能会造成永久性的损坏。
参数
整体
小信号功率增益， S21
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
12.5
12.0
11.4
9.0
12.9
12.9
11.7
9.7
+0.6
1.2:1
1.65:1
2.0:1
1.5:1
11.0
14.9
15.8
15.0
12.0
4.9
+24.0
-15.6
5.0
-0.0015
单位
dB
dB
dB
dB
dB
条件
V
D
= + 5V ，我
CC
= 50毫安，Z
0
=50, T
A
=+25°C
F = 0.1GHz至1.0GHz的
F = 1.0GHz的为4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为8.0GHz
F = 8.0GHz到12.0GHz
F = 0.1GHz至8.0GHz
F = 0.1GHz至7.0GHz
F = 7.0GHz到10.0GHz
F = 10.0GHz至12.0GHz
F = 0.1GHz至12.0GHz
BW3 （ 3分贝）
f=2.0GHz
f=6.0GHz
f=8.0GHz
f=12.0GHz
f=3.0GHz
f=2.0GHz
F = 0.1GHz至12.0GHz
增益平坦度， GF
输入VSWR
输出VSWR
带宽BW
输出功率@
-1dB压缩， P1dB为
GHz的
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
DBM
dB
V
分贝/°C的
噪声系数NF
三阶截取， IP3
反向隔离， S12
器件电压，V
D
增益温度系数，
δG
T
/δT
4.7
5.3
平均无故障时间与温度
@ I
CC
=50mA
外壳温度
结温
MTTF
85
123
>1,000,000
152
°C
°C
小时
° C / W
热阻
θ
JC
J
T
–
T
例
-------------------------- =
θ
JC
( °C
瓦
)
-
V
D
I
CC
4-26
转A3 030912
NBB-312
针
1
2
3
4
功能
GND
GND
GND
在RF
描述
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直
电容器，适合于工作频率，应当在使用
大多数应用。不允许输入的直流耦合的，因为这
将取代内部反馈回路，造成温度instabil-
性。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感，以V
CC
。电阻器被选择来设置
直流电流进入该引脚到所需的水平。该电阻值是阻止 -
开采由下面的等式：
接口示意图
5
6
7
8
GND
GND
GND
RF OUT
RF OUT
(
V
CC
–
V
设备
)
-
R
= ------------------------------------------
I
CC
在RF
9
GND
护理也应考虑在电阻器的选择，以确保
目前进入部分不超过最高数据表的操作电流
租在计划的操作温度。这意味着，一个电阻
的供给，该管脚之间总是需要，即使供给
附近8.0V可用，提供直流反馈，以防止热运行 -
了。或者，恒定电流源电路可方案需要
mented 。因为DC是目前该引脚上，隔直电容，
适于操作的频率，应当在大多数应用中使用
系统蒸发散。偏置网络的供给方也应该清楚
绕过。
相同的引脚1 。
转A3 030912
4-27
NBB-312
典型偏置配置
可应要求提供相关的偏置电路，器件封装和散热的考虑应用笔记。
V
CC
R
CC
1,2,3
In
4
C座
5,6,7,9
8
L呛
（可选）
OUT
C座
V
设备
V
D
= 5 V
推荐偏置电阻值
电源电压，V
CC
(V)
偏置电阻，R
CC
()
8
60
10
100
12
140
15
200
20
300
应用笔记
接合温度（楔形或球）
建议在加热块的温度设定为160℃ ± 10℃。
4-28
转A3 030912
NBB-312
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
NBB-X-K1
这个工具包是为了协助设计在RFMD NBB-和NLB系列的InGaP HBT增益模块放大器。
每个工具包包含以下内容。
5每个NBB - 300 ， NBB - 310和NBB -400陶瓷微-X放大器
5每个NLB - 300 ， NLB - 310和NLB -400塑料微型X放大器
2宽带评估板和高频SMA连接器
宽带偏置说明和规格汇总指标，便于操作的
转A3 030912
4-29
QQ：2880707522 复制
