NBB-302
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
窄和宽带商业和
军用无线电设计
线性和饱和放大器
产品说明
该NBB - 302可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC
放大器是一个低成本，为gen-高性能的解决方案
ERAL用途的射频和微波放大的需求。这
50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT的专有
MMIC设计，提供无与伦比的性能
小信号的应用。与外部偏置设计
电阻的NBB -302提供了灵活性和稳定性。该
NBB -302封装在一个低成本，表面安装
陶瓷封装，提供了易于组装用于高
成交量磁带和卷轴的要求。它是在可
无论是包装还是芯片（ NBB - 300 -D ）的形式，其中黄金
金属化是理想的混合电路的设计。
2.94分钟
3.28最大
销1
指标
0.025分
0.125 MAX
销1
指标
RF OUT
地
在RF
级联宽带
砷化镓MMIC放大器直流到12GHz的
增益级或驱动放大器
MWRadio /光学设计（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN /蜂窝/ DWDM ）
0.50 NOM
0.50 NOM
1.00分钟
1.50最大
N3
盖ID
1.70分钟
1.91最大
2.39分钟
2.59最大
地
0.38 NOM
0.37分钟
0.63最大
0.98分钟
1.02最大
以毫米为单位所有尺寸
注意事项：
1.焊盘共面内的±0.025毫米。
2.盖子会集中相对于前侧的金属化用的±0.13毫米容差。
3.标记包括两个字符和点到基准引脚1 。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： MPGA ，蝴蝶结， 3×3 ，陶瓷
特点
可靠，低成本的HBT设计
12.0分贝增益， + 13.7dBm的P1dB @ 2GHz的
高P1dB为+14.0dBm@6.0GHz和
+11.0dBm@14.0GHz
销1
指标
1
RF OUT
8
地
7
6
5
9
4
在RF
2
3
地
单电源工作
50Ω I / O相匹配的高频率。利用
订购信息
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流
12GHz
NBB - 302 -T1或-T3Tape &卷， 1000或3000件（分别）
NBB-302-E
完全组装的评估板
NBB-X-K1
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
RF Micro Devices公司
电话：（ 336 ） 664 1233
桑代克路7628
传真：（ 336 ） 664 0454
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
http://www.rfmd.com
NBB-302
功能框图
转A5 050414
4-9
NBB-302
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
功耗
器件的电流
通道温度
工作温度
储存温度
等级
+20
300
70
200
-45至+85
-65到+150
单位
DBM
mW
mA
°C
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
超过任何一种或这些限制的组合可能会造成永久性的损坏。
参数
整体
小信号功率增益， S21
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
12.0
11.0
9.0
13.5
13.0
12.5
10.5
9.5 （平均）
±0.6
2.4:1
2.0:1
2.8:1
12.5
13.7
14.8
11.0
5.5
+23.5
-15
3.9
-0.0015
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
条件
V
D
= + 3.9V ，我
CC
= 50毫安，Z
0
=50, T
A
=+25°C
F = 0.1GHz至1.0GHz的
F = 1.0GHz的为4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为6.0GHz
F = 6.0GHz到12.0GHz
F = 12.0GHz至14.0GHz
F = 0.1GHz至8.0GHz
F = 0.1GHz至4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为12.0GHz
F = 12.0GHz至15.0GHz
BW3 （ 3分贝）
f=2.0GHz
f=6.0GHz
f=14.0GHz
f=3.0GHz
f=2.0GHz
F = 0.1GHz至12.0GHz
增益平坦度， GF
输入和输出VSWR
带宽BW
输出功率@
-1dB压缩， P1dB为
GHz的
DBM
DBM
DBM
dB
DBM
dB
V
分贝/°C的
噪声系数NF
三阶截取， IP3
反向隔离， S12
器件电压，V
D
增益温度系数，
δG
T
/δT
3.6
4.2
平均无故障时间与温度
@ I
CC
=50mA
外壳温度
结温
MTTF
85
122.9
>1,000,000
194
°C
°C
小时
° C / W
热阻
θ
JC
J
T
–
T
例
-------------------------- =
θ
JC
( °C
瓦
)
-
V
D
I
CC
4-10
转A5 050414
NBB-302
针
1
2
3
4
功能
GND
GND
GND
在RF
描述
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直
电容器，适合于工作频率，应当在使用
大多数应用。不允许输入的直流耦合的，因为这
将取代内部反馈回路，造成温度instabil-
性。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感，以V
CC
。电阻器被选择来设置
直流电流进入该引脚到所需的水平。该电阻值是阻止 -
开采由下面的等式：
接口示意图
5
6
7
8
GND
GND
GND
RF OUT
RF OUT
(
V
CC
–
V
设备
)
-
R
= ------------------------------------------
I
CC
护理也应考虑在电阻器的选择，以确保
目前进入部分不超过最高数据表的操作电流
租在计划的操作温度。这意味着，一个电阻
的供给，该管脚之间总是需要，即使供给
附近5.0V可用，提供直流反馈，以防止热运行 -
了。或者，恒定电流源电路可方案需要
mented 。因为DC是目前该引脚上，隔直电容，
适于操作的频率，应当在大多数应用中使用
系统蒸发散。偏置网络的供给方也应该清楚
绕过。
相同的引脚1 。
在RF
9
GND
转A5 050414
4-11
NBB-302
典型偏置配置
可应要求提供相关的偏置电路，器件封装和散热的考虑应用笔记。
V
CC
R
CC
1,2,3
In
4
C座
5,6,7,9
8
L呛
（可选）
OUT
C座
V
设备
V
D
= 3.9 V
推荐偏置电阻值
电源电压，V
CC
(V)
偏置电阻，R
CC
()
5
22
8
81
10
122
12
162
15
222
20
322
应用笔记
芯片粘接
管芯附着工艺机械地附着在管芯和电路基板。此外，电连接该
地面到其上安装芯片，并建立了热路径通过该热可以离开芯片的迹线。
引线键合
电连接到该芯片是通过线接合制成。要么楔或球键合方法是可以接受的
实践用于引线键合。
组装过程
环氧或共晶芯片连接都是可以接受的连接方法。顶部和底部的金属有金。导电
填充银的环氧树脂被推荐。此过程涉及到使用环氧树脂，以形成背侧之间的接合
金的芯片和基板的金属化区域的。 150℃固化1小时是必要的。推荐环氧树脂
ABLEBOND 84-1LMI从ABLESTIK 。
接合温度（楔形或球）
建议在加热块的温度设定为160℃ ± 10℃。
4-12
转A5 050414
NBB-302
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
NBB-X-K1
这个工具包是为了协助设计在RFMD NBB-和NLB系列的InGaP HBT增益模块放大器。
每个工具包包含以下内容。
5每个NBB - 300 ， NBB - 310和NBB -400陶瓷微-X放大器
5每个NLB - 300 ， NLB - 310和NLB -400塑料微型X放大器
2宽带评估板和高频SMA连接器
宽带偏置说明和规格汇总指标，便于操作的
转A5 050414
4-13
NBB-302
级联宽带
砷化镓MMIC放大器直流到12GHz的
符合RoHS &无铅产品
封装形式： MPGA ，蝴蝶结， 3×3 ，陶瓷
特点
可靠的，低成本的HBT设计
12.0分贝增益， + 13.7dBm
P1dB@2GHz
高P1dB为
+14.0dBm@6.0GHz和
+11.0dBm@14.0GHz
单电源工作
50Ω I / O相匹配的高频率。
利用
销1
指标
RF OUT
8
地
7
6
5
9
4
在RF
1
2
3
地
应用
窄宽带商业用
CIAL和军用无线电设计
线性和饱和放大器
增益级或驱动放大器
对于MWRadio /光学设计
（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN / Cellu-
LAR / DWDM ）
功能框图
产品说明
该NBB - 302可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC放大器是一种低成本，
通用射频和微波放大高性能的解决方案
需要。此50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT专有MMIC的设计，
提供无与伦比的性能，小信号的应用。与设计
外部偏置电阻，该NBB -302提供了灵活性和稳定性。该NBB - 302
封装在一个低成本，表面贴装陶瓷封装，提供方便assem-的
布莱高容量磁带和卷轴的要求。正是在任一包装或可
芯片（ NBB - 300 -D ）的形式，其中的黄金金属化是理想的混合电路
设计。
订购信息
NBB-302
NBB-302-T1
NBB-302-E
NBB-X-K1
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流到12GHz的
磁带&卷， 1000件
完全组装的评估板
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A6 DS060124
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1第8
NBB-302
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
功耗
器件的电流
通道温度
工作温度
储存温度
等级
+20
300
70
200
-45至+85
-65到+150
单位
DBM
mW
mA
°C
°C
°C
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而
以往，不承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，
也不对任何侵犯专利或其它第三方权利，造成
从它的使用。没有许可任何专利授予暗示或其他方式
RFMD或专利权。 RFMD保留更改部分税务局局长的权利
cuitry ，建议随时申请和规格不
另行通知。
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一种或这些限制的组合可能导致永久
损害。
参数
整体
小信号功率增益， S21
分钟。
12.0
11.0
9.0
规范
典型值。
13.5
13.0
12.5
10.5
9.5 （平均）
±0.6
2.4:1
2.0:1
2.8:1
马克斯。
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
条件
V
D
= + 3.9V ，我
CC
= 50毫安，Z
0
=50Ω, T
A
=+25°C
F = 0.1GHz至1.0GHz的
F = 1.0GHz的为4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为6.0GHz
F = 6.0GHz到12.0GHz
F = 12.0GHz至14.0GHz
F = 0.1GHz至8.0GHz
F = 0.1GHz至4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为12.0GHz
F = 12.0GHz至15.0GHz
增益平坦度， GF
输入和输出VSWR
带宽BW
输出功率@
-1dB压缩， P1dB为
12.5
13.7
14.8
11.0
GHz的
DBM
DBM
DBM
dB
DBM
dB
4.2
V
分贝/°C的
BW3 （ 3分贝）
f=2.0GHz
f=6.0GHz
f=14.0GHz
f=3.0GHz
f=2.0GHz
F = 0.1GHz至12.0GHz
噪声系数NF
三阶截取， IP3
反向隔离， S12
器件电压，V
D
增益温度系数，
δG
T
/δT
3.6
5.5
+23.5
-15
3.9
-0.0015
平均无故障时间与温度
@ I
CC
=50mA
外壳温度
结温
MTTF
85
122.9
>1,000,000
194
°C
°C
小时
° C / W
热阻
θ
JC
J
T
–
T
例
--------------------------
=
θ
JC
( °C
瓦
)
-
V
D
I
CC
2第8
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A6 DS060124
NBB-302
针
1
2
3
4
功能
GND
GND
GND
在RF
描述
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直电容，
适于操作的频率，应当在大多数应用中使用
系统蒸发散。不允许输入的直流耦合，因为这将覆盖
内部反馈环路，并导致温度不稳定。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感，以V
CC
。电阻器被选择来设置直流
电流流入该引脚到所需的水平。电阻值由下式确定
下面的等式：
接口示意图
5
6
7
8
GND
GND
GND
RF OUT
RF OUT
(
V
CC
–
V
设备
)
R
=
------------------------------------------
-
I
CC
护理也应考虑在电阻器的选择，保证了电流
租入部分不超过最高数据表工作电流
在计划的操作温度。这意味着，一个电阻
的供给，该管脚之间总是需要，即使邻近的供给
5.0V可用，提供直流反馈，以防止热失控。
或者，恒定电流源电路也可以实现。
由于DC是存在于该销，一隔直流电容器，适合于
操作频率，应在大多数应用中使用。供应
偏置网络侧也应很好旁路。
相同的引脚1 。
在RF
9
GND
封装图
2.94分钟
3.28最大
销1
指标
1.00分钟
1.50最大
0.025分
0.125 MAX
销1
指标
RF OUT
地
在RF
0.50 NOM
0.50 NOM
N3
盖ID
1.70分钟
1.91最大
2.39分钟
2.59最大
0.38 NOM
地
0.98分钟
1.02最大
0.37分钟
0.63最大
以毫米为单位所有尺寸
注意事项：
1.焊盘共面内的±0.025毫米。
2.盖子会集中相对于前侧的金属化用的±0.13毫米容差。
3.标记包括两个字符和点到基准引脚1 。
转A6 DS060124
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 8
NBB-302
典型偏置配置
可应要求提供相关的偏置电路，器件封装和散热的考虑应用笔记。
V
CC
R
CC
1,2,3
In
4
C座
8
5,6,7,9
L呛
（可选）
OUT
C座
V
设备
V
D
= 3.9 V
推荐偏置电阻值
电源电压，V
CC
(V)
偏置电阻，R
CC
(Ω)
5
22
8
81
10
122
12
162
15
222
20
322
应用笔记
芯片粘接
管芯附着工艺机械地附着在管芯和电路基板。此外，它电气地连接到
跟踪在其上安装芯片，并建立了热路径通过该热可以离开芯片。
引线键合
电连接到该芯片是通过线接合制成。要么楔或球键合方法是可以接受的动脉灌注化疗
践用于引线键合。
组装过程
环氧或共晶芯片连接都是可以接受的连接方法。顶部和底部的金属有金。导电SIL-
版本填充环氧树脂建议。此过程涉及到使用环氧树脂形成的背面金之间的接合
芯片和基板的金属化区域。 150℃固化1小时是必要的。推荐环氧树脂是ABLEBOND 84-
1LMI从ABLESTIK 。
接合温度（楔形或球）
建议在加热块的温度设定为160℃ ± 10℃。
4 8
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支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A6 DS060124
NBB-302
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
NBB-X-K1
这个工具包是为了协助设计在RFMD NBB-和NLB系列的InGaP HBT增益模块放大器。每个工具
套件包含以下内容。
5每个NBB - 300 ， NBB - 310和NBB -400陶瓷微-X放大器
5每个NLB - 300 ， NLB - 310和NLB -400塑料微型X放大器
2宽带评估板和高频SMA连接器
宽带偏置说明和规格汇总指标，便于操作的
转A6 DS060124
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 8
NBB-302
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
窄和宽带商业和
军用无线电设计
线性和饱和放大器
产品说明
该NBB - 302可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC
放大器是一个低成本，为gen-高性能的解决方案
ERAL用途的射频和微波放大的需求。这
50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT的专有
MMIC设计，提供无与伦比的性能
小信号的应用。与外部偏置设计
电阻的NBB -302提供了灵活性和稳定性。该
NBB -302封装在一个低成本，表面安装
陶瓷封装，提供了易于组装用于高
成交量磁带和卷轴的要求。它是在可
无论是包装还是芯片（ NBB - 300 -D ）的形式，其中黄金
金属化是理想的混合电路的设计。
2.94分钟
3.28最大
销1
指标
0.025分
0.125 MAX
销1
指标
RF OUT
地
在RF
级联宽带
砷化镓MMIC放大器直流到12GHz的
增益级或驱动放大器
MWRadio /光学设计（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN /蜂窝/ DWDM ）
0.50 NOM
0.50 NOM
1.00分钟
1.50最大
N3
盖ID
1.70分钟
1.91最大
2.39分钟
2.59最大
地
0.38 NOM
0.37分钟
0.63最大
0.98分钟
1.02最大
以毫米为单位所有尺寸
注意事项：
1.焊盘共面内的±0.025毫米。
2.盖子会集中相对于前侧的金属化用的±0.13毫米容差。
3.标记包括两个字符和点到基准引脚1 。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： MPGA ，蝴蝶结， 3×3 ，陶瓷
特点
可靠，低成本的HBT设计
12.0分贝增益， + 13.7dBm的P1dB @ 2GHz的
高P1dB为+14.0dBm@6.0GHz和
+11.0dBm@14.0GHz
销1
指标
1
RF OUT
8
地
7
6
5
9
4
在RF
2
3
地
单电源工作
50Ω I / O相匹配的高频率。利用
订购信息
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流
12GHz
NBB-302-T1
磁带&卷， 1000件
NBB-302-E
完全组装的评估板
NBB-X-K1
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
RF Micro Devices公司
电话：（ 336 ） 664 1233
桑代克路7628
传真：（ 336 ） 664 0454
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
http://www.rfmd.com
NBB-302
功能框图
转A6 060124
4-9
NBB-302
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
功耗
器件的电流
通道温度
工作温度
储存温度
等级
+20
300
70
200
-45至+85
-65到+150
单位
DBM
mW
mA
°C
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
超过任何一种或这些限制的组合可能会造成永久性的损坏。
参数
整体
小信号功率增益， S21
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
12.0
11.0
9.0
13.5
13.0
12.5
10.5
9.5 （平均）
±0.6
2.4:1
2.0:1
2.8:1
12.5
13.7
14.8
11.0
5.5
+23.5
-15
3.9
-0.0015
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
条件
V
D
= + 3.9V ，我
CC
= 50毫安，Z
0
=50Ω, T
A
=+25°C
F = 0.1GHz至1.0GHz的
F = 1.0GHz的为4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为6.0GHz
F = 6.0GHz到12.0GHz
F = 12.0GHz至14.0GHz
F = 0.1GHz至8.0GHz
F = 0.1GHz至4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为12.0GHz
F = 12.0GHz至15.0GHz
BW3 （ 3分贝）
f=2.0GHz
f=6.0GHz
f=14.0GHz
f=3.0GHz
f=2.0GHz
F = 0.1GHz至12.0GHz
增益平坦度， GF
输入和输出VSWR
带宽BW
输出功率@
-1dB压缩， P1dB为
GHz的
DBM
DBM
DBM
dB
DBM
dB
V
分贝/°C的
噪声系数NF
三阶截取， IP3
反向隔离， S12
器件电压，V
D
增益温度系数，
δG
T
/δT
3.6
4.2
平均无故障时间与温度
@ I
CC
=50mA
外壳温度
结温
MTTF
85
122.9
>1,000,000
194
°C
°C
小时
° C / W
热阻
θ
JC
J
T
–
T
例
-------------------------- =
θ
JC
( °C
瓦
)
-
V
D
I
CC
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转A6 060124
NBB-302
针
1
2
3
4
功能
GND
GND
GND
在RF
描述
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直
电容器，适合于工作频率，应当在使用
大多数应用。不允许输入的直流耦合的，因为这
将取代内部反馈回路，造成温度instabil-
性。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感，以V
CC
。电阻器被选择来设置
直流电流进入该引脚到所需的水平。该电阻值是阻止 -
开采由下面的等式：
接口示意图
5
6
7
8
GND
GND
GND
RF OUT
RF OUT
(
V
CC
–
V
设备
)
R
= ------------------------------------------
-
I
CC
护理也应考虑在电阻器的选择，以确保
目前进入部分不超过最高数据表的操作电流
租在计划的操作温度。这意味着，一个电阻
的供给，该管脚之间总是需要，即使供给
附近5.0V可用，提供直流反馈，以防止热运行 -
了。或者，恒定电流源电路可方案需要
mented 。因为DC是目前该引脚上，隔直电容，
适于操作的频率，应当在大多数应用中使用
系统蒸发散。偏置网络的供给方也应该清楚
绕过。
相同的引脚1 。
在RF
9
GND
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NBB-302
典型偏置配置
可应要求提供相关的偏置电路，器件封装和散热的考虑应用笔记。
V
CC
R
CC
1,2,3
In
4
C座
5,6,7,9
8
L呛
（可选）
OUT
C座
V
设备
V
D
= 3.9 V
推荐偏置电阻值
电源电压，V
CC
(V)
偏置电阻，R
CC
(Ω)
5
22
8
81
10
122
12
162
15
222
20
322
应用笔记
芯片粘接
管芯附着工艺机械地附着在管芯和电路基板。此外，电连接该
地面到其上安装芯片，并建立了热路径通过该热可以离开芯片的迹线。
引线键合
电连接到该芯片是通过线接合制成。要么楔或球键合方法是可以接受的
实践用于引线键合。
组装过程
环氧或共晶芯片连接都是可以接受的连接方法。顶部和底部的金属有金。导电
填充银的环氧树脂被推荐。此过程涉及到使用环氧树脂，以形成背侧之间的接合
金的芯片和基板的金属化区域的。 150℃固化1小时是必要的。推荐环氧树脂
ABLEBOND 84-1LMI从ABLESTIK 。
接合温度（楔形或球）
建议在加热块的温度设定为160℃ ± 10℃。
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NBB-302
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
NBB-X-K1
这个工具包是为了协助设计在RFMD NBB-和NLB系列的InGaP HBT增益模块放大器。
每个工具包包含以下内容。
5每个NBB - 300 ， NBB - 310和NBB -400陶瓷微-X放大器
5每个NLB - 300 ， NLB - 310和NLB -400塑料微型X放大器
2宽带评估板和高频SMA连接器
宽带偏置说明和规格汇总指标，便于操作的
转A6 060124
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QQ：2880707522 复制
