NBB-300
级联宽带
砷化镓MMIC放大器直流到12GHz的
符合RoHS &无铅产品
封装形式：微-X ， 4针，陶瓷
特点
可靠的，低成本的HBT设计
12.0分贝增益， + 13.8dBm
P1dB@2GHz
高P1dB为
+14.3dBm@6.0GHz和
+11.2dBm@14.0GHz
单电源工作
50Ω I / O相匹配的高频率。
利用
RF IN 1
GND
4
标记 - N3
3 RF OUT
应用
窄宽带商业用
CIAL和军用无线电设计
线性和饱和放大器
增益级或驱动放大器
对于MWRadio /光学设计
（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN / Cellu-
LAR / DWDM ）
2
GND
功能框图
产品说明
该NBB -300可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC放大器是一种低成本，
通用射频和微波放大高性能的解决方案
需要。此50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT专有MMIC的设计，
提供无与伦比的性能，小信号的应用。与设计
外部偏置电阻，该NBB -300提供了灵活性和稳定性。该NBB -300是
封装在一个低成本，表面贴装陶瓷封装，提供方便assem-的
布莱高容量磁带和卷轴的要求。正是在任一包装或可
芯片（ NBB - 300 -D ）的形式，其中的黄金金属化是理想的混合电路
designs.surface贴装陶瓷封装，提供了易于组装的高VOL-
UME磁带和卷轴的要求。正是在任一包装或芯片可用（ NBB-
300 -D ）的形式，其中的黄金金属化是理想的混合电路的设计。
封装图
45°
0.055
(1.40)
单位：
英寸
(mm)
N3
0.040
(1.02)
0.070
(1.78)
订购信息
NBB-300
NBB-300-T1
NBB-300-D
NBB-300-E
NBB-X-K1
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流到12GHz的
磁带&卷， 1000件
NBB -300芯片的形式（ 100件最小起订）
完全组装的评估板
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
0.020
0.200 SQ 。
(5.08)
0.005
(0.13)
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A11 DS070328
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 12
NBB-300
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
功耗
器件的电流
通道温度
工作温度
储存温度
等级
+20
300
70
200
-45至+85
-65到+150
单位
DBM
mW
mA
°C
°C
°C
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而
以往，不承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，
也不对任何侵犯专利或其它第三方权利，造成
从它的使用。没有许可任何专利授予暗示或其他方式
RFMD或专利权。 RFMD保留更改部分税务局局长的权利
cuitry ，建议随时申请和规格不
另行通知。
基于EUDirective2002 / 95 / EC （本文件修订版的时候RoHS状况
锡永） 。
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一种或这些限制的组合可能导致永久
损害。
参数
整体
小信号功率增益， S21
分钟。
12.0
11.0
9.0
规范
典型值。
13.0
13.0
11.0
9.5
8.0
±0.6
2.4:1
2.0:1
2.5:1
马克斯。
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
条件
V
D
= + 3.9V ，我
CC
= 50毫安，Z
0
=50Ω, T
A
=+25°C
F = 0.1GHz至1.0GHz的
F = 1.0GHz的为4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为6.0GHz
F = 6.0GHz到12.0GHz
F = 12.0GHz至14.0GHz
F = 0.1GHz至4.0GHz的
F = 0.1GHz至4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为6.0GHz
F = 6.0GHz到12.0GHz
增益平坦度， GF
输入和输出VSWR
带宽BW
输出功率@
-1dB压缩， P1dB为
12.5
13.0
13.8
12.0
GHz的
DBM
DBM
DBM
dB
DBM
dB
4.2
V
分贝/°C的
BW3 （ 3分贝）
f=2.0GHz
f=6.0GHz
f=14.0GHz
f=3.0GHz
f=2.0GHz
F = 0.1GHz至12.0GHz
噪声系数NF
三阶截取， IP3
反向隔离， S12
器件电压，V
D
增益温度系数，
δG
T
/δT
3.6
5.1
+27.1
-15
3.9
-0.0015
平均无故障时间与温度
@ I
CC
=50mA
外壳温度
结温
MTTF
85
138
>1,000,000
272
°C
°C
小时
° C / W
热阻
θ
JC
J
T
–
T
例
-------------------------- =
θ
JC
( °C
瓦
)
-
V
D
I
CC
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NBB-300
针
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直电容，
适于操作的频率，应当在大多数应用中使用
系统蒸发散。不允许输入的直流耦合，因为这将覆盖
内部反馈环路，并导致温度不稳定。
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感，以V
CC
。电阻器被选择来设置直流
电流流入该引脚到所需的水平。电阻值由下式确定
下面的等式：
接口示意图
2
3
GND
RF OUT
RF OUT
(
V
CC
–
V
设备
)
-
R
= ------------------------------------------
I
CC
护理也应考虑在电阻器的选择，保证了电流
租入部分不超过最高数据表工作电流
在计划的操作温度。这意味着，一个电阻
的供给，该管脚之间总是需要，即使邻近的供给
5.0V可用，提供直流反馈，以防止热失控。
由于DC是存在于该销，一隔直流电容器，适合于
操作频率，应在大多数应用中使用。供应
偏置网络侧也应很好旁路。
在RF
4
GND
相同引脚2 。
典型偏置配置
可应要求提供相关的偏置电路，器件封装和散热的考虑应用笔记。
V
CC
R
CC
4
In
1
C座
2
3
L呛
（可选）
OUT
C座
V
设备
推荐偏置电阻值
电源电压，V
CC
(V)
偏置电阻，R
CC
(Ω)
5
22
8
81
10
122
12
162
15
222
20
322
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NBB-300
芯片外形图 - NBB - 300 -D
芯片尺寸： 0.017 “× 0.017 ”× 0.004 “
单位：
英寸
(mm)
回芯片的接地。
产量
输入
0.017 ± 0.001
(0.44 ± 0.03)
GND
通过
0.017 ± 0.001
(0.44 ± 0.03)
0.004 ± 0.001
(0.10 ± 0.03)
销售标准 - 无包装模具
模具销售信息
所有分段模具销往100％的直流测试。对模具材料的晶圆级测试销量参数应nego-
tiated在逐案基础。
分段模被选中为客户发货按照RFMD文档＃ 6000152 - 模具产品
最后的视觉检查标准
1
.
分段模有每个订单100件的最低销量。最多每个载波400芯片是允许 -
能。
芯片封装
所有死亡都打包在GelPak ESD防护容器具有以下规范：
OD = 2"X2" ，容量= 400模（ 20X20段） ，保留级别=高（ X0 ） 。
GelPak ESD防护的容器被放置在一个静电屏蔽袋。 RFMD建议，一旦袋
开了GelPak / s的应储存在可控氮气环境。不要按一个封闭的盖子
GelPak ，仅通过边缘处理。不包含真空容器GelPak密封袋。
预防必须采取处理过程中最小化的包装振动，如管芯可在运输过程中移动
2
.
包装贮存
单元包应保持在最佳装配，性能和可靠性的干燥氮气环境中。
预防必须采取处理过程中最小化的包装振动，如管芯可在运输过程中移动
2
.
模具处理
搬运模具材料时正确的ESD必须采取预防措施。
模具应使用真空拾取设备进行处理，或沿长边用锋利的一对twee-的处理
zers 。请勿触摸死亡与身体任何部位的。
当使用自动拾取和贴装设备，确保影响力的设置是否正确。用力过度
可能会损坏GaAs器件。
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NBB-300
芯片粘接
在芯片附着过程机械附着在管芯和电路基板。适当的模具，此外，利用
粘接工艺电接地连接到其上安装芯片的迹线。它还建立了
散热路径由热可以离开芯片。
模具应安装一个干净，平坦的表面上。环氧或共晶芯片连接都是可以接受的依恋甲
消耗臭氧层物质。顶部和底部的金属有金。导电银填充环氧树脂建议。此过程
涉及使用环氧树脂，以形成芯片的背面金和子的金属化区域之间的连接
施特拉特。
所有连接应在管芯的顶侧进行。它是必不可少的性能，该背侧是井
接地，并且该顶侧互连件的长度被最小化。
有些模具使用过孔进行有效接地。必须小心安装模具时要排除多余的跳动
在上行路上。
死了焊线
电气连接到芯片是通过线接合制成。无论是楔形或球焊方法是可接受
能够实践引线键合。
所有键合线应尽可能地短。
笔记
1
RFMD文档＃ 6000152 - 模具产品最终外观检查标准。本文档提供了模具监察窗
化人员向客户交付之前确定最终的视觉验收模具产品。
采取预防措施，以确保模具产品附带符合质量标准的制定，以尽量减少
材料转变。然而，由于管芯级产品的物理尺寸， RFMD不保证材料不会移位能很好地协同
荷兰国际集团交通，特别是在极端的处理情况。产品更新换代由于材料的转变将在裁量权
RFMD化的。
2
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