NB4N840M
3.3V 3.2GB / s的双
差分时钟/数据2× 2
交叉点开关
CML输出和内部
终止
描述
http://onsemi.com
记号
图
1
该NB4N840M是一种高带宽全差分双
与CML输入/输出，适用于2× 2交叉点开关
应用，如SDH / SONET ， DWDM ，千兆以太网卡和
高速交换。全差分设计技术被用来
尽量减少抖动的积累，串扰和信号偏移，使
该器件理想用于环路和保护通道切换
应用程序。
内部端接差分CML输入接受交流耦合
LVPECL （正ECL ）或直接耦合CML信号。通过提供
内部50
W
输入和输出端接电阻器，需要对
外部组件被淘汰，界面反射是
最小化。差16毫安CML输出提供配套
内部50
W
终端和400 mV的输出摆幅时
外部终止， 50
W
到V
CC
.
单端LVCMOS / LVTTL SEL输入控制的路由
通过交叉点开关，这使得该装置的信号
可配置为1 ： 2扇出，中继器或2 x 2交叉点开关。该
器件采用薄型5 ×5mm的32引脚QFN封装。
特点
1
32
QFN32
MN后缀
CASE 488AM
A
WL
YY
WW
G
DA0
DA0
CML
NB4N
840M
ALYWG
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
0
CML
1
QA0
ENA0
SELA0
0
QA1
CML
QA1
ENA1
SELA1
QA0
DA1
DA1
CML
1
DB0
DB0
CML
0
1
QB0
CML
QB0
ENB0
SELB0
插件兼容的MAX3840和SY55859L
最大输入时钟频率2.7 GHz的
最大输入数据频率3.2 Gb / s的
225 ps的典型传播延迟
80 ps的典型的上升和下降时间
7 ps的通道到通道偏移
430 mW的功耗
< 0.5 ps的RMS抖动
7 ps的峰 - 峰值数据相关抖动
省电功能禁用输出
经营范围： V
CC
= 3.0 V至3.6 V与V
EE
= 0 V
CML输出电平（ 400 mV峰峰值输出） ，微分
产量
这些无铅器件
0
DB1
DB1
CML
1
CML
QB1
QB1
ENB1
SELB1
图1.功能框图
订购信息
查看详细的订购和发货信息第8页
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年3月 - 第3版
出版订单号：
NB4N840M/D
NB4N840M
表2.引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9,24
10, 13, 16,
17, 20, 23
11
12
14
15
18
19
21
22
25
26
27
28
29
30
31
32
名字
ENB1
DB1
DB1
ENB0
SELB0
DB0
DB0
SELB1
GND
V
CC
QB0
QB0
QB1
QB1
QA1
QA1
QA0
QA0
SELA1
DA0
DA0
SELA0
ENA0
DA1
DA1
ENA1
EP
I / O
LVTTL
CML输入
CML输入
LVTTL
LVTTL
CML输入
CML输入
LVTTL
CML输出
CML输出
CML输出
CML输出
CML输出
CML输出
CML输出
CML输出
LVTTL
CML输入
CML输入
LVTTL
LVTTL
CML输入
CML输入
LVTTL
GND
描述
通道B1输出使能。 LVTTL低输入功率下B1输出级。
频道B1积极的信号输入
频道B1负信号输入
通道B0输出使能。 LVTTL低输入功率下B0输出级。
通道B0输出选择。见表1 。
通道B0积极的信号输入
通道B0消极信号输入
通道B1输出选择。见表1 。
供应地。所有GND引脚必须外接电源供电，以保证
正确的操作。
正电源。所有V
CC
引脚必须外接电源供电，以保证
正确的操作。
通道B0负输出。
通道B0正输出。
通道B1负输出。
通道B1正输出。
通道A1负输出。
通道A1正输出。
通道A0负输出。
通道A0正输出。
通道A1输出选择， LVTTL输入。见表1 。
信道A 0正信号输入。
通道A0负信号输入。
通道A0输出选择， LVTTL输入。见表1 。
通道A0输出使能。 LVTTL低输入功率下的A0输出级。
通道A1正信号输入。
通道A1的负信号输入。
通道A1输出使能。 LVTTL低输入功率下A1输出级。
裸露焊盘。热裸露焊盘（ EP ）的封装底部（见案例图）
必须被附连到一个散热导管。裸露焊盘必须焊接到
电路板的GND进行适当的电气和热运行。
http://onsemi.com
3
NB4N840M
表3，属性
特征
ESD保护
湿度敏感度（注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
人体模型
机器型号
QFN32
氧指数：28 34
价值
> 2000伏
> 110 V
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
380
表4.最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
INPP
I
IN
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
正电源。
积极投入
差分输入电压
|D D|
STATIC
浪涌
连续
浪涌
QFN32
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
GND V
I
= V
CC
条件2
等级
3.8
3.8
3.8
45
80
25
80
-40至+85
-65到+150
0 LFPM
500 LFPM
2S2P （注3）
<3秒@ 260℃
QFN32
QFN32
QFN32
31
27
12
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
输入电流通过内部50
W
电阻器
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注2 ）
热阻（结到外壳）
波峰焊
无铅
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
2. JEDEC标准51-6 ，多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源） 。
3. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
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4
NB4N840M
表5. DC特性，时钟输入， CML输出
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C
符号
I
CC
VOUT
差异
V
CMR
（注6 ）
V
ID
特征
电源电流（所有输出启用）
CML差分输出摆幅（注4 ，图5和图12 ）
CML输出共模电压（负载50
W
到V
CC
)
CML的单端输入电压范围
差分输入电压（V
IHD
V
ILD
)
V
CC
0.8
300
640
民
典型值
130
800
V
CC
200
V
CC
+ 0.4
1600
最大
170
1000
单位
mA
mV
mV
mV
mV
LVTTL控制输入引脚
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
R
TIN
R
TOUT
输入高电压（ LVTTL输入）
输入电压低（ LVTTL输入）
输入高电流（ LVTTL输入）
输入低电流（ LVTTL输入）
CML单端输入电阻
差分输出电阻
10
10
42.5
85
50
100
2000
800
10
10
57.5
115
mV
mV
mA
mA
W
W
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4. CML输出需要50
W
接收端接电阻到V
CC
对于正确的操作（图10） 。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
6. V
CMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
CMR
最大变化1 ： 1与V
CC
.
表6. AC特性
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ，V
EE
= 0 V （注7 ，图9）
40°C
符号
V
OUTpp
特征
输出电压幅值（ @ V
INPPMIN
) f
in
≤
2 GHz的
（参见图3）
f
in
≤
3 GHz的
f
in
≤
3.5 GHz的
最大工作数据速率
传播延迟至差分输出
D / P与Q / Q
占空比歪斜（注8 ）
在-设备倾斜（图4 ）
设备到设备倾斜（注12 ）
RMS的随机时钟抖动（注10 ）F
in
v
3.2 GHz的
峰 - 峰值数据相关抖动F
in
= 2.5 Gb / s的
（注11 ）
f
in
= 3.2 Gb / s的
串扰RMS抖动（注13 ）
V
INPP
t
r
t
f
输入电压摆幅/灵敏度
（差分结构） （注9）
输出上升/下降时间@ 0.5 GHz的
(20% 80%)
Q, Q
150
80
140
225
5
5
20
0.15
7
7
340
25
25
85
0.5
20
20
0.5
800
135
150
80
140
225
5
5
20
0.15
7
7
340
25
25
85
0.5
20
20
0.5
800
135
150
80
140
225
5
5
20
0.15
7
7
340
25
25
85
0.5
20
20
0.5
800
135
ps
民
280
235
170
3.2
典型值
365
310
220
最大
民
280
235
170
3.2
25°C
典型值
365
310
220
最大
民
280
235
170
3.2
85°C
典型值
365
310
220
最大
单位
mV
f
数据
t
PLH
,
t
PHL
t
SKEW
Gb / s的
ps
t
抖动
ps
ps
mV
ps
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
7.测量迫使V
INPP
（MIN） ，从一个50％占空比的时钟源。所有的加载与外部R
L
= 50
W
到V
CC
。输入边沿速率40 PS
(20% 80%).
8.占空比偏差测量用Tpw-和TPW + @ 0.5 GHz的总和的差差分输出之间。
9. V
INPP
（ MAX ）不能超过800毫伏。输入的电压摆幅是单端测量中的差分模式下操作。
10.添加剂RMS抖动，用50％占空比的时钟输入信号。
与PRBS 2 11添加剂的峰 - 峰值数据相关抖动使用输入的数据模式
23
-1， K28.5 ，V
INPP
= 400毫伏。
12.设备到设备歪斜在相同的输出转换之间测量@ 0.5 GHz的。
13.数据相同的条件下拍摄的同一设备上。
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5
NB4N840M
3.3V 3.2GB / s的双
差分时钟/数据2× 2
交叉点开关
CML输出和内部
终止
描述
http://onsemi.com
记号
图
1
该NB4N840M是一种高带宽全差分双
与CML输入/输出，适用于2× 2交叉点开关
应用，如SDH / SONET ， DWDM ，千兆以太网卡和
高速交换。全差分设计技术被用来
尽量减少抖动的积累，串扰和信号偏移，使
该器件理想用于环路和保护通道切换
应用程序。
内部端接差分CML输入接受交流耦合
LVPECL （正ECL ）或直接耦合CML信号。通过提供
内部50
W
输入和输出端接电阻器，需要对
外部组件被淘汰，界面反射是
最小化。差16毫安CML输出提供配套
内部50
W
终端和400 mV的输出摆幅时
外部终止， 50
W
到V
CC
.
单端LVCMOS / LVTTL SEL输入控制的路由
通过交叉点开关，这使得该装置的信号
可配置为1 ： 2扇出，中继器或2 x 2交叉点开关。该
器件采用薄型5 ×5mm的32引脚QFN封装。
特点
1
32
QFN32
MN后缀
CASE 488AM
A
WL
YY
WW
G
DA0
DA0
CML
NB4N
840M
ALYWG
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
0
CML
1
QA0
ENA0
SELA0
0
QA1
CML
QA1
ENA1
SELA1
QA0
DA1
DA1
CML
1
DB0
DB0
CML
0
1
QB0
CML
QB0
ENB0
SELB0
插件兼容的MAX3840和SY55859L
最大输入时钟频率2.7 GHz的
最大输入数据频率3.2 Gb / s的
225 ps的典型传播延迟
80 ps的典型的上升和下降时间
7 ps的通道到通道偏移
430 mW的功耗
< 0.5 ps的RMS抖动
7 ps的峰 - 峰值数据相关抖动
省电功能禁用输出
经营范围： V
CC
= 3.0 V至3.6 V与V
EE
= 0 V
CML输出电平（ 400 mV峰峰值输出） ，微分
产量
这些无铅器件
0
DB1
DB1
CML
1
CML
QB1
QB1
ENB1
SELB1
图1.功能框图
订购信息
查看详细的订购和发货信息第8页
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年8月 - 第2版
出版订单号：
NB4N840M/D
NB4N840M
表2.引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9,24
10, 13, 16,
17, 20, 23
11
12
14
15
18
19
21
22
25
26
27
28
29
30
31
32
名字
ENB1
DB1
DB1
ENB0
SELB0
DB0
DB0
SELB1
GND
V
CC
QB0
QB0
QB1
QB1
QA1
QA1
QA0
QA0
SELA1
DA0
DA0
SELA0
ENA0
DA1
DA1
ENA1
EP
I / O
LVTTL
CML输入
CML输入
LVTTL
LVTTL
CML输入
CML输入
LVTTL
CML输出
CML输出
CML输出
CML输出
CML输出
CML输出
CML输出
CML输出
LVTTL
CML输入
CML输入
LVTTL
LVTTL
CML输入
CML输入
LVTTL
GND
描述
通道B1输出使能。 LVTTL低输入功率下B1输出级。
频道B1积极的信号输入
频道B1负信号输入
通道B0输出使能。 LVTTL低输入功率下B0输出级。
通道B0输出选择。见表1 。
通道B0积极的信号输入
通道B0消极信号输入
通道B1输出选择。见表1 。
供应地。所有GND引脚必须外接电源供电，以保证
正确的操作。
正电源。所有V
CC
引脚必须外接电源供电，以保证
正确的操作。
通道B0负输出。
通道B0正输出。
通道B1负输出。
通道B1正输出。
通道A1负输出。
通道A1正输出。
通道A0负输出。
通道A0正输出。
通道A1输出选择， LVTTL输入。见表1 。
信道A 0正信号输入。
通道A0负信号输入。
通道A0输出选择， LVTTL输入。见表1 。
通道A0输出使能。 LVTTL低输入功率下的A0输出级。
通道A1正信号输入。
通道A1的负信号输入。
通道A1输出使能。 LVTTL低输入功率下A1输出级。
裸露焊盘。热裸露焊盘（ EP ）的封装底部（见案例图）
必须被附连到一个散热导管。裸露焊盘必须焊接到
电路板的GND进行适当的电气和热运行。
http://onsemi.com
3
NB4N840M
表3，属性
特征
ESD保护
湿度敏感度（注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
人体模型
机器型号
QFN32
氧指数：28 34
价值
> 2000伏
> 110 V
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
380
表4.最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
INPP
I
IN
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
正电源。
积极投入
差分输入电压
|D D|
STATIC
浪涌
连续
浪涌
QFN32
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
GND V
I
= V
CC
条件2
等级
3.8
3.8
3.8
45
80
25
80
-40至+85
-65到+150
0 LFPM
500 LFPM
2S2P （注3）
<3秒@ 260℃
QFN32
QFN32
QFN32
31
27
12
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
输入电流通过内部50
W
电阻器
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注2 ）
热阻（结到外壳）
波峰焊
无铅
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
2. JEDEC标准51-6 ，多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源） 。
3. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
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4
NB4N840M
表5. DC特性，时钟输入， CML输出
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C
符号
I
CC
VOUT
差异
V
CMR
（注6 ）
V
ID
特征
电源电流（所有输出启用）
CML差分输出摆幅（注4 ，图5和图12 ）
CML输出共模电压（负载50
W
到V
CC
)
CML的单端输入电压范围
差分输入电压（V
IHD
V
ILD
)
V
CC
0.8
300
640
民
典型值
130
800
V
CC
200
V
CC
+ 0.4
1600
最大
170
1000
单位
mA
mV
mV
mV
mV
LVTTL控制输入引脚
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
R
TIN
R
TOUT
输入高电压（ LVTTL输入）
输入电压低（ LVTTL输入）
输入高电流（ LVTTL输入）
输入低电流（ LVTTL输入）
CML单端输入电阻
差分输出电阻
10
10
42.5
85
50
100
2000
800
10
10
57.5
115
mV
mV
mA
mA
W
W
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4. CML输出需要50
W
接收端接电阻到V
CC
对于正确的操作（图10） 。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
6. V
CMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
CMR
最大变化1 ： 1与V
CC
.
表6. AC特性
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ，V
EE
= 0 V （注7 ，图9）
40°C
符号
V
OUTpp
特征
输出电压幅值（ @ V
INPPMIN
)
（参见图3）
最大工作数据速率
传播延迟至差分输出
D / P与Q / Q
占空比歪斜（注8 ）
在-设备倾斜（图4 ）
设备到设备倾斜（注12 ）
RMS的随机时钟抖动（注10 ）F
in
v
3.2 GHz的
峰 - 峰值数据相关抖动F
in
= 2.5 Gb / s的
（注11 ）
f
in
= 3.2 Gb / s的
串扰RMS抖动（注13 ）
V
INPP
t
r
t
f
输入电压摆幅/灵敏度
（差分结构） （注9）
输出上升/下降时间@ 0.5 GHz的
(20% 80%)
Q, Q
150
80
140
225
5
5
20
0.15
7
7
340
25
25
85
0.5
20
20
0.5
800
135
150
80
140
225
5
5
20
0.15
7
7
340
25
25
85
0.5
20
20
0.5
800
135
150
80
140
225
5
5
20
0.15
7
7
340
25
25
85
0.5
20
20
0.5
800
135
ps
f
in
≤
2 GHz的
f
in
≤
3 GHz的
f
in
≤
3.5 GHz的
民
280
235
170
3.2
典型值
365
310
220
最大
民
280
235
170
3.2
25°C
典型值
365
310
220
最大
民
280
235
170
3.2
85°C
典型值
365
310
220
最大
单位
mV
f
数据
t
PLH
,
t
PHL
t
SKEW
Gb / s的
ps
t
抖动
ps
ps
mV
ps
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
7.测量迫使V
INPP
（MIN） ，从一个50％占空比的时钟源。所有的加载与外部R
L
= 50
W
到V
CC
。输入边沿速率40 PS
(20% 80%).
8.占空比偏差测量用Tpw-和TPW + @ 0.5 GHz的总和的差差分输出之间。
9. V
INPP
（ MAX ）不能超过800毫伏。输入的电压摆幅是单端测量中的差分模式下操作。
10.添加剂RMS抖动，用50％占空比的时钟输入信号。
与PRBS 2 11添加剂的峰 - 峰值数据相关抖动使用输入的数据模式
23
-1， K28.5 ，V
INPP
= 400毫伏。
12.设备到设备歪斜在相同的输出转换之间测量@ 0.5 GHz的。
13.数据相同的条件下拍摄的同一设备上。
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