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NB4N527SMNEVB
评估板手册
对于NB4N527S
http://onsemi.com
评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该NB4N527S设备,以方便客户
有兴趣在履行自己的设备工程
评估。该板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板,顶部和底部的视图,它
可以以几种不同的方式来配置。
该评估板手册包含:
16引线QFN评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的
NB4N527S器件数据手册,其中包含完整的技术
在设备规格和具体操作过程。
董事会糊成型
16引脚QFN评估板中实现
四层与分流(双)电源(图2 ,
评估板糊) 。对于标准的实验室设置,分裂
(双)电源是必不可少的,以使50
W
国内
阻抗在示波器作为设备终止。该
第一层或原迹层为0.005 ,厚罗杰斯
RO6002材料,其被设计为具有相等的电
在从设备的测试下的所有信号路径的长度
器件(DUT ),以感测输出。第二层是1.0盎司
铜接地平面。所述的FR4介电材料放置
在第二和第三层之间,以及所述第三
和第四层。第三层也是1.0盎司铜
接地平面。第四层是辅助迹线层。
顶视图
底部视图
图1.顶部和16 QFN评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司, 2008年
2008年9月,
第1版
1
出版订单号:
NB4N527SMNEVB/D
NB4N527SMNEVB
图2.评估板糊
连接电源和地平面
评估板顶面有四个面
安装测试点夹标V
CC
, V
EE
, SMA_GND和
DUT_GND 。 DUT_GND连接的露出标志
QFN封装。对于正确的操作,露出标志
建议将
ELECTRICALLY
悬空或绑
表1.电源电平
电源跨度
3.0 V
3.3 V
3.6 V
V
CC
1.75 V
2.05 V
2.35 V
到V
EE
的,但必须是
连接到
足够的热导管如热平面的精确供应
这需要应用中可以找到的电压值
表1和图4和图5 。
V
EE
1.25
V
1.25
V
1.25
V
SMA_GND
0V
0V
0V
DUT_GND
浮动或V
EE
浮动或V
EE
浮动或V
EE
刺激(发电机)终止
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND)通过50
W
电阻器。目前的主板设计
利用内部电阻和V
TDX
销被连接到
地面上。 (关于终端的更多信息在提供
AN8020 ) 。如果评估不需要使用内部
终端电阻,提供0402片式电阻器垫
评估板上的底部。跨接线
在V的
TDX
针垫应去除( J1 , J4 , J13和J15
到SMA_GND跳线) 。焊接贴片电阻的
董事会的适当的输入之间底部
器件引脚焊盘和接地焊盘(对于分流电源
设置) 。
同样,对于CML输出CML激励信号需要
终止于V
CC
通过50
W
电阻器。如果内部电阻
时,在V
TDX
引脚焊盘应连接到V
CC
。对
实现这样的结构,跨接线必须
从SMA_GND环移到V
CC
环上的底
董事会。
表2. SMA连接器和跳线放置
设备
针#
连接器
线
J1
1
No
SMA_GND
J2
2
是的
No
J3
3
是的
No
J4
4
No
SMA_GND
J5
5
No
V
EE
J6
6
No
No
J7
7
No
No
J8
8
No
对于LVDS配置,V
TDX
在D0引脚焊盘或
D1的输入必须被短路,形成100
W
跨越差
线。该结构是通过移动来完成
从SMA_GND环互补V跳线
TDX
密码键盘(例如: VTD0和VTD0b为D0输入
VTD1和VTD1b为D1输入) 。
DUT终止
对于标准的实验室设置和测试,分裂(双)电源
需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用来作为一个终止信号(在
分电源设置SMA_GND是系统地,
V
CC
是多种多样的,和V
EE
是-1.25 V ;见表1 ,电源
供应水平) 。
主板组件配置
该NB4N527SMNEVB评估板需要八个
一边SMA连接器。布置位置被描述
表2和图3所示。
J9
9
是的
No
J10
10
是的
No
J11
11
是的
No
J12
12
No
No
J13
13
No
SMA_GND
J14
14
是的
No
J15
15
是的
No
J16
16
No
SMA_GND
V
CC
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2
NB4N527SMNEVB
4个表面贴装测试
要点
8× SMA连接器
J16
J1
J2
J3
J4
C4
C2
J15
J14
J13
J12
J11
J5
J6
J7
线
DUT_GND
底部视图
4 x 0.01
mF
或0.1
mF
去耦电容
(C1, C3, C5, C6)
图3.组件布局
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3
SMA_GND
D
U
T
J8
2 x 10
mF
脱钩
上的背面电容
在PCB (C4 ,C2)的
J10
J9
顶视图
VEE
VCC
SMA_GND
销1
PAD
NB4N527SMNEVB
DO
DO
QO
连接输出
发生器到
输入引脚标
J2, J3, J14, J15
D1
( D0 / D0B , D1 / D1B )
注:内部
终止引脚
连接到所述
SMA GND在PCB上。
QO
D1
Q1
连接输出
标设备
J9 , J10 , J11和J12
( Q0 / Q0B , Q1 / Q1B )
直接向范围
头。
Q1
图4.实验室设置为NB4N527S
电源
VCC
GND
VEE
迪FF erential
信号
发电机
TEST
测量
设备
OUT
OUT
D
U
T
通道1
通道2
TRIGGER
TRIGGER
图5.简化的实验室设备安装框图
1.连接合适的电源,以V
CC
, V
EE
,
SMA_GND和SMA_DUT 。
2.一个信号发生器连接到所述输入的SMA
连接器。根据当前设置的输入信号
器件的数据手册。
3.将试验性测量设备的设备上
输出的SMA连接器。
注:测试测量设备必须包含50
W
终止。
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4
NB4N527SMNEVB
表3.材料清单
组件
SMA
连接器
表面贴装
测试点
芯片
电容
贴片电阻
生产厂家
约翰逊*
罗森伯格
梯形校正*
AVC
公司*
松下*
描述
SMA连接器,
侧面发射,黄金
PLATED
SMT小型测试
0603 0.01
mF
& QUOT ;
10%
10
mF
& QUOT ;
10%
0402 50
W
& QUOT ;
1%
Presicion厚
薄膜片式电阻
QFN 16评价
QFN 16封装
设备
产品型号
1420701851
32K24340ME3
5015
06035C103KAT2A
T491C106K016AS
ERJ2RKF49R9X
数量。
8
网站
http://www.johnsoncomponents.com
http://www.rosenbergerna.com
http://www.keyelco.com
http://www.avxcorp.com
4
4
2
可选**
http://www.panasonic.com
评价
设备
样本
ON
半导体
ON
半导体
ECLQFN16EVB
NB4N527SMN
1
1
http://www.onsemi.com
http://www.onsemi.com
*组件都可以通过大多数的分销商,即www.newark.com , www.digikey.com
http://onsemi.com
5
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