NB4L16M
2.5V / 3.3V ， 5 Gb / s的多层次
时钟/数据输入到CML
驱动器/接收器/缓冲器/
翻译与内部
终止
描述
http://onsemi.com
记号
图*
16
1
该NB4L16M是一个差分驱动器/接收器/缓冲器/翻译
它可以接受LVPECL ， LVDS ， CML ， HSTL ， LVCMOS / LVTTL
并产生400毫伏CML输出。该设备可用于接收，
缓冲和转换的时钟或数据信号，该信号小
75 mV的操作分别高达3.5 GHz或5.0 Gb / s的。因此，它是
适用于SONET ，千兆以太网，光纤通道和背板应用
（参见表6和图20，图21和23 ） 。
差分输入包括内部50
W
终端电阻
并接受LVPECL （正ECL ） ， LVTTL / LVCMOS ， CML ， HSTL
或LVDS 。差分16毫安CML输出提供配套
内部50
W
终止和400 mV的输出摆幅，当外部
接收端接， 50
W
到V
CC
（参见图19）。这些功能
提供传输线端接在芯片上，在接收器和
驱动端，从而消除了任何使用额外的外部元件。
在V
BB
，内部产生的电源电压，可用于本
唯一设备。对于单端输入配置，未使用
互补的差分输入端被连接到V
BB
作为开关
基准电压。在V
BB
参考输出，也可以使用以
重新偏置电容耦合的差分或单端输出信号。
用于电容器耦合输入信号，V
BB
应连接到
在V
TD
引脚和旁路至地， 0.01
mF
电容。当
不使用V
BB
应由开放。
该器件采用3×3毫米16引脚QFN封装。
应用笔记，模型和支持文档可在
www.onsemi.com 。
特点
1
QFN16
MN后缀
CASE 485G
A
L
Y
W
G
NB4L
16M
ALYWG
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
V
CC
V
TD
50
W
D
D
50
W
V
TD
V
EE
R2
R1
R1
R2
Q
Q
最大输入时钟频率高达3.5 GHz
最大输入数据速率高达5.0 Gb / s的
< 0.7 ps的最大时钟抖动均方根
< 10 ps的最大数据相关抖动为2.5 Gb / s的
220 ps的典型传播延迟
60 ps的典型的上升和下降时间
CML输出与操作范围：
V
CC
= 2.375 V至3.6 V与V
EE
= 0 V
CML输出电平（ 400 mV峰峰值输出） ，
差分输出仅
50
W
内部输入和输出端接电阻
在功能上兼容现有的2.5 V / 3.3 V LVEL ， LVEP ，
EP和SG设备
无铅包可用
图1.功能框图
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第11页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年2月，
第1版
1
出版订单号：
NB4L16M/D
NB4L16M
V
CC
16
V
TD
D
D
V
TD
1
2
NB4L16M
3
4
5
V
CC
6
NC
7
V
EE
8
V
EE
V
BB
V
EE
V
EE
15
14
13
12 V
CC
11 Q
10 Q
9
V
CC
裸露焊盘（ EP ）
图2.引脚配置
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
1
2
3
4
15
6
10
11
7, 8, 13, 14
5, 9, 12, 16
名字
V
TD
D
D
V
TD
V
BB
NC
Q
Q
V
EE
V
CC
EP
CML输出
CML输出
I / O
LVPECL ， CML ， HSTL ，
LVCMOS ， LVDS ， LVTTL输入
LVPECL ， CML ， HSTL ，
LVCMOS ， LVDS ， LVTTL输入
描述
内部50
W
终止引脚。见表4 （注1 ） 。
倒差分输入。内部36.5千瓦到V
CC
和73千瓦到V
EE
（注1 ） 。
反的差分输入。内部73千瓦到V
CC
和36.5千瓦到V
EE
（注1 ） 。
内部50
W
终止引脚。见表4。（注1 ）
内部产生的基准电压源。
无连接引脚。在无连接（NC ）引脚电连接到所述
死，必须悬空。
反的差分输出。通常情况下接收端接50
W
电阻TO V
CC
.
倒差分输出。通常情况下接收端接50
W
电阻器
到V
CC
.
负电源电压
正电源电压
裸露焊盘（ EP ） 。 EP在封装底部是热连接到
死提高热传递出去的包。该垫是不被电
连接到所述管芯，但是建议要焊接到V
EE
对
PC板。
1.在差分配置中，当输入端接销（Ⅴ
TD
, V
TD
）被连接到一个共同的终止电压，如果没有信号
施加在D / D输入，则设备会容易自激振荡。
http://onsemi.com
2
NB4L16M
表2. ATTRIBUTES
特征
输入默认状态电阻
ESD保护
R1
R2
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
QFN16
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
2.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
LEVEL 1
价值
37.5千瓦
73千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 1千伏
无铅PKG
LEVEL 1
湿气敏感度（注2 ）
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
157
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
IN
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压
输入电流过R
T
(50
W
电阻器）
输出电流
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境） （注3 ）
热阻（结到外壳）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
1S2P （注3）
QFN16
QFN16
QFN16
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
|D
D|
STATIC
浪涌
连续
浪涌
V
I
= V
CC
V
I
= V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
|V
CC
V
EE
|
45
80
25
50
±
0.5
40
+85
65
+150
42
35
4
265
265
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
3. JEDEC标准多层电路板
1S2P （ 1信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
http://onsemi.com
3
NB4L16M
表4.直流特性，时钟输入， CML输出
V
CC
= 2.375 V至3.8 V ，V
EE
= 0 V ，T
A
=
40°C
至+ 85°C
符号
I
CC
V
OH
V
OL
V
TH
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHD
V
ILD
V
CMR
V
ID
I
IH
I
IL
R
TIN
R
TOUT
R
温度
COEF
特征
电源电流（输入和输出打开）
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
民
30
V
CC
40
V
CC
500
1050
V
th
+ 150
V
EE
V
CC
1500
1200
V
EE
1125
150
D
D
D
D
0
0
100
150
40
40
典型值
45
V
CC
10
V
CC
400
最大
55
V
CC
V
CC
300
V
CC
150
V
CC
V
th
150
单位
mA
mV
mV
差分输入单端驱动
（图15和17）的
输入阈值的基准电压范围（注6 ）
单端输入高电压
单端输入低电压
内部产生的参考电压电源（满载
100
毫安）
差分输入高电压
差分输入低电压
输入共模范围（差分配置）
差分输入电压（V
IHD
V
ILD
)
输入大电流（ VTD / VTD打开）
低输入电流（ VTD / VTD打开）
内部输入终端电阻
内部输出终端电阻
内部I / O终端电阻温度系数
mV
mV
mV
mV
V
CC
1400
V
CC
1300
V
CC
V
CC
150
V
CC
– 75
V
CC
– V
EE
差分输入差分驱动
（图16和18）的
mV
mV
mV
mV
mA
mA
W
W
毫瓦/°C的
100
50
50
100
50
50
16
150
100
0
0
60
60
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4. CML输出需要50
W
接收端接电阻到V
CC
正确操作。参见图14 。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
6. V
th
在单端模式下操作时被施加到所述互补输入。
7. V
CMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
CMRmax
变化1： 1结合V
CC
。在V
CMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
NB4L16M
表5. AC特性
V
CC
= 2.375 V至3.8 V ，V
EE
= 0 V ; （注8）
40°C
符号
V
OUTpp
f
数据
t
PLH
,
t
PHL
t
SKEW
t
抖动
特征
输出电压幅值（ @V
INPPMIN
) f
in
≤
3.5 GHz的
（图3和4）
f
in
≤
4.5 GHz的
最大工作数据速率
传播延迟到输出差分@ 0.5 GHz的
（图6）
占空比歪斜（注9 ）
设备到设备倾斜（注13 ）
RMS的随机时钟抖动（注11 ）
f
in
≤
4.5 GHz的
民
280
150
3.5
175
典型值
400
300
5.0
215
2.0
6.0
0.2
1.5
2.0
9.0
75
60
265
10
90
0.7
10
12
25
V
CC
V
EE
90
75
60
最大
民
280
150
3.5
175
25°C
典型值
400
300
5.0
220
2.0
6.0
0.2
1.5
2.0
9.0
265
10
90
0.7
10
12
25
V
CC
V
EE
90
75
最大
民
280
150
3.5
175
85°C
典型值
400
300
5.0
225
2.0
6.0
0.2
1.5
2.0
9.0
V
CC
V
EE
60
90
265
10
90
0.7
10
12
25
mV
ps
最大
单位
mV
Gb / s的
ps
ps
ps
峰 - 峰值数据相关抖动
（注12 ）
f
数据
= 2.5 Gb / s的
f
数据
= 3.5 Gb / s的
f
数据
= 5.0 Gb / s的
V
INPP
t
r
t
f
输入电压摆幅/灵敏度
（差分配置） （注10 ）
输出上升/下降时间@ 0.5 GHz的
（图5）
(20%
80%)
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8.测量，迫使V
INPP
（MIN） ，从一个50％占空比的时钟源。所有的加载与外部R
L
= 50
W
到V
CC
。输入边沿速率40 PS
(20%
80％）。参见图12和14 。
9.占空比偏差测量用Tpw-和TPW + @ 0.5 GHz的总和的差差分输出之间。
10. V
INPP
（MAX），不能超过V
CC
V
EE
。输入的电压摆幅是单端测量中的差分模式下操作。参见图11 。
11.添加剂RMS抖动为50％的占空比的输入时钟信号。
12.添加剂的峰 - 峰数据与NRZ输入数据信号相关抖动， PRBS 2
23
1
和K28.7格局。参见图7 ，8，9 ，10，11和12 。
13.设备到设备的歪斜在相同的输出转换之间测量@ 0.5 GHz的。
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
