NB3N511
3.3V / 5.0V 14 MHz至
200 MHz的PLL时钟
倍增器
描述
该NB3N511是一个时钟乘法器，将产生的九分之一
输入频率通过两个3级可选输出倍数
选择输入（ S0 ， S1） 。它接受一个标准的基本模式晶体
或外部参考时钟信号。锁相回路（PLL）的
设计技术被用来产生一个低抖动， TTL电平的时钟
输出高达200 MHz具有50 ％的占空比。输出使能（ OE ）
销被设置，并且当置位为低时，时钟输出进入
三态（高阻） 。该NB3N511在常用
电子系统作为一个成本高效的替代晶体
振荡器
特点
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标记图
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
3N511
A
L
Y
W
G
8
3N511
ALYWG
G
1
时钟输出频率高达200 MHz
输入频率九个可选择乘
经营范围： V
DD
= 3.3 V
±10%
或5.0 V
±5%
25 ps的一个西格玛（ RMS）低抖动输出
零PPM时钟倍频错误
45%
55 ％输出占空比
TTL / CMOS输出为25 mA TTL电平驱动器
5水晶基准电压输入范围
32兆赫
1输入时钟频率范围
50兆赫
OE ，与三态输出输出使能
8引脚SOIC
工业温度范围
40°C
至+ 85°C
这些无铅器件
V
DD
X1/ICLK
晶体或
时钟
C
LX2
C
LX1
X2
水晶
振荡器
倍增器
SELECT
÷
M
S1 S0
GND
÷
P
相
探测器
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
收费
泵
VCO
TTL /
CMOS
产量
CLKOUT
反馈
OE
图1. NB3N511逻辑图
半导体元件工业有限责任公司， 2012
， 2012年5月
第3版
1
出版订单号：
NB3N511/D
NB3N511
表1.时钟乘法器选择表
S1*
L
L
L
M
M
M
H
H
H
S0*
L
M
H
L
M
H
L
M
H
CLKOUT乘数
4X输入
5.333X输入
5X输入
2.5X输入
2X输入
3.333X输入
6X输入
3X输入
8X输入
S1
4
5
CLKOUT
GND
3
6
X1/ICLK
V
DD
1
2
8
7
X2
OE
S0
图2. NB3N511封装引脚，
8引脚（ 150 mil）的SOIC （顶视图）
*引脚S1和S0默认为M时打开
L = GND
H = VDD
M =开路（不连接，默认为VDD / 2 ）
表2.引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
X1/ICLK
VDD
GND
S1
CLKOUT
S0
OE
X2
I / O
晶体或
LVCMOS / LVTTL输入
电源
电源
三电平输入
LVCMOS / LVTTL
产量
三电平输入
LVCMOS / LVTTL输入
水晶
描述
晶振或外部参考时钟输入
正电源电压
0 V.地面。
乘数选择引脚
连接到V
DD
， GND或浮动
时钟输出
乘数选择引脚
连接到V
DD
， GND或浮动
输出使能。 CLKOUT是高阻抗，当OE为低。内部上拉
晶振输入 - 提供外部时钟参考时悬空
表3.公共输出频率
示例
输出频率
（兆赫）
20
24
30
32
33.33
37.5
40
48
50
60
64
输入频率
（兆赫）
10
12
10
16
16.66
15
10
12
20
10
16
S1, S0
M, M
M, M
H，M
M, M
M, M
M，L
L, L
L, L
M，L
H，L
L, L
表4.公共输出频率
示例
输出频率
（兆赫）
66.66
72
75
80
83.33
90
100
120
125
133.3
150
输入频率
（兆赫）
20
12
25
10
25
15
20
15
25
25
25
S1, S0
M ， H
H，L
H，M
H, H
M ， H
H，L
L，H
H, H
L，H
L，M
H，L
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2
NB3N511
表4. ATTRIBUTES
特征
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
＆ GT ; 1千伏
＆ GT ; 150 V
＆ GT ; 1千伏
270千瓦
SOIC8
氧指数：28 34
LEVEL 1
UL 94 V 0 @ 0.125
9555
RPU
OE输入上拉电阻
湿度敏感度（注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
表5.最大额定值
符号
V
DD
V
IO
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
正电源。
输入和输出电压
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
无铅
0 LFPM
500 LFPM
（注2 ）
SOIC8
SOIC8
SOIC8
条件1
GND = 0 V
条件2
等级
7
0.5
V
v
V
IO
v
V
DD
+ 0.5
40
+85
65
+150
190
130
41至44
265
单位
V
V
°C
°C
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
2. JEDEC标准多层电路板
2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
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3
NB3N511
表6.直流特性
V
DD
= 3.3 V
±10%
或5.0 V
±
5％ ，除非另有说明，GND = 0V ，T
A
=
40°C
至+ 85°C
符号
V
DD
I
DD
工作电压
特征
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3.3 V
民
4.75
3.0
9
8
V
DD
0.4
2.4
0.4
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3.3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3.3 V
V
DD
0.5
0.5
2.0
0.8
4
±70
20
(V
DD
/ 2) + 1
(V
DD
/ 2) + 0.7
(V
DD
/ 2)
1
(V
DD
/ 2)
0.7
典型值
最大
5.25
3.6
单位
V
mA
电源电流 - 输入和输出打开， CLKOUT工作
在100兆赫（ 20 MHz晶振）
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3.3 V
输出高电压I
OH
=
4
mA的CMOS高
输出高电压I
OH
=
25
毫安TTL高
输出低电压I
OL
= 25毫安
输入高电压，只有ICLK （引脚1 ）
输入电压低，只有ICLK （引脚1 ）
输入高电压， S0 ， S1
输入电压低， S0 ， S1
输入高电压， OE （引脚7 ）
输入电压低， OE （引脚7 ）
输入电容， S0 ， S1和OE
输出短路电流， CLKOUT
额定输出阻抗
V
OH
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
C
in
I
SC
V
V
V
V
V
V
V
V
V
pF
mA
W
表7. AC特性
V
DD
= 3.3 V
±10%
或5.0 V
±
5％ ，除非另有说明，GND = 0V ，T
A
=
40°C
至+ 85°C
符号
f
XTAL
f
CLKIN
f
OUT
特征
晶振输入频率（注3 ）
时钟输入频率
输出频率范围F
outmin
≤
f
IN
×乘数
≤
f
OUTMAX
V
DD
= 4.25至5.25 V （ 5.0 V
±
5%)
V
DD
= 3.0 3.6 V （ 3.3 V
±
10%)
输出时钟占空比在1.5 V
输出使能时间， OE高输出的
输出禁止时间， OE低到三态
周期抖动（RMS ， 1
s)
总周期抖动（峰 - 峰）
输出上升/下降时间（0.8至2.0V ）（用15 pF负载测量）
民
5
1
14
14
45
50
50
50
25
±70
1
1.5
典型值
最大
32
50
200
200
55
单位
兆赫
兆赫
兆赫
DC
OE
H
OE
L
t
抖动（ RMS）
t
抖动（峰到峰）
t
r
/t
f
%
ns
ns
ps
ps
ns
3.水晶应该是基本模式，并联谐振。不要使用三次泛音。对于精确调整时，使用晶体，电容
应该从引脚X1 / CLK连接到GND和X2到GND 。这些电容的值由下面的等式，其中，给定的
C
L
是特定的晶体负载电容：水晶电容（ pF）时= （℃
L
5 ）× 2。因此，对于具有16 pF的负载电容，利用晶体
2 22 pF电容。
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4
NB3N511
应用信息
高频CMOS / TTL振荡器
该NB3N511 ，随着低频基本
模式水晶，可以建立一个高频TTL输出
振荡器。例如， 20MHz的晶体连接到所述
NB3N511与5X输出选择（S1 = L时， S0 = H）的
产生一个100 MHz的CMOS / TTL输出时钟。
去耦和外部元件
该NB3N511需要0.01
mF
去耦电容
连接V之间
DD
和GND引脚2和3，必须
连接靠近NB3N511以减少铅
电感。控制输入引脚可以连接到设备
引脚V
DD
或GND ，或在V
DD
在和GND飞机
板。
系列终端电阻
从X1的小电容到地，从X2到地面。
这些电容器用于调节的杂散电容
主板相匹配的要求名义上晶体负载
电容。由于负载电容只能是
在此修整过程中增加时，它保持是非常重要的
杂散电容为最小通过使用非常短的印刷电路板
痕迹（没有通孔）的晶体和器件之间。水晶
电容，如果需要的话，必须从每个所连接的
引脚X1和X2接地。这些晶体的值（单位为pF ）
帽应等于（C
L
为12pF ） * 2。在这个等式中，C
L
=
晶体负载电容的单位为pF 。例如：对于一个水晶
一个16 pF的负载电容，每个电容水晶会
8 pF的[ （ 16
12) x 2 = 8].
表8.推荐的晶体参数
参数
水晶切割
共鸣
负载电容
工作范围
旁路电容
等效串联电阻（ESR ）
相关驱动电平
价值
基频AT切
并联谐振
18 pF的
40
至+ 85°C
5 pF的最大
50
W
最大
1.0毫瓦最大
A 33
W
终端电阻可以用来旁CLK
引脚走线长度超过一英寸。
水晶资讯
所使用的晶体应该是一个基本的模式（不
使用第三个泛音） ，并联谐振。晶体负载
电容应连接在X1引脚接地，
X2的接地，以优化频率精度，见
图1 。
总芯片上电容约为12pF的。一
并联谐振，基本模式晶体应该被使用。
该器件晶振连接应包括垫
订购信息
设备
NB3N511DG
NB3N511DR2G
包
SOIC8
（无铅）
SOIC8
（无铅）
航运
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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5
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