NB3N2304NZ
3.3V 1 ： 4时钟扇出
卜FF器
描述
该NB3N2304NZ是一个低偏移1至4时钟扇出缓冲器，
设计用于高速时钟分配如在PCI-X的
应用程序。该NB3N2304NZ保证低输出至输出
歪斜。优化设计，布局和最小化的处理在一个倾斜
设备和从设备到设备。
输出使能（ OE ）引脚强制输出低电平时低。
特点
http://onsemi.com
记号
图*
NB3N
2304
YWWA
G
输入/输出时钟频率高达140 MHz的
低偏移输出（ 100 PS）
OUTPUT ENABLE
经营范围： V
DD
= 3.0 V至3.6 V
非常适用于PCI-X和网络时钟
封装采用8引脚TSSOP封装，4.4毫米x 3毫米
工业温度范围
这些无铅器件*
TSSOP8
DT后缀
CASE 948S
1
DFN8
TBD后缀
CASE 506AA
A
Y
WW
G
1
XX M
4
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
图1.简化的逻辑图
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年9月，
第0版
1
出版订单号：
NB3N2304NZ/D
NB3N2304NZ
OE
逻辑
控制
Q1
Q2
IN
Q3
Q4
IN
OE
Q1
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
Q4
Q3
V
DD
Q2
图2.框图
图3. NB3N2304NZ封装引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
针
名字
IN
OE
Q1
GND
Q2
V
DD
Q3
Q4
TYPE
LVCMOS / LVTTL输入
LVCMOS / LVTTL输入
LVCMOS / LVTTL输出
动力
（ LV ） CMOS / （ LV） TTL输入
动力
（ LV ） CMOS / （ LV） TTL输出
（ LV ） CMOS / （ LV） TTL输入
时钟输入
输出使能时钟输出。当强制为高输出启用。输出
被强制为逻辑低电平时， OE被拉低。
时钟输出1
负电源电压;连接到地面， 0 V
时钟输出2
正电源电压（ 3.0 V至3.6 V ）
时钟输出3
时钟输出4
描述
表2. OE ，输出使能功能表
输入
IN
L
H
L
H
OE
L
L
H
H
L
L
L
H
输出
http://onsemi.com
2
NB3N2304NZ
表3，属性
特征
ESD保护
人体模型
机器型号
价值
> 2KV
＆ GT ; 200 V
LEVEL 1
UL 94 V-0的@ 0.125
480设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
表4.最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
正电源。
输入电压
工作温度范围，工业
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
无铅
（注2 ）
0 LFPM
500 LFPM
TSSOP8
TSSOP8
265
条件1
GND = 0 V
条件2
等级
V
DD
+ 0.5V
GND - 0.5
v
V
I
v
V
DD
+ 0.5
w
40
to
v
+85
65
+150
单位
V
V
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
2. EDEC标准多层电路板
2S2P （ 2信号， 2个电源） 。
http://onsemi.com
3
NB3N2304NZ
表5. DC特性
V
DD
= 3.0 V至3.6 V ， GND = 0 V ，T
A
=
40°C
至+ 85°C
符号
I
DD
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
CIN
特征
电源电流@ 66.66 MHz时，空载输出
输出高电压
输出低电压
输入高电压， IN和OE （注3 ）
输入低电压， IN和OE （注3 ）
输入高电流，V
IN
= V
DD
输入低电平电流，V
IN
= 0 V
输入电容，IN ， OE
50
100
5
IOH =
24
mA
ΣIOH
=
12
mA
ΣIOL
= 24毫安
ΣIOL
= 12毫安
2.0
0.8
50
100
7
2.0
2.4
0.8
0.55
民
典型值
12
最大
25
单位
mA
V
V
V
V
mA
mA
pF
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
3. IN输入为V的阈值电压
DD
/2.
表6. AC特性
V
DD
= 3.0 V至3.6 V ， GND = 0 V ，T
A
=
40°C
至+ 85 ℃（注4） （图4）
符号
f
in
t
DCskew
TR / TF
t
pd
t
SKEW
t
pu
输入时钟频率
占空比偏移= T2
÷
T1（图4 ），测量温度为1.5 V
输出上升和下降时间; 0.8至2.0V
传播延迟时间，对尺寸Qn （注5 ）
输出至输出扭曲; （注5 ）
通电时间为V
DD
达到指定的最低电压
0.05
2.5
特征
民
DC
40
50
0.9
3.5
典型值
最大
140
60
1.5
5
100
50
单位
兆赫
%
ns
ns
ps
ms
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4.所有输出同样装用C
L
= 25 pF到GND 。占空比=出来执勤，一个0.01
mF
去耦电容应连接之间
V
DD
和GND 。
5.在测量在V上升沿
DD
B
2 ;所有输出与平等的加载。
http://onsemi.com
4
NB3N2304NZ
占空比时序
t
1
t
2
1.5 V
所有输出上升/下降时间
2.0 V
0.8 V
产量
t
r
2.0 V
0.8 V
t
f
3.3 V
0V
1.5 V
1.5 V
输出输出扭曲
1.5 V
产量
产量
t
SKEW
输入输出传输延迟
V
DD
/2
输入
1.5 V
产量
t
pd
V
DD
/2
图4.开关波形
订购信息
设备
NB3N2304NZDTG
NB3N2304NZDTR2G
NB3N2304NZMNR4G*
包
TSSOP8
（无铅）
TSSOP8
（无铅）
DFN8
（无铅）
航运
100单位/铁
2500 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*请联系销售代表。
http://onsemi.com
5
NB3N2304NZ
3.3V 1 ： 4时钟扇出
卜FF器
描述
该NB3N2304NZ是一个低偏移1至4时钟扇出缓冲器，
设计用于高速时钟分配如在PCI-X的
应用程序。该NB3N2304NZ保证低输出至输出
歪斜。优化设计，布局和最小化的处理在一个倾斜
设备和从设备到设备。
输出使能（ OE ）引脚强制输出低电平时低。
特点
http://onsemi.com
记号
图*
40N
YWW
AG
TSSOP8
DT后缀
CASE 948S
输入/输出时钟频率高达140 MHz的
低偏移输出（ 100 PS）
OUTPUT ENABLE
经营范围： V
DD
= 3.0 V至3.6 V
非常适用于PCI-X和网络时钟
封装采用8引脚TSSOP封装，4.4毫米x 3毫米
工业温度范围
这些无铅器件*
1
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
A
Y
WW
G
1
XX M
4
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
图1.简化的逻辑图
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年1月，
第1版
1
出版订单号：
NB3N2304NZ/D
NB3N2304NZ
OE
逻辑
控制
Q1
Q2
IN
Q3
Q4
IN
OE
Q1
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
Q4
Q3
V
DD
Q2
图2.框图
图3. NB3N2304NZ封装引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
针
名字
IN
OE
Q1
GND
Q2
V
DD
Q3
Q4
TYPE
LVCMOS / LVTTL输入
LVCMOS / LVTTL输入
LVCMOS / LVTTL输出
动力
（ LV ） CMOS / （ LV） TTL输入
动力
（ LV ） CMOS / （ LV） TTL输出
（ LV ） CMOS / （ LV） TTL输入
时钟输入
输出使能时钟输出。当强制为高输出启用。输出
被强制为逻辑低电平时， OE被拉低。
时钟输出1
负电源电压;连接到地面， 0 V
时钟输出2
正电源电压（ 3.0 V至3.6 V ）
时钟输出3
时钟输出4
描述
表2. OE ，输出使能功能表
输入
IN
L
H
L
H
OE
L
L
H
H
L
L
L
H
输出
http://onsemi.com
2
NB3N2304NZ
表3，属性
特征
ESD保护
人体模型
机器型号
价值
> 2KV
＆ GT ; 200 V
LEVEL 1
UL 94 V-0的@ 0.125
480设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
表4.最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
正电源。
输入电压
工作温度范围，工业
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
无铅
（注2 ）
0 LFPM
500 LFPM
TSSOP8
TSSOP8
265
条件1
GND = 0 V
条件2
等级
V
DD
+ 0.5V
GND - 0.5
v
V
I
v
V
DD
+ 0.5
w
40
to
v
+85
65
+150
单位
V
V
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
2. EDEC标准多层电路板
2S2P （ 2信号， 2个电源） 。
http://onsemi.com
3
NB3N2304NZ
表5. DC特性
V
DD
= 3.0 V至3.6 V ， GND = 0 V ，T
A
=
40°C
至+ 85°C
符号
I
DD
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
CIN
特征
电源电流@ 66.66 MHz时，空载输出
输出高电压
输出低电压
输入高电压， IN和OE （注3 ）
输入低电压， IN和OE （注3 ）
输入高电流，V
IN
= V
DD
输入低电平电流，V
IN
= 0 V
输入电容，IN ， OE
50
100
5
IOH =
24
mA
ΣIOH
=
12
mA
ΣIOL
= 24毫安
ΣIOL
= 12毫安
2.0
0.8
50
100
7
2.0
2.4
0.8
0.55
民
典型值
12
最大
25
单位
mA
V
V
V
V
mA
mA
pF
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
3. IN输入为V的阈值电压
DD
/2.
表6. AC特性
V
DD
= 3.0 V至3.6 V ， GND = 0 V ，T
A
=
40°C
至+ 85 ℃（注4） （图4）
符号
f
in
t
DCskew
TR / TF
t
pd
t
SKEW
t
pu
输入时钟频率
占空比偏移= T2
÷
T1（图4 ），测量温度为1.5 V
输出上升和下降时间; 0.8至2.0V
传播延迟时间，对尺寸Qn （注5 ）
输出至输出扭曲; （注5 ）
通电时间为V
DD
达到指定的最低电压
0.05
2.5
特征
民
DC
40
50
0.9
3.5
典型值
最大
140
60
1.5
5
100
50
单位
兆赫
%
ns
ns
ps
ms
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4.所有输出同样装用C
L
= 25 pF到GND 。占空比=出来执勤，一个0.01
mF
去耦电容应连接之间
V
DD
和GND 。
5.在测量在V上升沿
DD
B
2 ;所有输出与平等的加载。
http://onsemi.com
4
NB3N2304NZ
占空比时序
t
1
t
2
1.5 V
所有输出上升/下降时间
2.0 V
0.8 V
产量
t
r
2.0 V
0.8 V
t
f
3.3 V
0V
1.5 V
1.5 V
输出输出扭曲
1.5 V
产量
产量
t
SKEW
输入输出传输延迟
V
DD
/2
输入
1.5 V
产量
t
pd
V
DD
/2
图4.开关波形
订购信息
设备
NB3N2304NZDTG
NB3N2304NZDTR2G
NB3N2304NZMNR4G*
包
TSSOP8
（无铅）
TSSOP8
（无铅）
DFN8
（无铅）
航运
100单位/铁
2500 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*请联系销售代表。
http://onsemi.com
5
NB3N2304NZ
3.3V 1 ： 4时钟扇出
卜FF器
描述
该NB3N2304NZ是一个低偏移1至4时钟扇出缓冲器，
设计用于高速时钟分配如在PCI-X的
应用程序。该NB3N2304NZ保证低输出至输出
歪斜。优化设计，布局和最小化的处理在一个倾斜
设备和从设备到设备。
输出使能（ OE ）引脚强制输出低电平时低。
特点
http://onsemi.com
记号
图*
NB3N
2304
YWWA
G
输入/输出时钟频率高达140 MHz的
低偏移输出（ 100 PS）
OUTPUT ENABLE
经营范围： V
DD
= 3.0 V至3.6 V
非常适用于PCI-X和网络时钟
封装采用8引脚TSSOP封装，4.4毫米x 3毫米
工业温度范围
这些无铅器件*
TSSOP8
DT后缀
CASE 948S
1
DFN8
TBD后缀
CASE 506AA
A
Y
WW
G
1
XX M
4
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
图1.简化的逻辑图
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年9月，
第0版
1
出版订单号：
NB3N2304NZ/D
NB3N2304NZ
OE
逻辑
控制
Q1
Q2
IN
Q3
Q4
IN
OE
Q1
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
Q4
Q3
V
DD
Q2
图2.框图
图3. NB3N2304NZ封装引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
针
名字
IN
OE
Q1
GND
Q2
V
DD
Q3
Q4
TYPE
LVCMOS / LVTTL输入
LVCMOS / LVTTL输入
LVCMOS / LVTTL输出
动力
（ LV ） CMOS / （ LV） TTL输入
动力
（ LV ） CMOS / （ LV） TTL输出
（ LV ） CMOS / （ LV） TTL输入
时钟输入
输出使能时钟输出。当强制为高输出启用。输出
被强制为逻辑低电平时， OE被拉低。
时钟输出1
负电源电压;连接到地面， 0 V
时钟输出2
正电源电压（ 3.0 V至3.6 V ）
时钟输出3
时钟输出4
描述
表2. OE ，输出使能功能表
输入
IN
L
H
L
H
OE
L
L
H
H
L
L
L
H
输出
http://onsemi.com
2
NB3N2304NZ
表3，属性
特征
ESD保护
人体模型
机器型号
价值
> 2KV
＆ GT ; 200 V
LEVEL 1
UL 94 V-0的@ 0.125
480设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
表4.最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
正电源。
输入电压
工作温度范围，工业
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
无铅
（注2 ）
0 LFPM
500 LFPM
TSSOP8
TSSOP8
265
条件1
GND = 0 V
条件2
等级
V
DD
+ 0.5V
GND - 0.5
v
V
I
v
V
DD
+ 0.5
w
40
to
v
+85
65
+150
单位
V
V
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
2. EDEC标准多层电路板
2S2P （ 2信号， 2个电源） 。
http://onsemi.com
3
NB3N2304NZ
表5. DC特性
V
DD
= 3.0 V至3.6 V ， GND = 0 V ，T
A
=
40°C
至+ 85°C
符号
I
DD
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
CIN
特征
电源电流@ 66.66 MHz时，空载输出
输出高电压
输出低电压
输入高电压， IN和OE （注3 ）
输入低电压， IN和OE （注3 ）
输入高电流，V
IN
= V
DD
输入低电平电流，V
IN
= 0 V
输入电容，IN ， OE
50
100
5
IOH =
24
mA
ΣIOH
=
12
mA
ΣIOL
= 24毫安
ΣIOL
= 12毫安
2.0
0.8
50
100
7
2.0
2.4
0.8
0.55
民
典型值
12
最大
25
单位
mA
V
V
V
V
mA
mA
pF
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
3. IN输入为V的阈值电压
DD
/2.
表6. AC特性
V
DD
= 3.0 V至3.6 V ， GND = 0 V ，T
A
=
40°C
至+ 85 ℃（注4） （图4）
符号
f
in
t
DCskew
TR / TF
t
pd
t
SKEW
t
pu
输入时钟频率
占空比偏移= T2
÷
T1（图4 ），测量温度为1.5 V
输出上升和下降时间; 0.8至2.0V
传播延迟时间，对尺寸Qn （注5 ）
输出至输出扭曲; （注5 ）
通电时间为V
DD
达到指定的最低电压
0.05
2.5
特征
民
DC
40
50
0.9
3.5
典型值
最大
140
60
1.5
5
100
50
单位
兆赫
%
ns
ns
ps
ms
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
4.所有输出同样装用C
L
= 25 pF到GND 。占空比=出来执勤，一个0.01
mF
去耦电容应连接之间
V
DD
和GND 。
5.在测量在V上升沿
DD
B
2 ;所有输出与平等的加载。
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4
NB3N2304NZ
占空比时序
t
1
t
2
1.5 V
所有输出上升/下降时间
2.0 V
0.8 V
产量
t
r
2.0 V
0.8 V
t
f
3.3 V
0V
1.5 V
1.5 V
输出输出扭曲
1.5 V
产量
产量
t
SKEW
输入输出传输延迟
V
DD
/2
输入
1.5 V
产量
t
pd
V
DD
/2
图4.开关波形
订购信息
设备
NB3N2304NZDTG
NB3N2304NZDTR2G
NB3N2304NZMNR4G*
包
TSSOP8
（无铅）
TSSOP8
（无铅）
DFN8
（无铅）
航运
100单位/铁
2500 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*请联系销售代表。
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