NB100LVEP91
2.5V / 3.3V任何级别
正输入-2.5V /
-3.3V / -5V输出NECL
翻译者
该NB100LVEP91是一个三层次的任何积极投入到NECL
输出转换器。该器件接受LVPECL ， LVTTL ， LVCMOS ，
HSTL ， CML或LVDS信号，并将其转换为差分
NECL输出信号（ -2.5 V / -3.3 V / -5 V ） 。
为了实现电平转换的LVEP91需要三个
电源轨。在V
CC
供应连接到正
供给，和V
EE
引脚应连接到负电源
供应量。 GND引脚被连接到系统接地平面。两
V
EE
和V
CC
应绕过经由0.01至地
mF
电容器。
在打开的输入条件下， D输入将在V偏置
CC
/2
而D输入将被拉至GND。这些条件将迫使
Q输出为低，从而确保稳定性。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
http://onsemi.com
记号
图*
20
1
20
NB100LVEP91
AWLYYWW
SO-20
DW后缀
CASE 751D
1
24
1
24
1
24引脚QFN
MN后缀
CASE 485L
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
N100
LP91
ALYW
典型的最大频率> 2.0 GHz的
430 ps的典型传播延迟
经营范围： V
CC
= 2.375 V至3.8 V ;
V
EE
= -2.375 V至-5.5 V ; GND = 0 V
Q输出将默认低，输入开路或接地处
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
NB100LVEP91DW
NB100LVEP91DWR2
NB100LVEP91MN
NB100LVEP91MNR2
包
SO-20
SO-20
QFN-24
QFN-24
航运
38单位/铁
1000 /磁带和放大器;卷轴
93单位/铁
3000 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年1月 - 第2版
出版订单号：
NB100LVEP91/D
NB100LVEP91
正电平
输入
D0
D0
NECL输出
Q0
Q0
引脚说明
针
DN * ， ** DN
QN，尺寸Qn
V
BB
V
CC
V
EE
GND
NC
功能
任何电平输入
ECL输出
PECL参考电压输出
正电源（ 2.5 V ， 3.3 V ）
负电源（ -2.5 V， -3.3 V， -5 V ）
地
无连接
D1
D1
Q1
Q1
V
CC
V
BB
GND
V
EE
D2
D2
Q2
Q2
*当悬空引脚默认差分低。
**引脚默认为V
CC
/ 2时处于打开状态。
GND GND Q1
Q1 GND GND
21
20
19
18
17
16
Q2
Q2
V
EE
V
EE
D2
D2
图1.逻辑图
Q0
Q0
V
CC
Q0
20
19
Q0 GND Q1 Q1 Q2 GND
18
17
16
15
14
13
Q2 NC
12
11
V
CC
V
CC
NB100LVEP91
D0
D0
1
V
CC
2
D0
3
4
5
6
7
8
9
D2
10
V
EE
1
2
3
24
23
22
NB100LVEP91
4
5
6
7
V
BB
8
D1
9
D1
10
11
12
V
CC
15
14
13
D0 V
BB
D1
D1 V
BB
D2
NC V
BB
警告：所有V
CC
, V
EE
和GND引脚必须在外部CON-
连接至电源，以保证正常运行。
警告：所有V
CC
, V
EE
和GND引脚必须在外部CON-
连接至电源，以保证正常运行。
在封装底部的导热裸露焊盘
（见案例图纸）必须连接到一个散热导管。
图2. SOIC- 20引脚引脚
（ TOP VIEW ）
图3. QFN- 24无铅引脚
（ TOP VIEW ）
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
75千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 150 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
446设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
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2
NB100LVEP91
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
OP
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
q
JA
q
JA
q
JC
T
SOL
PECL电源
NECL电源
PECL输入电压
工作电压
输出电流
PECL V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
JESD 51-3 （ 1S ，单层测试板）
热阻（结到环境）
JESD 51- 6 （ 2S2P多层测试板）与填充散热孔
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
20 SOIC
20 SOIC
24 QFN
20 SOIC
参数
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
GND = 0 V
GND = 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
V
CC
- V
EE
条件2
等级
3.8 0
-5.5到0
3.8 0
9.3 0
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
90
60
47.3
30至35
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
LVPECL输入直流特性
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= -2.375至-5.5 V， GND = 0V （注3 ）
-40
°C
符号
I
CC
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输入高电压
输入低电压
输入高电压共模范围
（差分） （注4 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
-150
民
10
1335
GND
0
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
0.5
-150
民
10
1335
GND
0
25°C
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
0.5
-150
民
10
1275
GND
0
85°C
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
单位
mA
mV
mV
V
mA
mA
注：设备的设计，以满足上表所示的DC规格，热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和大于500 LFPM保持横向气流。
3.输入参数变化1 ： 1与V
CC
. V
CC
可以改变1.3 V / -0.125 V.
4. V
IHCMR
分不同的1：1 GND。 V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
.
LVPECL输入直流特性
V
CC
= 3.3 V; V
EE
= -2.375 V至-5.5 V ; GND = 0V （注5）
-40
°C
符号
I
CC
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
V
CC
电源电流
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出参考电压（注6 ）
输入高电压共模范围
（差分） （注6 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
-150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
0.5
-150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
25°C
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
0.5
-150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
85°C
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备的设计，以满足上表所示的DC规格，热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和大于500 LFPM保持横向气流。
5.输入参数变化1 ： 1与V
CC
. V
CC
可以改变+0.5 / -0.925 V.
6. V
IHCMR
分不同的1：1 GND。 V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
.
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3
NB100LVEP91
NECL输出直流特性
V
CC
= 2.375 V至3.8 V ; V
EE
= -2.375 V至-5.5 V ; GND = 0V （注7 ）
-40
°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
V
EE
电源电流
输出高电压（注8）
输出低电压（注8）
民
40
-1 145
-1945
典型值
50
-1020
-1725
最大
60
-895
-1600
民
38
-1 145
-1945
25°C
典型值
50
1020
-1725
最大
68
-895
-1600
民
38
-1030
-1945
85°C
典型值
50
-1020
-1725
最大
68
-895
-1600
单位
mA
mV
mV
注：设备的设计，以满足上表所示的DC规格，热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和大于500 LFPM保持横向气流。
7.输出参数发生变化1 ： 1与GND 。
8.所有装载50
W
电阻到GND - 2伏。
AC特性
V
CC
= 2.375 V至3.8 V ; V
EE
= -2.375 V至-5.5 V ; GND = 0 V
-40
°C
符号
V
OPP
t
PLH
t
PHL0
t
SKEW
特征
输出电压幅值
（图4）
传播延迟
D到Q
脉冲偏差（注9 ）
输出至输出（注10 ）
部分到部分（DIFF ） （注10 ）
RMS的随机时钟抖动（注11 ）
f
in
= 2.0 GHz的
峰 - 峰值数据受养抖动F
in
= 2.0 Gbps的
（注12 ）
输入电压摆幅（注13 ）
输出上升/下降时间Q
(20% - 80%)
200
75
f
in
＆ LT ; 1.0 GHz的
f
in
＆ LT ; 1.5 GHz的
迪FF erential
单端
民
575
525
375
300
典型值
800
750
500
450
15
25
50
0.5
20
800
150
600
650
75
95
125
2.0
最大
民
600
525
375
300
25°C
典型值
800
750
500
450
15
30
50
0.5
20
200
75
800
150
600
675
75
105
125
2.0
最大
民
550
400
400
300
85°C
典型值
800
750
550
500
15
30
70
0.5
20
200
75
800
150
650
750
80
105
150
2.0
最大
单位
mV
ps
ps
t
抖动
ps
V
PP
t
r
, t
f
1200
250
1200
250
1200
275
mV
ps
9.脉冲偏差= |吨
PLH
- t
PHL
|
10.歪斜是跨特定电压范围内有效，部件到部件歪斜是对于给定的温度下进行。
11. RMS抖动为50％的占空比输入时钟信号。
12.峰到峰抖动与输入NRZ PRBS 2
31- 1
在2.0 Gbps的。
13.输入电压摆幅是单端测量中的差分模式下操作。该装置具有一个直流增益
≈
50.
850
输出幅度（MV ）
750
Q AMP
650
550
450
350
RMS抖动
250
0.5
1.0
1.5
频率（GHz ）
2.0
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
2.5
RMS抖动（ PS ）
图4中。
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4
NB100LVEP91
应用信息
所有NB100LVEP91输入可以接受LVPECL ， LVTTL ，
LVCMOS ， HSTL ， CML或LVDS信号电平。该
对于差分输入信号（LVDS ，HSTL局限性，
LVPECL ， CML或）是150 mV的最小输入摆幅
V
CC
V
CC
与3.0 V的最大输入摆幅在这些
的条件下，输入电压的范围可以从V
CC
到GND 。
实施例的接口，在50以下所示
W
环境（Z = 50
W)
V
CC
V
CC
Z
LVPECL
司机
Z
50
W
50
W
D
LVPECL91
D
LVDS
司机
Z
100
W
Z
D
LVPECL91
D
GND
V
TT
= V
CC
- 2.0 V
GND
V
EE
GND
GND
V
EE
图5.标准LVPECL接口
V
CC
V
CC
V
CC
图6.标准的LVDS接口
V
CC
V
CC
50
W
Z
HSTL
司机
Z
50
W
50
W
D
D
LVPECL91
CML
司机
Z
Z
50
W
D
LVPECL91
D
GND
GND
GND
V
EE
GND
GND
V
EE
图7.标准HSTL接口
V
CC
V
CC
图8.标准50
W
加载CML接口
V
CC
V
CC
Z
LVTTL
司机
1.5 V
（参考电压）
D
LVPECL91
D
LVCMOS
司机
Z
D
LVPECL91
开放
D
GND
GND
V
EE
GND
GND
V
EE
图9.标准LVTTTL接口
图10.标准的LVCMOS接口
（D默认为V
CC
/ 2时处于打开状态。一
V参考电压
CC
/ 2 ，应适用于
D输入，如果D的接口，以CMOS信号。 ）
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5
NB100LVEP91
2.5 V / 3.3 V任何级别
正输入端
-2.5 V / -3.3 V LVNECL
输出转换器
描述
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标记DIAGRAMS *
20
20
1
该NB100LVEP91是一个三层次的任何积极投入到NECL
输出转换器。该器件接受LVPECL ， LVTTL ， LVCMOS ，
HSTL ， CML或LVDS信号，并将其转换为差分
LVNECL输出信号（ -2.5V /
3.3
V).
为了实现电平转换的LVEP91需要三个
电源轨。在V
CC
引脚应连接到正电源
供给，和V
EE
引脚应连接到负电源
供应量。 GND引脚被连接到系统接地平面。两
V
EE
和V
CC
应绕过经由0.01至地
mF
电容器。
在打开的输入条件下， D输入将在V偏置
CC
/2
而D输入将被拉至GND。这些条件将迫使
Q输出为低状态，而Q输出端为高状态，从而将
确保稳定。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
特点
NB100LVEP91
AWLYYWWG
SO- 20 WB
DW后缀
CASE 751D
1
24
1
24
1
24引脚QFN
MN后缀
CASE 485L
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G或
G
N100
VP91
ALYWG
G
最大输入时钟频率> 2.0 GHz的典型
最大输入数据速率> 2.0 Gb / s的典型
500 ps的典型传播延迟
经营范围： V
CC
= 2.375 V至3.8 V ;
V
EE
=
2.375
V到
3.8
V ; GND = 0 V
Q输出将默认低，输入开路或接地处
无铅包可用*
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年11月
启示录13
1
出版订单号：
NB100LVEP91/D
NB100LVEP91
正电平
输入
D0
R1
D0
R1
D1
R1
D1
R1
D2
R1
D2
R1
NECL输出
Q0
R2
Q0
Q1
R2
Q1
V
CC
V
BB
GND
Q2
R2
Q2
V
EE
图1.逻辑图
表1.引脚说明
针
SOIC
1, 20
QFN
3, 4, 12
名字
V
CC
I / O
默认
状态
描述
正电源电压。所有V
CC
引脚必须在外部
接通电源，以保证正确操作
化。
负电源电压。所有V
EE
引脚必须在外部
接通电源，以保证正确操作
化。
地面上。
ECL参考电压输出
反的差分输入[ 0 ： 2 ] 。内部75千瓦到V
EE
.
倒差分输入[ 0 ： 2 ] 。内部75千瓦到V
EE
和
75千瓦到V
CC
。当输入开路它们默认为
(V
CC
V
EE
) / 2.
反的差分输出[ 0 ： 2 ] 。通常情况下终止
50
W
到V
TT
= V
CC
2 V
倒差分输出[ 0 ： 2 ] 。通常情况下终止与
50
W
到V
TT
= V
CC
2 V
无连接。 NC表示没有电连接到
模具和可以安全地从连接到任何电压
V
EE
到V
CC
.
裸露焊盘。 （注1 ）
10
15, 16
V
EE
14, 17
4, 7
2, 5, 8
3, 6, 9
19, 20, 23,
24
7, 11
5, 8, 13
6, 9, 14
GND
V
BB
D[0:2]
D[0:2]
LVPECL ， LVDS ， LVTTL ，
LVCMOS ， CML ， HSTL输入
LVPECL ， LVDS ，
LVTTL ， LVCMOS ，慢性粒细胞白血病，
HSTL输入
LVNECL输出
LVNECL输出
低
高
19,16,13
18,15,12
11
2, 18, 22
1, 21, 17
10
Q[0:2]
Q[0:2]
NC
不适用
EP
1.在封装底面（见附图的情况下）的导热性暴露的焊盘必须被连接到一组散热导管。
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2
NB100LVEP91
GND GND Q1
24
Q0
V
CC
Q0
20
19
Q0 GND Q1 Q1 Q2 GND
18
17
16
15
14
13
Q2 NC
12
11
Q0
V
CC
V
CC
NB100LVEP91
D0
D0
1
V
CC
2
D0
3
4
5
6
7
8
9
D2
10
V
EE
1
2
3
4
5
6
7
V
BB
8
D1
9
D1
10
11
12
V
CC
NB100LVEP91
23
22
Q1 GND GND
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Q2
Q2
V
EE
V
EE
D2
D2
裸露焊盘
（EP）的
D0 V
BB
D1
D1 V
BB
D2
NC V
BB
图2. SOIC- 20引脚引脚
（ TOP VIEW ）
图3. QFN- 24无铅引脚
（顶视图） *
*所有V
CC
, V
EE
和GND引脚必须从外部连接到电源和所述底面露出焊盘必须被连接到一个适当
散热导管，以保证正常运行。
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
(R1)
(R2)
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
SO- 20 WB
QFN24
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
2.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
LEVEL 1
LEVEL 1
价值
75千瓦
75千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 150 V
＆ GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 3
LEVEL 1
湿气敏感度（注2 ）
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
446设备
http://onsemi.com
3
NB100LVEP91
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
OP
I
OUT
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JA
q
JC
T
SOL
正电源。
负电源
正输入电压
工作电压
输出电流
PECL V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
JESD 51-3 （ 1S ，单层测试板）
热阻（结到环境）
JESD 51-6 （ 2S2P多层测试板）与填充散热孔
热阻（结到外壳）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
标准局
SOIC20
SOIC20
QFN24
QFN24
SOIC20
QFN24
参数
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
GND = 0 V
GND = 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
V
CC
V
EE
条件2
等级
3.8 0
3.8
0
3.8 0
7.6 0
50
100
±
0.5
40
+85
65
+150
90
60
37
32
30至35
11
225
225
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
表4.直流特性相输入
V
CC
= 2.5 V, V
EE
=
2.375
to
3.8
5V，GND = 0V （注3 ）
40°C
符号
I
CC
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围
（差分配置） （注4 ）
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
D
D
0.5
150
民
10
1335
GND
0
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
0.5
150
民
10
1335
GND
0
25°C
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
0.5
150
民
10
1335
GND
0
85°C
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
单位
mA
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
3.输入参数变化1 ： 1与V
CC
. V
CC
可以改变1.3 V /
0.125
V.
4. V
IHCMR
分不同的1：1 GND。 V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
.
http://onsemi.com
4
NB100LVEP91
表5. DC特性正相输入端
V
CC
= 3.3 V; V
EE
=
2.375
V到
3.8
V ; GND = 0V （注5）
40°C
符号
I
CC
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
PECL输出电压参考值
输入高电压共模范围
（差分结构） （注6）
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
D
D
0.5
150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
0.5
150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
25°C
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
0.5
150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
85°C
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入参数变化1 ： 1与V
CC
. V
CC
可以改变+0.5 /
0.925
V.
6. V
IHCMR
分不同的1：1 GND。 V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
.
表6.直流特性NECL输出
V
CC
= 2.375 V至3.8 V ; V
EE
=
2.375
V到
3.8
V ; GND = 0V （注7 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
负电源电流
输出高电压（注8）
输出低电压（注8）
民
40
1145
1945
典型值
50
1020
1770
最大
60
895
1600
民
38
1145
1945
25°C
典型值
50
1020
1770
最大
68
895
1600
民
38
1145
1945
85°C
典型值
50
1020
1770
最大
68
895
1600
单位
mA
mV
mV
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
7.输出参数发生变化1 ： 1与GND 。
8.所有装载50
W
电阻到GND
2.0 V.
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5
NB100LVEP91
2.5V / 3.3V任何级别
正输入-2.5V /
-3.3V / -5V输出NECL
翻译者
该NB100LVEP91是一个三层次的任何积极投入到NECL
输出转换器。该器件接受LVPECL ， LVTTL ， LVCMOS ，
HSTL ， CML或LVDS信号，并将其转换为差分
NECL输出信号（ -2.5 V / -3.3 V / -5 V ） 。
为了实现电平转换的LVEP91需要三个
电源轨。在V
CC
供应连接到正
供给，和V
EE
引脚应连接到负电源
供应量。 GND引脚被连接到系统接地平面。两
V
EE
和V
CC
应绕过经由0.01至地
mF
电容器。
在打开的输入条件下， D输入将在V偏置
CC
/2
而D输入将被拉至GND。这些条件将迫使
Q输出为低，从而确保稳定性。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过0.01
mF
电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
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记号
图*
20
1
20
NB100LVEP91
AWLYYWW
SO-20
DW后缀
CASE 751D
1
24
1
24
1
24引脚QFN
MN后缀
CASE 485L
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
N100
LP91
ALYW
典型的最大频率> 2.0 GHz的
430 ps的典型传播延迟
经营范围： V
CC
= 2.375 V至3.8 V ;
V
EE
= -2.375 V至-5.5 V ; GND = 0 V
Q输出将默认低，输入开路或接地处
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
NB100LVEP91DW
NB100LVEP91DWR2
NB100LVEP91MN
NB100LVEP91MNR2
包
SO-20
SO-20
QFN-24
QFN-24
航运
38单位/铁
1000 /磁带和放大器;卷轴
93单位/铁
3000 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年1月 - 第2版
出版订单号：
NB100LVEP91/D
NB100LVEP91
正电平
输入
D0
D0
NECL输出
Q0
Q0
引脚说明
针
DN * ， ** DN
QN，尺寸Qn
V
BB
V
CC
V
EE
GND
NC
功能
任何电平输入
ECL输出
PECL参考电压输出
正电源（ 2.5 V ， 3.3 V ）
负电源（ -2.5 V， -3.3 V， -5 V ）
地
无连接
D1
D1
Q1
Q1
V
CC
V
BB
GND
V
EE
D2
D2
Q2
Q2
*当悬空引脚默认差分低。
**引脚默认为V
CC
/ 2时处于打开状态。
GND GND Q1
Q1 GND GND
21
20
19
18
17
16
Q2
Q2
V
EE
V
EE
D2
D2
图1.逻辑图
Q0
Q0
V
CC
Q0
20
19
Q0 GND Q1 Q1 Q2 GND
18
17
16
15
14
13
Q2 NC
12
11
V
CC
V
CC
NB100LVEP91
D0
D0
1
V
CC
2
D0
3
4
5
6
7
8
9
D2
10
V
EE
1
2
3
24
23
22
NB100LVEP91
4
5
6
7
V
BB
8
D1
9
D1
10
11
12
V
CC
15
14
13
D0 V
BB
D1
D1 V
BB
D2
NC V
BB
警告：所有V
CC
, V
EE
和GND引脚必须在外部CON-
连接至电源，以保证正常运行。
警告：所有V
CC
, V
EE
和GND引脚必须在外部CON-
连接至电源，以保证正常运行。
在封装底部的导热裸露焊盘
（见案例图纸）必须连接到一个散热导管。
图2. SOIC- 20引脚引脚
（ TOP VIEW ）
图3. QFN- 24无铅引脚
（ TOP VIEW ）
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
75千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 150 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
446设备
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
http://onsemi.com
2
NB100LVEP91
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
OP
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
q
JA
q
JA
q
JC
T
SOL
PECL电源
NECL电源
PECL输入电压
工作电压
输出电流
PECL V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
JESD 51-3 （ 1S ，单层测试板）
热阻（结到环境）
JESD 51- 6 （ 2S2P多层测试板）与填充散热孔
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
20 SOIC
20 SOIC
24 QFN
20 SOIC
参数
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
GND = 0 V
GND = 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
V
CC
- V
EE
条件2
等级
3.8 0
-5.5到0
3.8 0
9.3 0
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
90
60
47.3
30至35
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
LVPECL输入直流特性
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= -2.375至-5.5 V， GND = 0V （注3 ）
-40
°C
符号
I
CC
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输入高电压
输入低电压
输入高电压共模范围
（差分） （注4 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
-150
民
10
1335
GND
0
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
0.5
-150
民
10
1335
GND
0
25°C
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
0.5
-150
民
10
1275
GND
0
85°C
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
单位
mA
mV
mV
V
mA
mA
注：设备的设计，以满足上表所示的DC规格，热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和大于500 LFPM保持横向气流。
3.输入参数变化1 ： 1与V
CC
. V
CC
可以改变1.3 V / -0.125 V.
4. V
IHCMR
分不同的1：1 GND。 V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
.
LVPECL输入直流特性
V
CC
= 3.3 V; V
EE
= -2.375 V至-5.5 V ; GND = 0V （注5）
-40
°C
符号
I
CC
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
V
CC
电源电流
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出参考电压（注6 ）
输入高电压共模范围
（差分） （注6 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
-150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
0.5
-150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
25°C
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
0.5
-150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
85°C
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备的设计，以满足上表所示的DC规格，热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和大于500 LFPM保持横向气流。
5.输入参数变化1 ： 1与V
CC
. V
CC
可以改变+0.5 / -0.925 V.
6. V
IHCMR
分不同的1：1 GND。 V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
.
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3
NB100LVEP91
NECL输出直流特性
V
CC
= 2.375 V至3.8 V ; V
EE
= -2.375 V至-5.5 V ; GND = 0V （注7 ）
-40
°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
V
EE
电源电流
输出高电压（注8）
输出低电压（注8）
民
40
-1 145
-1945
典型值
50
-1020
-1725
最大
60
-895
-1600
民
38
-1 145
-1945
25°C
典型值
50
1020
-1725
最大
68
-895
-1600
民
38
-1030
-1945
85°C
典型值
50
-1020
-1725
最大
68
-895
-1600
单位
mA
mV
mV
注：设备的设计，以满足上表所示的DC规格，热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和大于500 LFPM保持横向气流。
7.输出参数发生变化1 ： 1与GND 。
8.所有装载50
W
电阻到GND - 2伏。
AC特性
V
CC
= 2.375 V至3.8 V ; V
EE
= -2.375 V至-5.5 V ; GND = 0 V
-40
°C
符号
V
OPP
t
PLH
t
PHL0
t
SKEW
特征
输出电压幅值
（图4）
传播延迟
D到Q
脉冲偏差（注9 ）
输出至输出（注10 ）
部分到部分（DIFF ） （注10 ）
RMS的随机时钟抖动（注11 ）
f
in
= 2.0 GHz的
峰 - 峰值数据受养抖动F
in
= 2.0 Gbps的
（注12 ）
输入电压摆幅（注13 ）
输出上升/下降时间Q
(20% - 80%)
200
75
f
in
＆ LT ; 1.0 GHz的
f
in
＆ LT ; 1.5 GHz的
迪FF erential
单端
民
575
525
375
300
典型值
800
750
500
450
15
25
50
0.5
20
800
150
600
650
75
95
125
2.0
最大
民
600
525
375
300
25°C
典型值
800
750
500
450
15
30
50
0.5
20
200
75
800
150
600
675
75
105
125
2.0
最大
民
550
400
400
300
85°C
典型值
800
750
550
500
15
30
70
0.5
20
200
75
800
150
650
750
80
105
150
2.0
最大
单位
mV
ps
ps
t
抖动
ps
V
PP
t
r
, t
f
1200
250
1200
250
1200
275
mV
ps
9.脉冲偏差= |吨
PLH
- t
PHL
|
10.歪斜是跨特定电压范围内有效，部件到部件歪斜是对于给定的温度下进行。
11. RMS抖动为50％的占空比输入时钟信号。
12.峰到峰抖动与输入NRZ PRBS 2
31- 1
在2.0 Gbps的。
13.输入电压摆幅是单端测量中的差分模式下操作。该装置具有一个直流增益
≈
50.
850
输出幅度（MV ）
750
Q AMP
650
550
450
350
RMS抖动
250
0.5
1.0
1.5
频率（GHz ）
2.0
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
2.5
RMS抖动（ PS ）
图4中。
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4
NB100LVEP91
应用信息
所有NB100LVEP91输入可以接受LVPECL ， LVTTL ，
LVCMOS ， HSTL ， CML或LVDS信号电平。该
对于差分输入信号（LVDS ，HSTL局限性，
LVPECL ， CML或）是150 mV的最小输入摆幅
V
CC
V
CC
与3.0 V的最大输入摆幅在这些
的条件下，输入电压的范围可以从V
CC
到GND 。
实施例的接口，在50以下所示
W
环境（Z = 50
W)
V
CC
V
CC
Z
LVPECL
司机
Z
50
W
50
W
D
LVPECL91
D
LVDS
司机
Z
100
W
Z
D
LVPECL91
D
GND
V
TT
= V
CC
- 2.0 V
GND
V
EE
GND
GND
V
EE
图5.标准LVPECL接口
V
CC
V
CC
V
CC
图6.标准的LVDS接口
V
CC
V
CC
50
W
Z
HSTL
司机
Z
50
W
50
W
D
D
LVPECL91
CML
司机
Z
Z
50
W
D
LVPECL91
D
GND
GND
GND
V
EE
GND
GND
V
EE
图7.标准HSTL接口
V
CC
V
CC
图8.标准50
W
加载CML接口
V
CC
V
CC
Z
LVTTL
司机
1.5 V
（参考电压）
D
LVPECL91
D
LVCMOS
司机
Z
D
LVPECL91
开放
D
GND
GND
V
EE
GND
GND
V
EE
图9.标准LVTTTL接口
图10.标准的LVCMOS接口
（D默认为V
CC
/ 2时处于打开状态。一
V参考电压
CC
/ 2 ，应适用于
D输入，如果D的接口，以CMOS信号。 ）
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