【NB100LVEP562.5V / 3.3V双ECL差分2 ： 1多路复用器描述该NB100LVEP】,IC型号NB100LVEP56DTR2G,NB100LVEP56DTR2G PDF资料,NB100LVEP56DTR2G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NB100LVEP56

2.5V / 3.3V双ECL

差分2 ： 1多路复用器

描述

该NB100LVEP56是一款双通道，全差分2 ： 1多路复用器。该

差分数据通道，使该器件非常适用于多路低

偏移时钟或差分数据信号。该器件具有两个

个人和共同的选择输入，解决了数据路径和

随机逻辑的应用程序。共性与个性选择可以接受

无论LVECL和LVCMOS输入电平。多V

BB

引脚

提供。

在V

BB

销，内部产生的电源电压，提供给

仅此设备。对于单端输入操作，未使用

差动输入被连接到V

BB

作为切换基准电压。

V

BB

还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V

BB

和V

CC

通过0.01

mF

电容和限制电流供应或吸收

0.5毫安。当不使用时，V

BB

应由开放。

特点

http://onsemi.com

记号

DIAGRAMS *

N100

VP56

ALYWG

G

TSSOP20

DT后缀

CASE 948E

24

1

24

1

最大输入时钟频率> 2.5 GHz的典型

最大输入数据速率> 2.5 Gb / s的典型

525 ps的典型传播延迟

薄型QFN封装

PECL模式经营范围：

V

CC

= 2.375 V至3.8 V与V

EE

= 0 V

NECL模式经营范围：

V

CC

= 0 V与V

EE

=

2.375

V到

3.8

V

独立的，普通的选择，与个人选择

（兼容ECL和CMOS输入电平）

Q输出将默认低，输入开路或在V

EE

多V

BB

输出

无铅包可用

24引脚QFN

MN后缀

CASE 485L

A

L

Y

W

G

N100

VP56

ALYWG

G

=大会地点

=晶圆地段

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*有关其他标识信息，请参阅

应用笔记AND8002 / D 。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第8页。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年11月

9牧师

1

出版订单号：

NB100LVEP56/D

NB100LVEP56

表1.引脚功能说明

TSSOP

14,20

11

QFN

3,9,18,19,

20

15,24

6,12

4

5

7

8

10

11

13

14

2

1

17

16

23

22

21

3,8

1

2

4

5

6

7

9

10

19

18

13

12

17

16

15

不适用

PIN号

名字

V

CC

V

EE

I / O

ECL输入

ECL输出

ECL ， CMOS

输入

ECL ， CMOS

输入

ECL ， CMOS

输入

默认

状态

低

高

低

高

低

高

低

高

低

描述

正电源电压。所有的VCC引脚必须在外部

连接到电源，以保证正常运行。

负电源电压。所有的VEE引脚必须在外部

连接到电源，以保证正常运行。

ECL参考电压输出

反的差分数据输入到MUX 0内部75千瓦到

V

EE

.

倒差分数据输入到MUX 0内部75千瓦到V

EE

和37千瓦到V

CC

.

反的差数据B的输入MUX 0内部75千瓦到

V

EE

.

倒差数据B的输入MUX 0内部75千瓦到V

EE

和37千瓦到V

CC

.

反的差分数据输入到MUX 1.内部75千瓦到

V

EE

.

倒差分数据输入到MUX 1.内部75千瓦到V

EE

和37千瓦到V

CC

.

反的差数据B的输入MUX 1.内部75千瓦到

V

EE

.

倒差数据B的输入MUX 1.内部75千瓦到V

EE

和37千瓦到V

CC

.

反的差分输出MUX 0。通常与终止

50

W

到V

TT

= V

CC

2.0 V.

倒差分输出MUX 0。通常与终止

50

W

到V

TT

= V

CC

2.0 V.

反的差分输出MUX 1.通常情况下终止与

50

W

到V

TT

= V

CC

2.0 V.

倒差分输出MUX 1.通常情况下终止与

50

W

到V

TT

= V

CC

2.0 V.

反的差分输入选择到MUX 0内部75

W

to

V

EE

.

反的差分共选择输入到这两个MUX 。

内部75

W

到V

EE

.

反的差分输入选择到MUX 1.内部75

W

to

V

EE

.

裸露焊盘。（注1 ）

V

BB0

,

V

BB1

D0a

D0b

D1a

D1b

Q0

Q1

SEL0

COM_SEL

SEL1

EP

1.在封装底面（见附图的情况下）的导热性暴露的焊盘必须被连接到一散热管。

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2

NB100LVEP56

D0a

R

1

D0a

R

1

D0b

R

1

D0b

R

1

D1a

R

1

D1a

R

1

D1b

R

1

D1b

R

1

R

2

1

Q0

R

2

R

2

1

R

2

图1.逻辑图

COM_SEL

SEL0

SEL1

V

CC

V

CC

V

EE

Q0

Q1

20

19

18

17

16

15

NB100LVEP56

1

D0a

2

D0a

3

V

BBO

4

D0b

5

D0b

6

D1a

D1b

V

BB1

D1a

D1b

图2. TSSOP- 20引脚引脚

（ TOP VIEW ）

表3，属性

特征

内部输入下拉电阻

内部输入上拉电阻

ESD保护

(R1)

(R2)

人体模型

机器型号

带电器件模型

铅PKG

TSSOP20

QFN24

可燃性等级

晶体管数量

符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试

1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。

氧指数：28 34

LEVEL 1

价值

75千瓦

37千瓦

＆ GT ; 2千伏

＆ GT ; 150 V

＆ GT ; 2千伏

无铅PKG

LEVEL 1

湿度敏感度（注1 ）

0

SEL0

R

1

COM_SEL

R

1

SEL1

R

1

Q1

0

V

CC

V

EE

14

13

12

11

7

8

9

10

3

表2.真值表

SEL0

X

L

H

SEL1

X

L

H

L

COM_SEL

H

L

Q0, Q0

a

b

a

Q1, Q1

a

b

a

b

COM

V

EE

SEL0 SEL SEL1 V

CC

V

CC

24

Q0

V

CC

D0a

V

BB0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

NB100LVEP56

23

22

21

20

19

裸露焊盘

（EP）的

18

17

16

15

14

13

V

CC

Q1

V

EE

D1b

D0B D0B V

CC

D1A D1a而V

BB1

图3. QFN- 24无铅引脚

（ TOP VIEW ）

符合UL 94 V -0 @ 0.125在

354设备

http://onsemi.com

NB100LVEP56

表4.最大额定值

符号

V

CC

V

EE

V

I

OUT

I

BB

T

A

T

英镑

q

JA

q

JA

参数

正式电源供应器

消极式电源供应器

正模输入电压

负模输入电压

输出电流

V

BB

吸入/源

工作温度范围

存储温度范围

热阻（结到环境）

JEDEC 51-3 （ 1S

单层测试板）

热阻（结到环境）

JEDEC 51-6 （ 2S2P -多层测试板）

与填充的散热孔

热阻（结到外壳）

波峰焊

Pb

无铅

0 LFPM

500 LFPM

0 LFPM

500 LFPM

标准局

TSSOP20

QFN24

TSSOP20

QFN24

条件1

V

EE

= 0 V

V

CC

= 0 V

V

EE

= 0 V

V

CC

= 0 V

连续

浪涌

V

I

v

V

CC

V

I

w

V

EE

条件2

等级

6

50

100

"0.5

40

+85

65

+150

140

50

37

32

23 41

11

265

单位

V

mA

°C

° C / W

°C

q

JC

T

SOL

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作

推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响

器件的可靠性。

表5. DC特性， PECL

V

CC

= 2.5 V, V

EE

= 0V （注2）

40°C

符号

I

EE

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

V

IHCMR

I

IH

I

IL

特征

负电源电流

输出高电压（注3 ）

输出低电压（注3 ）

输入高电压（ SEL0 ， SEL1 ， COM_SEL ）

输入高电压（D输入）（注4 ）

输入低电压（ SEL0 ， SEL1 ， COM_SEL ）

输入电压低（D输入）（注4 ）

输入高电压共模范围

（差分配置）（注5 ）

输入大电流（ @V

IH

)

低输入电流（ @V

IL

)

D

SEL

0.5

150

民

35

1355

555

1335

V

EE

555

1.2

典型值

45

1480

775

最大

55

1605

900

V

CC

1620

875

2.5

150

0.5

150

民

35

1355

555

1335

V

EE

555

1.2

25°C

典型值

45

1480

775

最大

55

1605

900

V

CC

1620

875

2.5

150

0.5

150

民

35

1355

555

1275

V

EE

555

1.2

85°C

典型值

48

1480

775

最大

58

1605

900

V

CC

1620

875

2.5

150

单位

mA

mV

V

mA

注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时

板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证

工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制

值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。

2.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V

CC

. V

EE

可以改变

0.125

V至1.3 V.

3.所有装载50

W

到V

CC

2.0 V.

4.不要用V

BB

在V

CC

＆ LT ; 3.0 V.

5. V

IHCMR

分变化1： 1结合V

EE

, V

IHCMR

最大变化1 ： 1与V

CC

。在V

IHCMR

范围是相对于所述差分的最正侧

输入信号。

http://onsemi.com

4

NB100LVEP56

表6.直流特性， PECL

V

CC

= 3.3 V, V

EE

= 0 V （注6 ）

40°C

符号

I

EE

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

V

BB

V

IHCMR

I

IH

I

IL

特征

负电源电流

输出高电压（注7 ）

输出低电压（注7 ）

输入高电压（ SEL0 ， SEL1 ， COM_SEL ）

输入高电压（ D输入）

输入低电压（ SEL0 ， SEL1 ， COM_SEL ）

输入电压低（ D输入）

输出参考电压（注8）

输入高电压共模范围

（差分结构）（注9）

输入大电流（ @V

IH

)

低输入电流（ @V

IL

)

D

SEL

0.5

150

民

35

2155

1355

2135

V

EE

1355

1775

1.2

1875

典型值

45

2280

1575

最大

55

2405

1700

V

CC

2420

1675

1975

3.3

150

0.5

150

民

35

2155

1355

2135

V

EE

1355

1775

1.2

1875

25°C

典型值

45

2280

1575

最大

55

2405

1700

V

CC

2420

1675

1975

3.3

150

0.5

150

民

35

2155

1355

2135

V

EE

1355

1775

1.2

1875

85°C

典型值

48

2280

1575

最大

58

2405

1700

V

CC

2420

1675

1975

3.3

150

单位

mA

mV

V

mA

注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时

板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证

工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制

值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。

6.输入和输出参数的变化1： 1结合V

CC

. V

EE

可以改变+0.5 V至

0.3

V.

7.所有装载50

W

到V

CC

2.0 V.

8.单端输入操作仅限于V

CC

w

3.0 V在PECL模式。

9. V

IHCMR

分变化1： 1结合V

EE

, V

IHCMR

最大变化1 ： 1与V

CC

。在V

IHCMR

范围是相对于所述差分的最正侧

输入信号。

表7.直流特性， NECL

V

CC

= 0 V, V

EE

=

3.8

V到

2.375

V（注10 ）

40°C

符号

I

EE

V

OH

V

OL

V

IH

特征

负电源电流

输出高电压（注11 ）

输出低电压（注11 ）

输入高电压

（ SEL0 ， SEL1 ， COM_SEL ）

输入高电压（ D输入）

输入低电压

（ SEL0 ， SEL1 ， COM_SEL ）

输入电压低（ D输入）

输出参考电压（注12 ）

输入高电压共模

范围（差分配置）

（注13 ）

输入大电流（ @V

IH

)

低输入电流（ @V

IL

)

D

SEL

0.5

150

民

35

1145

1945

1165

V

EE

1945

1525

1425

典型值

45

1020

1725

最大

55

895

1600

V

CC

880

1600

1325

0.0

民

35

1145

1945

1165

V

EE

1945

1525

1425

25°C

典型值

45

1020

1725

最大

55

895

1600

V

CC

880

1600

1325

0.0

民

35

1145

1945

1165

V

EE

1945

1525

1425

85°C

典型值

48

1020

1725

最大

58

895

1600

V

CC

880

1600

1325

0.0

单位

mA

mV

V

IL

mV

V

BB

V

IHCMR

mV

V

EE

+1.2

V

EE

+1.2

V

EE

+1.2

I

IH

I

IL

150

0.5

150

0.5

150

mA

注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时

板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证

工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制

值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。

10.输入和输出参数的变化1： 1结合V

CC

.

11.所有装载50

W

到V

CC

2.0 V.

12.单端输入的操作被限制到V

EE

从

3.0

V到

5.5

V在NECL模式。

13. V

IHCMR

分变化1： 1结合V

EE

, V

IHCMR

最大变化1 ： 1与V

CC

。在V

IHCMR

范围是相对于所述差分的最正侧

输入信号。

http://onsemi.com

5