NAND01G-N

1千兆（ X8 / X16 ） 2112字节页的NAND闪存和

512兆位（ X16 ） LPSDRAM ， 1.8V ，多芯片封装

初步数据

功能摘要

■

多芯片封装

- NAND闪存

- 512 MB或1千兆（ X8 / X16 ）大页

尺寸NAND闪存

- 512兆位（ X16 ） SDR或DDR LPSDRAM

温度范围

- -30至85 ℃的

电源电压

- NAND闪存： V

DDF

= 1.7V至1.95V

- LPSDRAM ： V

DDD

= V

DDQD

= 1.7V至1.9V

电子签名

ECOPACK

套餐

FBGA

■

TFBGA107 10.5 ×13× 1.2毫米

TFBGA149 10 X 13.5 X 1.2毫米

■

■

■

SDR / DDR LPSDRAM

■

■

■

■

■

■

FL灰内存

■

接口： x16总线宽度

可编程部分阵列自刷新

自动温度补偿自刷新

深度掉电模式

1.8V LVCMOS接口

由BA0控制四路内部银行和

BA1

裹顺序：顺序/交错

自动和控制预充电

自动刷新和自刷新

8,192刷新周期/ 64ms的

突发终止突发停止命令和

预充电命令

NAND接口

- x8或x16总线宽度

- 复用的地址/数据

PAGE SIZE

- X8设备： （ 2048 + 64备用）字节

- X16设备： （ 1024 + 32备用）字

BLOCK SIZE

- X8设备： （ 128K + 4K备用）字节

- X16设备： （ 64K + 2K备用）词

页面读取/编程

- 随机存取：在25μs （最大值）

- 顺序存取：为50ns （分钟）

- 页编程时间： 300μS （典型值）

复制回编程模式

- 快速页复印，无需外部缓冲

快速块擦除

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）

芯片使能“不在乎”

- 简单的接口与微控制器

状态寄存器

■

■

■

■

■

■

■

■

■

■

■

■

2006年1月

Rev1.0

1/23

www.st.com

2

这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有

更改，恕不另行通知。

NAND01G-N

表1中。

参考

NAND01G-N

NAND01GR4N5

1Gbit的1.8V （ X16 ）的512Mb DDR （ X16 ）， 1.8V ， 133 MHz的

TFBGA149

1. SDR =单倍数据速率; DDR =双倍数据速率。

产品列表

产品型号

NAND01GR3N6

NAND产品

1Gbit的1.8V （ X8 ）

LPSDRAM产品

(1)

SDR的512M （ X16 ） 1.8V ， 133MHz的

包

TFBGA107

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Rev1.0

NAND01G-N

目录

目录

1

概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

NAND闪存组件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

LPSDRAM的组成部分。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

2

信号的描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

2.1

2.2

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2.4

2.5

2.6

2.7

2.8

2.9

2.10

2.11

2.12

2.13

2.14

2.15

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2.17

2.18

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2.20

2.21

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闪存的输入/输出（ I / O0 -I / O7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪存的输入/输出（ I / O8 -I / O15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

Flash存储器地址锁存使能（ AL ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪存的命令锁存使能（ CL ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪存芯片使能（ EF ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪存的读使能（ R） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

闪存的写使能（ WF ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

闪存存储器写保护（WP ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

闪存存储器就绪/忙（ RB ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

闪存的V

DDF

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

闪存的V

SSF

地面上。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

LPSDRAM地址输入（ A0 - A12 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

LPSDRAM银行选择地址输入（ BA0 - BA1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

LPSDRAM数据输入/输出（ DQ0 - DQ15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

LPSDRAM片选（ ED） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

LPSDRAM列地址选通（ CAS） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

LPSDRAM行地址选通（RAS）的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

LPSDRAM写使能（ WD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

LPSDRAM时钟输入（ K） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

LPSDRAM时钟输入（ K） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

LPSDRAM时钟使能（ KE ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

LPSDRAM下/上的数据输入/输出面膜（ DQM0 ， DQM1 ） 。 。 。 。 。 15

上/下限的数据读/写选通输入/输出（ LDQS ， UDQS ） 。 。 。 。 15

LPSDRAM V

DDD

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

LPSDRAM V

DDQD

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

LPSDRAM V

SSD

地面上。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

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功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

包装机械。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

部分编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

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表格清单

表格清单

表1中。

表2中。

表3中。

表4 。

表5 。

表6 。

表7中。

产品列表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2

信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

TFBGA107 10.5x13mm - 10X14活跃球阵列， 0.80毫米间距，机械数据。 。 。 。 。 。 19

TFBGA149 10x13.5mm - 12x16活跃球阵列， 0.80毫米间距，机械数据。 。 。 。 。 。 20

订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21

文档修订历史记录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

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1千兆（ X8 / X16 ） 2112字节页的NAND闪存和

512兆位（ X16 ） LPSDRAM ， 1.8V ，多芯片封装

初步数据

功能摘要

■

多芯片封装

- NAND闪存

- 512 MB或1千兆（ X8 / X16 ）大页

尺寸NAND闪存

- 512兆位（ X16 ） SDR或DDR LPSDRAM

温度范围

- -30至85 ℃的

电源电压

- NAND闪存： V

DDF

= 1.7V至1.95V

- LPSDRAM ： V

DDD

= V

DDQD

= 1.7V至1.9V

电子签名

ECOPACK

套餐

FBGA

■

TFBGA107 10.5 ×13× 1.2毫米

TFBGA149 10 X 13.5 X 1.2毫米

■

■

■

SDR / DDR LPSDRAM

■

■

■

■

■

■

FL灰内存

■

接口： x16总线宽度

可编程部分阵列自刷新

自动温度补偿自刷新

深度掉电模式

1.8V LVCMOS接口

由BA0控制四路内部银行和

BA1

裹顺序：顺序/交错

自动和控制预充电

自动刷新和自刷新

8,192刷新周期/ 64ms的

突发终止突发停止命令和

预充电命令

NAND接口

- x8或x16总线宽度

- 复用的地址/数据

PAGE SIZE

- X8设备： （ 2048 + 64备用）字节

- X16设备： （ 1024 + 32备用）字

BLOCK SIZE

- X8设备： （ 128K + 4K备用）字节

- X16设备： （ 64K + 2K备用）词

页面读取/编程

- 随机存取：在25μs （最大值）

- 顺序存取：为50ns （分钟）

- 页编程时间： 300μS （典型值）

复制回编程模式

- 快速页复印，无需外部缓冲

快速块擦除

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）

芯片使能“不在乎”

- 简单的接口与微控制器

状态寄存器

■

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这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有

更改，恕不另行通知。

NAND01G-N

表1中。

参考

NAND01G-N

NAND01GR4N5

1Gbit的1.8V （ X16 ）的512Mb DDR （ X16 ）， 1.8V ， 133 MHz的

TFBGA149

1. SDR =单倍数据速率; DDR =双倍数据速率。

产品列表

产品型号

NAND01GR3N6

NAND产品

1Gbit的1.8V （ X8 ）

LPSDRAM产品

(1)

SDR的512M （ X16 ） 1.8V ， 133MHz的

包

TFBGA107

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NAND01G-N

目录

目录

1

概要说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

NAND闪存组件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

LPSDRAM的组成部分。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

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信号的描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

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2.12

2.13

2.14

2.15

2.16

2.17

2.18

2.19

2.20

2.21

2.22

2.23

2.24

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2.26

闪存的输入/输出（ I / O0 -I / O7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪存的输入/输出（ I / O8 -I / O15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

Flash存储器地址锁存使能（ AL ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪存的命令锁存使能（ CL ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪存芯片使能（ EF ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

闪存的读使能（ R） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

闪存的写使能（ WF ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

闪存存储器写保护（WP ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

闪存存储器就绪/忙（ RB ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

闪存的V

DDF

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

闪存的V

SSF

地面上。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

LPSDRAM地址输入（ A0 - A12 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

LPSDRAM银行选择地址输入（ BA0 - BA1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

LPSDRAM数据输入/输出（ DQ0 - DQ15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

LPSDRAM片选（ ED） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

LPSDRAM列地址选通（ CAS） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

LPSDRAM行地址选通（RAS）的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

LPSDRAM写使能（ WD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

LPSDRAM时钟输入（ K） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

LPSDRAM时钟输入（ K） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

LPSDRAM时钟使能（ KE ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

LPSDRAM下/上的数据输入/输出面膜（ DQM0 ， DQM1 ） 。 。 。 。 。 15

上/下限的数据读/写选通输入/输出（ LDQS ， UDQS ） 。 。 。 。 15

LPSDRAM V

DDD

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15

LPSDRAM V

DDQD

电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

LPSDRAM V

SSD

地面上。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16

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目录

NAND01G-N

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功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

包装机械。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19

部分编号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21

修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

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表格清单

表格清单

表1中。

表2中。

表3中。

表4 。

表5 。

表6 。

表7中。

产品列表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2

信号名称。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18

TFBGA107 10.5x13mm - 10X14活跃球阵列， 0.80毫米间距，机械数据。 。 。 。 。 。 19

TFBGA149 10x13.5mm - 12x16活跃球阵列， 0.80毫米间距，机械数据。 。 。 。 。 。 20

订购信息计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21

文档修订历史记录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

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