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集成电路
74F670
4×4寄存器堆(三态)
产品speci fi cation
IC15数据手册
1990年7月12日
飞利浦
半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4×4寄存器堆(三态)
74F670
特点
同时,独立的读写操作
可扩展到几乎任何字的大小和位长
三态输出
描述
该74F670是组织成4个字的16位三态寄存器文件
每4比特。独立的读写地址及使能输入
是可用的,允许同时写入到一个字位置
和读出从另一个位置。要存储的4比特字是
呈现给四个数据输入。
写地址输入( WA和WB )确定的位置
存储字。写地址输入只应改变
当写使能输入( WE)是高的传统
操作。当WE为低时,数据被输入到
地址位置。
该解决位置保持透明,而数据
WE是低。在输入处提供的数据中真实将被读出
(非反相)从三态输出的形式。数据和地址
输入被禁止,当WE为高。直接获取数据
存储在任何的四个寄存器使得可以通过单个
阅读地址输入( RA , RB ) 。被寻址的字出现在
四个输出时,读使能( RE )为低。数据输出在
高阻抗“关”状态时, RE为高。此证
输出被连接在一起,以增加单词的能力很
大数。
多达128个设备可以被堆叠以增加字长为512
通过捆绑的三态输出在一起的位置。由于限制
扩张的因素是输出大电流,进一步堆叠是
可以通过把上拉reisistors到输出端,以增加我
OH
目前可用。读设计的使能堆叠信号
设备必须保证有一个在低含量没有重叠哪
使一个以上的输出是活动的同时。并行
扩张,以产生n比特字通过驱动来完成
启用和并联的每个器件的地址输入端。
引脚配置
D1
D2
D3
RB
RA
Q3
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16 V
CC
15 D0
14 WA
13 WB
12我们
11 RE
10 Q0
9
Q1
SF01178
TYPE
74F670
典型
传播
延迟
6.5ns
典型
电源电流
(总)
50mA
订购信息
描述
16引脚塑料DIP
16引脚塑料溶胶
商用系列
V
CC
= 5V
±10%,
T
AMB
= 0 ° C至+ 70°C
N74F670N
N74F670D
PKG DWG #
SOT38-4
SOT162-1
输入和输出负载和扇出表
引脚
D0 - D3
WA , WB
RA,RB
WE
RE
Q0–Q3
描述
数据输入
写地址输入
阅读地址输入
写使能输入
读使能输入
数据输出
74F(U.L.)
HIGH / LOW
1.0/1.0
1.0/1.0
1.0/1.0
1.0/1.0
1.0/1.0
150/40
负载值
HIGH / LOW
20A/0.6mA
20A/0.6mA
20A/0.6mA
20mA/0.6mA
20mA/0.6mA
3.0mA/24mA
注意:
一( 1.0 )快速机组负荷的定义是: 20μA的高状态, 0.6毫安在低状态。
1990年7月12日
2
853-0014 99965
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4×4寄存器堆(三态)
74F670
逻辑符号
14 13
5
4
15
1
2
3
逻辑符号( IEEE / IEC )
14
0
13
WA WB RA RB D0 D1 D2 D3
5
0
4
12
Q0
Q1
Q2
Q3
11
2A
1
0
3
1A
1
RAM 4X4
0
3
12
11
WE
RE
C4 [写]
EN [读取]
10
2A
9
7
6
10
V
CC
= 16针
= GND引脚8
9
7
6
15
1
2
3
1A , 4D
SF01179
SF01180
字选择功能表
写模式
WB
L
L
H
WA
L
H
L
读取模式
RB
L
L
H
RA
L
H
L
H
经营模式
单词选择
WORD 0
WORD 1
WORD 2
WORD 3
写模式功能表
输入
WE
L
L
Dn
L
H
国内
锁存器*
L
H
经营模式
写数据
H
H
H
H =高电压等级
L =低电压等级
READ模式功能表
输入
RE
L
L
H
L
X
Z
*
国内
锁存器*
L
H
产量
经营模式
Qn
L
H
H
X
NC
数据锁存
H =高电压等级
L =低电压等级
NC =无变化
X =无关
* =写地址( WA和WB)以“内部锁存器”
必须马厩而WE为低为常规操作。
H
X
Z
=高电压电平
=低电压电平
= DO NOT CARE
=高阻抗“关闭”状态
= “的内部锁存器”由读地址的选择
( RA和RB )不是由我们或再操作限制。
1990年7月12日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4×4寄存器堆(三态)
74F670
逻辑图
RE
11
RA 5
RB 4
12
WE
WB 13
WA
14
Q
E
D
D3
3
E
Q
E
D
Q
E
D
Q
D
6
Q3
Q
E
D
D2
2
E
Q
E
D
Q
E
D
Q
D
7
Q2
Q
E
D
D1
1
E
Q
E
D
Q
E
D
Q
D
9
Q1
Q
E
D
D0
15
E
Q
E
D
Q
E
D
Q
D
10
Q0
V
CC
= 16针
= GND引脚8
SF01181
1990年7月12日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4×4寄存器堆(三态)
74F670
绝对最大额定值
(操作超出列于该表中,可能会损害设备的使用寿命的限制。
除非另有说明,这些限制在工作自由空气的温度范围内。 )
符号
V
CC
V
IN
I
IN
V
OUT
I
OUT
T
AMB
T
英镑
电源电压
输入电压
输入电流
施加电压输出高输出状态
目前适用于输出低输出状态
工作自由空气的温度范围内
储存温度
参数
等级
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-30至+5
-0.5到V
CC
48
0至+70
-65到+150
单位
V
V
mA
V
mA
°C
°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
IK
I
OH
I
OL
T
AMB
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入钳位电流
高电平输出电流
低电平输出电流
工作自由空气的温度范围内
0
参数
范围
4.5
2.0
0.8
–18
–3
24
70
5.0
最大
5.5
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
DC电气特性
(在推荐工作的自由空气的温度范围内,除非另有说明。 )
范围
符号
参数
TEST
条件
NO TAG
±10%V
CC
±5%V
CC
±10%V
CC
±5%V
CC
2.4
2.7
3.4
0.35
0.35
–0.73
0.50
0.50
–1.2
100
20
–0.6
50
–50
–60
50
V
CC
=最大
50
55
–150
70
70
80
V
V
A
A
mA
A
A
mA
mA
mA
mA
V
典型值
NO TAG
最大
单位
V
O
OH
高位
高电平输出电压
V
CC
=最小,V
IL
=最大
V
IH
=最小,我
OH
=最大
V
CC
=最小,V
IL
=最大
V
IH
=最小,我
OL
=最大
V
CC
=最小,我
I
= I
IK
V
CC
=最大,V
I
= 7.0V
V
CC
=最大,V
I
= 2.7V
V
CC
=最大,V
I
= 0.5V
V
CC
=最大,V
O
= 2.7V
V
CC
=最大,V
O
= 0.5V
V
CC
=最大
I
CCH
I
CCL
I
CCZ
V
O
OL
V
IK
I
I
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
CC
低电平输出电压
低电平
输入钳位电压
输入电流在最大输入电压
高层次的输入电流
低电平输入电流
关机状态下的输出电流,
高电平电压施加
关机状态下的输出电流,
低电平电压施加
输出短路电流
NO TAG
电源电流(总)
注意事项:
1.对于显示为MIN和MAX的条件下,使用推荐的工作条件下指定适用的类型适当的值。
2.所有典型值是在V
CC
= 5V ,T
AMB
= 25°C.
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。为了测试我
OS
中,使用高速测试装置和/或采样和保持的
技术是优选的,以便最小化内部加热和更准确地反映工作值。否则,长时间短路
1990年7月12日
5
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