AMI半导体公司
ULP存储器解决方案
670北麦卡锡大道。 220套房
加利福尼亚州米尔皮塔斯95035
电话： 408-935-7777 ，传真： 408-935-7770
N64S0818HDA/N64S0830HDA
超前信息
64Kb的低功耗串行SRAM的
8K × 8位组织
概观
在AMI半导体串行SRAM系列
包括一些集成存储设备
包括本64K串行访问静态
随机存取存储器，内部组织结构
8K字由8位。该装置被设计和
采用AMI先进的CMOS制造
技术，以提供高速
高性能和低功耗。该器件工作
与单个芯片选择（ CS）输入信号，并使用一
简单的串行外设接口（ SPI ）的串行总线。
在一个单独的数据输入和数据输出线被一起使用
一个时钟的装置内访问数据。该
N64S08xxHDA设备包括一个HOLD引脚
允许通信设备被暂停。
暂停时，输入的脉冲将被忽略。
该设备可以在宽的温度工作在
-40系列
o
C至+ 85
o
C和可以在可用的
几个标准的封装产品。
特点
电源选项
1.8V至3.6V
- 极低的待机电流
低至电流为200nA
极低的工作电流
低至电流降至500uA
简单的存储控制
单芯片选择（ CS ）
串行输入（ SI ）和串行输出（ SO ）
灵活的操作模式
单词读写
页模式（ 32字页）
突发模式（全系列）
组织
8K ×8位
自定时写周期
内置写保护（ CS高）
HOLD引脚用于暂停通讯
高可靠性
没有写次数限制
符合RoHS标准的封装
绿色SOIC和TSSOP
DEVICE选项
产品型号
N64S0818HDA
N64S0830HDA
密度
64Kb
动力
电压（V）
1.8
3.0
速度
（兆赫）
20
25
特征
典型
待机
当前
200nA
1uA
读/写
工作电流
500微安@ 1MHz的
HOLD
1
这是一个发展的规范，并随时更改，恕不另行通知。
AMI半导体公司
绝对最大额定值
1
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
N64S0818HDA/N64S0830HDA
超前信息
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.5
500
-40至125
-40至+85
260
o
C， 10秒
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作特性（在规定温度范围）
项
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写操作
当前
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
OH
= -0.4mA
I
OL
= 1毫安
CS = V
CC
, V
IN
= 0至V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= 0至V
CC
F = 1MHz时，我
OUT
= 0
F = 10MHz时，我
OUT
= 0
F = 20 / 25MHz的，我
OUT
= 0
1.8V器件
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS
或V
CC
3V器件
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS
或V
CC
200
1
测试条件
1.8V器件
3V器件
分钟。
1.7
2.3
0.7× V
CC
–0.3
V
CC
–0.5
0.2
0.5
0.5
500
4
8/10
500
3
典型值
1
最大
1.95
3.6
V
CC
+0.3
0.3× V
CC
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
nA
A
待机电流
I
SB
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值，T测量。
A
= 25°C ，不100 ％测试。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
7
7
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
3
这是一个发展的规范，并随时更改，恕不另行通知。
QQ：2881677436 复制
