纳安解决方案公司
1982年Zanker路，圣何塞，加利福尼亚95112
电话： 408-573-8878 ，传真： 408-573-8877
www.nanoamp.com
N32T1630C1E
32MB超低功耗异步CMOS PSRAM
2M ×16位
概观
该N32T1630C1E是一个集成的内存
包含32兆比特伪静态随机装置
使用自刷新DRAM阵列存取存储器
16位组织为2,097,152字。这是
设计成可在操作及接口相同
标准6T SRAMS 。该设备是专为
低待机和工作电流，并且包括一个
掉电功能，自动进入待机
模式。此外，还包括其他一些力量
节能模式：深度睡眠模式下的数据
数组和部分阵列刷新中不保留
其中，数据被保持在的部分模式
数组。这两种模式降低待机电流
沥干。该设备可以在非常宽的操作
温度范围-25的
o
C至+ 85
o
C.
特点
双电压为获得最佳性能：
VCCQ - 2.7V至3.3V
VCC - 2.7V至3.3V
快速的循环时间
T
加
< 60纳秒
T
加
< 70纳秒
- 极低的待机电流
I
SB
< 120μA
极低的工作电流
ICC < 25毫安
双轨道运行
V
CCQ
和V
SSQ
对于独立的I / O电源轨
紧凑节省空间的BGA封装
产品系列
产品型号
包
TYPE
操作
温度
动力
供应
2.7V - 3.3V(V
CC
)
速度
待机
操作
电流（I
SB
） ，电流（ Icc的） ，
最大
最大
120
A
3毫安@ 1MHz的
N32T1630C1EZ
48-BGA
-25
o
C至+ 85
o
C
60ns
70ns
图1 ：引脚配置
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
2
OE
UB
I / O
10
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
ZZ
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
A
20
表1 ：引脚说明
引脚名称
A
0
-A
20
WE
CE
ZZ
OE
LB
UB
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
SS
V
CCQ
V
SSQ
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
深度睡眠输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
动力
地
电源I / O只
只有地面的I / O
V
SSQ
I / O
11
V
CCQ
I / O
12
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A
18
A
19
A
8
48引脚BGA （上）
6毫米x 8毫米
（ DOC ＃ 14-02-006 C版本ECN 01-1040
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
1
纳安解决方案公司
功能框图
N32T1630C1E
地址
输入
A
0
- A
20
地址
解码
逻辑
2048K ×16
内存
ARRAY
输入/
产量
MUX I / O
0
- I / O
7
和
缓冲器
I / O
8
- I / O
15
CE
WE
OE
UB
LB
控制
逻辑
ZZ
功能说明
CE
H
X
L
L
L
H
WE
X
X
L
H
H
X
OE
X
X
X
3
L
H
X
UB / LB
X
H
L
1
L
1
L
1
X
ZZ
H
H
H
H
H
L
I / O
1
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
高Z
模式
待机
2
待机
2
写
3
读
输出禁用
低功耗模式
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
低功耗
1.当UB和LB在选择模式（低） ， I / O
0
- I / O
15
受到影响，如图所示。当LB不仅是在选择模式下
I / O
0
- IO
7
受到影响，如图所示。当UB是在选择模式下的I / O
8
- I / O
15
受到影响，如图所示。如果同时UB和LB
处于取消选择模式（高） ，该芯片处于待机模式无关的CE的状态。
2.当设备处于待机模式时，控制输入（WE ，OE ， UB和LB） ，地址输入端和数据输入/输出
内部隔离任何外部影响，从外部施加任何影响禁用。
3.当我们被调用时， OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
8
8
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
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2
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N32T1630C1E
绝对最大额定值
1
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
等级
-0.2到V
CC
+0.3
-0.2 3.6
1
-65至125
-25至+85
单位
V
V
W
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作特性（在规定温度范围）
项
电源电压
电源电压的I / O
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写工作电流
@ 1
s
周期
2
读/写工作电流
@闵周期时间
2
待机电流
符号
V
CC
V
CCQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
SB
I
OH
= -0.5mA
I
OL
- 0.5毫安
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
V
CC
=V
CC
马克斯，V
IN
=V
IH
/ V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=V
CC
马克斯，V
IN
=V
IH
/ V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
芯片取消， CE>VCC-
0.2 ， ZZ>VCC - 0.2和VIN =
0或VCC
-1
-1
评论
分钟。
2.7
2.7
0.8V
CCQ
–0.2
0.8V
CCQ
0.2V
CCQ
1
1
3
25
120
典型值
1
3.0
3.0
马克斯。
3.3
3.3
V
CC
+0.2
0.2V
CCQ
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值，T测量。
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
2.此参数指定禁用，以避免外部负载效应的输出。用户必须添加的电流来驱动所需
输出电容预期在实际的系统中。
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时序测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
工作温度
N32T1630C1E
0.1V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5 V
CC
-25
o
C至+ 85
o
C
输出负载电路
I / O
50 pF的
输出负载
上电顺序
接通电源后，保持后， CE > VIH至少200us的稳定的电源。
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计时
项
读周期时间
地址访问时间
页面模式读取周期时间
页模式访问时间
芯片使能到输出有效
输出使能到输出有效
字节选择有效输出
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
字节选择低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
字节选择Disable输出高阻态
从地址变更输出保持
写周期时间
页面模式写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
字节选择要写入的结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻态
地址建立时间
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
最大页面模式周期
芯片使能高脉冲宽度
符号
t
RC
t
AA
t
PC
t
PA
t
CO
t
OE
t
LB
, t
UB
t
LZ
t
OLZ
t
BZ
t
HZ
t
OHZ
t
BHZ
t
OH
t
WC
t
PWC
t
CW
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
AS
t
DW
t
DH
t
OW
t
PGMAX
t
CP
10
0
20
0
5
10
5
10
0
0
0
5
60
25
50
50
50
50
0
5
5
5
5
25
-60
分钟。
60
N32T1630C1E
-70
马克斯。
分钟。
70
25
马克斯。
20000
70
20000
25
70
25
70
10
5
10
0
0
0
5
5
5
5
单位
20000
60
20000
25
60
25
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20000
20000
70
25
60
60
60
50
0
20000
20000
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
0
20
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
20000
10
20000
ns
ns
不要使用无效循环时间（比tRC的， TWC短）的连续周期> 20US接入设备。
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