纳安解决方案公司
1982年Zanker路，圣何塞，加利福尼亚95112
电话： 408-573-8878 ，传真： 408-573-8877
www.nanoamp.com
N16T1630C2B
16Mb的超低功耗异步SRAM CMOS
1M ×16位
概观
该N16T1630C2B是一个集成的内存
器件包含一个低功耗的16兆位的SRAM构建
使用组织为自刷新DRAM阵列
1024576字由16位。它被设计成
在操作和接口的标准6T相同
SRAMS 。该设备是专为低待机
和工作电流，并且包括一个掉电
功能自动进入待机模式。该
器件具有两个芯片使能操作（ CE1和
CE2 ）控制和输出使能（OE ） ，以允许
简单的内存扩展。字节控制（ UB和
LB）允许上部和下部字节是
独立地访问，并也可用于
取消选择该设备。该N16T1630C2B是最佳
用于各种应用，其中的低功耗是关键
如备用电池和手持设备。
该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在JEDEC标准的BGA封装
与其它标准兼容的1Mb ×16的SRAM 。
特点
单宽电源电压范围
2.7到3.6伏
- 极低的待机电流
100μA ，在3.0V （最大）
极低的工作电流
在3.0V和1μs的2.0毫安（典型值）
简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
非常快的访问时间
55ns地址访问选项
OE为35ns存取时间
自动关机进入待机模式
TTL兼容的三态输出驱动器
针对BGA封装选项绿色
产品系列
产品型号
N16T1630C2BZ
包
TYPE
48 - BGA
操作
温度
-40
o
C至+ 85
o
C
动力
电源（VCC ）
2.7V - 3.6V
速度
70ns
55ns
待机
操作
电流（I
SB
） ，电流（ Icc的） ，
最大
马克斯@ 3.0V
100
A
3毫安@ 1MHz的
N16T1630C2BZ2绿48 - BGA
引脚配置（顶视图）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
19
WE
CE1 ， CE2
OE
LB
UB
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
SS
NC
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
动力
地
没有连接
2
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A
18
A
19
A
8
48球BGA
6毫米x 8毫米
（ DOC ＃ 14-02-007 F版ECN ＃ 01-1103 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
1
纳安解决方案公司
功能框图
N16T1630C2B
地址
输入
A0 - A19
地址
解码
逻辑
1M
x 16位
RAM阵列
输入/
产量
MUX
和
缓冲器
I / O0 - I / O7
I / O8 - I / O15
CE1
CE2
WE
OE
UB
LB
控制
逻辑
功能说明
CE1
H
X
L
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
H
WE
X
X
X
L
H
H
OE
X
X
X
X
3
L
H
UB
X
X
H
L
1
L
1
L
1
LB
X
X
H
L
1
L
1
L
1
I / O
0
- I / O
151
高Z
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
2
待机
2
待机
写
读
活跃
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1.当UB和LB在选择模式（低） ， I / O
0
- I / O
15
受到影响，如图所示。当LB不仅是在选择模式下的I / O
0
- I / O
7
受到影响，如图所示。当UB是在选择模式下的I / O
8
- I / O
15
受到影响，如图所示。
2.当设备处于待机模式时，控制输入（WE ，OE ， UB和LB） ，地址输入端和数据输入/输出的内部
隔离任何外部影响，从外部施加任何影响禁用。
3.当我们被调用时， OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
8
8
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
（ DOC ＃ 14-02-007 F版ECN ＃ 01-1103 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
2
纳安解决方案公司
绝对最大额定值
1
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
N16T1630C2B
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.5
500
-40至125
-40至+85
260
o
C， 10秒
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作特性（在规定温度范围）
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写工作电流
@ 1
s
周期
2
读/写工作电流
@ 70 ns的周期时间
2
最大待机电流
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
OH
= -0.2mA
I
OL
= 0.2毫安
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
V
CC
=3.6 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=3.6 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 85
o
C，V
CC
= 3.0 V
测试条件
分钟。
2.7
2.2
–0.3
V
CC
–0.2
0.2
0.5
0.5
5.0
25.0
典型值
1
3.0
最大
3.6
V
CC
+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
100.0
A
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值，T测量。
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
2.此参数指定禁用，以避免外部负载效应的输出。用户必须添加的电流来驱动所需
输出电容预期在实际的系统中。
（ DOC ＃ 14-02-007 F版ECN ＃ 01-1103 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
3
纳安解决方案公司
时序测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
工作温度
N16T1630C2B
0.1V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5 V
CC
-40
o
C至+ 85
o
C
输出负载电路
V
CC
14.5K
I / O
14.5K
30 pF的
输出负载
（ DOC ＃ 14-02-007 F版ECN ＃ 01-1103 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
4
纳安解决方案公司
N16T1630C2B
定时
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能到输出有效
输出使能到输出有效
字节选择有效输出
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
字节选择低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
字节选择Disable输出高阻态
从地址变更输出保持
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
字节选择要写入的结束
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LB
, t
UB
t
LZ
t
OLZ
t
BLZ
t
HZ
t
OHZ
t
BHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AW
t
BW
t
WP
t
AS
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
25
0
5
5
5
5
0
0
0
10
55
50
50
50
50
0
0
25
25
0
5
25
25
25
-55
分钟。
55
55
55
30
55
5
5
5
0
0
0
10
70
55
55
55
55
0
0
25
25
25
25
马克斯。
分钟。
70
70
70
35
70
-70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ DOC ＃ 14-02-007 F版ECN ＃ 01-1103 ）
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5
纳安解决方案公司
1982年Zanker路，圣何塞，加利福尼亚95112
电话： 408-573-8878 ，传真： 408-573-8877
www.nanoamp.com
N16T1630C2B
16Mb的超低功耗异步SRAM CMOS
1M ×16位
概观
该N16T1630C2B是一个集成的内存
器件包含一个低功耗的16兆位的SRAM构建
使用组织为自刷新DRAM阵列
1024576字由16位。它被设计成
在操作和接口的标准6T相同
SRAMS 。该设备是专为低待机
和工作电流，并且包括一个掉电
功能自动进入待机模式。该
器件具有两个芯片使能操作（ CE1和
CE2 ）控制和输出使能（OE ） ，以允许
简单的内存扩展。字节控制（ UB和
LB）允许上部和下部字节是
独立地访问，并也可用于
取消选择该设备。该N16T1630C2B是最佳
用于各种应用，其中的低功耗是关键
如备用电池和手持设备。
该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在JEDEC标准的BGA封装
与其它标准兼容的1Mb ×16的SRAM 。
特点
单宽电源电压范围
2.7到3.6伏
- 极低的待机电流
100μA ，在3.0V （最大）
极低的工作电流
在3.0V和1μs的2.0毫安（典型值）
简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
非常快的访问时间
55ns地址访问选项
OE为35ns存取时间
自动关机进入待机模式
TTL兼容的三态输出驱动器
针对BGA封装选项绿色
产品系列
产品型号
N16T1630C2BZ
包
TYPE
48 - BGA
操作
温度
-40
o
C至+ 85
o
C
动力
电源（VCC ）
2.7V - 3.6V
速度
70ns
55ns
待机
操作
电流（I
SB
） ，电流（ Icc的） ，
最大
马克斯@ 3.0V
100
A
3毫安@ 1MHz的
N16T1630C2BZ2绿48 - BGA
引脚配置（顶视图）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
19
WE
CE1 ， CE2
OE
LB
UB
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
SS
NC
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
动力
地
没有连接
2
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A
18
A
19
A
8
48球BGA
6毫米x 8毫米
（ DOC ＃ 14-02-007 F版ECN ＃ 01-1103 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
1
纳安解决方案公司
功能框图
N16T1630C2B
地址
输入
A0 - A19
地址
解码
逻辑
1M
x 16位
RAM阵列
输入/
产量
MUX
和
缓冲器
I / O0 - I / O7
I / O8 - I / O15
CE1
CE2
WE
OE
UB
LB
控制
逻辑
功能说明
CE1
H
X
L
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
H
WE
X
X
X
L
H
H
OE
X
X
X
X
3
L
H
UB
X
X
H
L
1
L
1
L
1
LB
X
X
H
L
1
L
1
L
1
I / O
0
- I / O
151
高Z
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
2
待机
2
待机
写
读
活跃
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1.当UB和LB在选择模式（低） ， I / O
0
- I / O
15
受到影响，如图所示。当LB不仅是在选择模式下的I / O
0
- I / O
7
受到影响，如图所示。当UB是在选择模式下的I / O
8
- I / O
15
受到影响，如图所示。
2.当设备处于待机模式时，控制输入（WE ，OE ， UB和LB） ，地址输入端和数据输入/输出的内部
隔离任何外部影响，从外部施加任何影响禁用。
3.当我们被调用时， OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
8
8
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
（ DOC ＃ 14-02-007 F版ECN ＃ 01-1103 ）
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2
纳安解决方案公司
绝对最大额定值
1
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
N16T1630C2B
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.5
500
-40至125
-40至+85
260
o
C， 10秒
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作特性（在规定温度范围）
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写工作电流
@ 1
s
周期
2
读/写工作电流
@ 70 ns的周期时间
2
最大待机电流
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
OH
= -0.2mA
I
OL
= 0.2毫安
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
V
CC
=3.6 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=3.6 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 85
o
C，V
CC
= 3.0 V
测试条件
分钟。
2.7
2.2
–0.3
V
CC
–0.2
0.2
0.5
0.5
5.0
25.0
典型值
1
3.0
最大
3.6
V
CC
+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
100.0
A
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值，T测量。
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
2.此参数指定禁用，以避免外部负载效应的输出。用户必须添加的电流来驱动所需
输出电容预期在实际的系统中。
（ DOC ＃ 14-02-007 F版ECN ＃ 01-1103 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
3
纳安解决方案公司
时序测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
工作温度
N16T1630C2B
0.1V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5 V
CC
-40
o
C至+ 85
o
C
输出负载电路
V
CC
14.5K
I / O
14.5K
30 pF的
输出负载
（ DOC ＃ 14-02-007 F版ECN ＃ 01-1103 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
4
纳安解决方案公司
N16T1630C2B
定时
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能到输出有效
输出使能到输出有效
字节选择有效输出
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
字节选择低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
字节选择Disable输出高阻态
从地址变更输出保持
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
字节选择要写入的结束
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LB
, t
UB
t
LZ
t
OLZ
t
BLZ
t
HZ
t
OHZ
t
BHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AW
t
BW
t
WP
t
AS
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
25
0
5
5
5
5
0
0
0
10
55
50
50
50
50
0
0
25
25
0
5
25
25
25
-55
分钟。
55
55
55
30
55
5
5
5
0
0
0
10
70
55
55
55
55
0
0
25
25
25
25
马克斯。
分钟。
70
70
70
35
70
-70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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（ DOC ＃ 14-02-007 F版ECN ＃ 01-1103 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
5
纳安解决方案公司
1982年Zanker路，圣何塞，加利福尼亚95112
电话： 408-573-8878 ，传真： 408-573-8877
www.nanoamp.com
N16T1630C2B
16Mb的超低功耗异步SRAM CMOS
1M ×16位
概观
该N16T1630C2B是一个集成的内存
器件包含一个低功耗的16兆位的SRAM构建
使用组织为自刷新DRAM阵列
1024576字由16位。它被设计成
在操作和接口的标准6T相同
SRAMS 。该设备是专为低待机
和工作电流，并且包括一个掉电
功能自动进入待机模式。该
器件具有两个芯片使能操作（ CE1和
CE2 ）控制和输出使能（OE ） ，以允许
简单的内存扩展。字节控制（ UB和
LB）允许上部和下部字节是
独立地访问，并也可用于
取消选择该设备。该N16T1630C2B是最佳
用于各种应用，其中的低功耗是关键
如备用电池和手持设备。
该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在JEDEC标准的BGA封装
与其它标准兼容的1Mb ×16的SRAM 。
特点
单宽电源电压范围
2.7到3.6伏
- 极低的待机电流
100μA ，在3.0V （最大）
极低的工作电流
在3.0V和1μs的2.0毫安（典型值）
简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
非常快的访问时间
55ns地址访问选项
OE为35ns存取时间
自动关机进入待机模式
TTL兼容的三态输出驱动器
针对BGA封装选项绿色
产品系列
产品型号
N16T1630C2BZ
包
TYPE
48 - BGA
操作
温度
-40
o
C至+ 85
o
C
动力
电源（VCC ）
2.7V - 3.6V
速度
70ns
55ns
待机
操作
电流（I
SB
） ，电流（ Icc的） ，
最大
马克斯@ 3.0V
100
A
3毫安@ 1MHz的
N16T1630C2BZ2绿48 - BGA
引脚配置（顶视图）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
19
WE
CE1 ， CE2
OE
LB
UB
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
SS
NC
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
动力
地
没有连接
2
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A
18
A
19
A
8
48球BGA
6毫米x 8毫米
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1
纳安解决方案公司
功能框图
N16T1630C2B
地址
输入
A0 - A19
地址
解码
逻辑
1M
x 16位
RAM阵列
输入/
产量
MUX
和
缓冲器
I / O0 - I / O7
I / O8 - I / O15
CE1
CE2
WE
OE
UB
LB
控制
逻辑
功能说明
CE1
H
X
L
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
H
WE
X
X
X
L
H
H
OE
X
X
X
X
3
L
H
UB
X
X
H
L
1
L
1
L
1
LB
X
X
H
L
1
L
1
L
1
I / O
0
- I / O
151
高Z
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
2
待机
2
待机
写
读
活跃
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1.当UB和LB在选择模式（低） ， I / O
0
- I / O
15
受到影响，如图所示。当LB不仅是在选择模式下的I / O
0
- I / O
7
受到影响，如图所示。当UB是在选择模式下的I / O
8
- I / O
15
受到影响，如图所示。
2.当设备处于待机模式时，控制输入（WE ，OE ， UB和LB） ，地址输入端和数据输入/输出的内部
隔离任何外部影响，从外部施加任何影响禁用。
3.当我们被调用时， OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
8
8
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
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2
纳安解决方案公司
绝对最大额定值
1
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
N16T1630C2B
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.5
500
-40至125
-40至+85
260
o
C， 10秒
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作特性（在规定温度范围）
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写工作电流
@ 1
s
周期
2
读/写工作电流
@ 70 ns的周期时间
2
最大待机电流
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
OH
= -0.2mA
I
OL
= 0.2毫安
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
V
CC
=3.6 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=3.6 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 85
o
C，V
CC
= 3.0 V
测试条件
分钟。
2.7
2.2
–0.3
V
CC
–0.2
0.2
0.5
0.5
5.0
25.0
典型值
1
3.0
最大
3.6
V
CC
+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
100.0
A
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值，T测量。
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
2.此参数指定禁用，以避免外部负载效应的输出。用户必须添加的电流来驱动所需
输出电容预期在实际的系统中。
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3
纳安解决方案公司
时序测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
工作温度
N16T1630C2B
0.1V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5 V
CC
-40
o
C至+ 85
o
C
输出负载电路
V
CC
14.5K
I / O
14.5K
30 pF的
输出负载
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4
纳安解决方案公司
N16T1630C2B
定时
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能到输出有效
输出使能到输出有效
字节选择有效输出
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
字节选择低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
字节选择Disable输出高阻态
从地址变更输出保持
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
字节选择要写入的结束
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LB
, t
UB
t
LZ
t
OLZ
t
BLZ
t
HZ
t
OHZ
t
BHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AW
t
BW
t
WP
t
AS
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
25
0
5
5
5
5
0
0
0
10
55
50
50
50
50
0
0
25
25
0
5
25
25
25
-55
分钟。
55
55
55
30
55
5
5
5
0
0
0
10
70
55
55
55
55
0
0
25
25
25
25
马克斯。
分钟。
70
70
70
35
70
-70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ DOC ＃ 14-02-007 F版ECN ＃ 01-1103 ）
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