纳安解决方案公司
670北麦卡锡大道。套件220 ，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035
电话： 408-935-7777 ，传真： 408-935-7770
www.nanoamp.com
N04Q16yyC2B
超前信息
4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS瓦特/双
VCC和VCCQ的终极功率降低
256K × 16位POWER SAVER技术
概观
该N04Q16yyC2B是超低功耗内存
包含4兆位静态随机存取设备
内存16位组织为262,144字。
该设备设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
提供超低工作和待机功耗。该
器件具有两个芯片使能操作（ CE1和
CE2 ）控制和输出使能（OE ） ，以允许
简单的内存扩展。字节控制（ UB和
LB）允许上部和下部字节是
单独访问。 4MB的SRAM是
为实现低功耗进行了优化，并
适用于各种应用，其中的超低
功率是临界的，例如医疗应用，
备用电池和电源敏感的手持式
设备。独特的页面模式运行可节省
主动操作电源和双电源供电
轨道允许非常低的电压工作，同时
保持3V I / O能力。该设备可以
工作在0很宽的温度范围
o
C
+70
o
下功耗最低，也可
在工业范围的-40
o
C至+ 85
o
C.该
器件采用标准的BGA和TSOP可用
包。该设备也可以作为
已知合格芯片（ KGD ）的嵌入式封装
应用程序。
特点
多种电源范围
1.1V - 1.3V
1.65V - 1.95V
2.3V - 2.7V
2.7V - 3.6V
双VCC / VCCQ电源
1.2V的Vcc与3V VCCQ
1.8V的Vcc与3V VCCQ
2.5V的Vcc与3V VCCQ
- 极低的待机电流
50nA典型的1.2V操作
极低的工作电流
400μA典型的在1μs的1.2V操作
非常低的页面模式工作电流
80μA典型的在1μs的1.2V操作
简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
自动关机进入待机模式
BGA ， TSOP和KGD选项
符合RoHS
产品选项
产品型号
N04Q1612C2Bx-15C
N04Q1618C2Bx-15C
N04Q1618C2Bx-70C
N04Q1625C2Bx-15C
N04Q1630C2Bx-70C
I / O
x16
x16
x16
x16
x16
典型
待机
当前
50nA
50nA
200nA
800nA
800nA
VCC
(V)
1.2
1.8
2.5
3.0
VCCQ
(V)
1.2, 1.8, 3
1.8, 2.5, 3
2.5, 3
3.0
速度
（纳秒）
150ns
150ns
70ns
150ns
70ns
典型
操作
工作电流温度
0.4毫安@ 1MHz的
0.4毫安@ 1MHz的
0.6毫安@ 1MHz的
0.6毫安@ 1MHz的
2.2毫安@ 1MHz的
0
o
C至+70
o
C
库存号23451 -B 2/06
该规范是超前信息，并随时更改，恕不另行通知。
1
N04Q16yyC2B
纳安解决方案公司
功能框图
地址
输入
(A1 - A4)
超前信息
字
地址
解码
逻辑
地址
输入
(A0, A5 - A17)
页面
地址
解码
逻辑
4Mb
RAM阵列
输入/
产量
I / O0 - I / O7
MUX
和
缓冲器
I / O8 - I / O15
复字
CE1
CE2
WE
OE
UB
LB
控制
逻辑
功能说明
CE1
H
X
L
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
H
WE
X
X
X
L
H
H
OE
X
X
X
X
3
L
H
UB
1
X
X
H
L
1
L
1
L
1
LB
1
X
X
H
L
1
L
1
L
1
I / O
0
- I / O
151
高Z
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
2
待机
2
待机
写
3
读
活跃
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1.当UB和LB在选择模式（低） ， I / O
0
- I / O
15
受到影响，如图所示。当LB不仅是在选择模式下的I / O
0
- I / O
7
受到影响，如图所示。当UB是在选择模式下的I / O
8
- I / O
15
受到影响，如图所示。
2.当设备处于待机模式时，控制输入（WE ，OE ， UB和LB） ，地址输入端和数据输入/输出的内部
隔离任何外部影响，从外部施加任何影响禁用。
3.当我们被调用时， OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
8
8
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
库存号23451 -B 2/06
该规范是超前信息，并随时更改，恕不另行通知。
3
N04Q16yyC2B
纳安解决方案公司
绝对最大额定值
1
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4
500
-40至125
-40至+85
260
o
C， 10秒
单位
V
V
mW
o
o
o
超前信息
C
C
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
工作特性（在规定温度范围）
项
符号
设备
N04Q1612...
核心供电电压
V
CC
N04Q1618...
N04Q1625...
N04Q1630...
N04Q1612...
I / O电源电压
V
CCQ
N04Q1618...
N04Q1625...
N04Q1630...
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
OH
= -100uA
I
OL
=为100uA
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或芯片
残
条件
1.2V核心设备
1.8V核心设备
2.5V核心设备
3V核心设备
1.2V核心设备
1.8V核心设备
2.5V核心设备
3V核心设备
分钟。
1.1
1.65
2.3
2.7
1.1
1.65
2.3
2.7
0.8 x
VCCQ
–0.3
V
CC
–0.2
0.2
0.5
0.5
典型值
1.2
1.8
2.5
3.0
最大
1.3
1.95
2.8
3.6
3.3
3.3
3.3
3.6
V
CC
+0.3
0.2 x
VCCQ
V
V
A
A
V
V
V
单位
库存号23451 -B 2/06
该规范是超前信息，并随时更改，恕不另行通知。
4
N04Q16yyC2B
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耗电量
(T
A
= 0
o
C - 70
o
C)
设备PN
待机电流
2
N04Q1612C2Bx-
15C
读/写电流
3
页面模式电流
ISB
ICC
ICCP
芯片已禁用
V
CC
= 1.3V, V
IN
= V
CC
或0
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=1.3V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=1.3V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片已禁用
V
CC
= 1.9V, V
IN
= V
CC
或0V
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=1.9V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=1.9V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片已禁用
V
CC
= 1.9V, V
IN
= V
CC
或0
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=1.9V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=1.9V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片已禁用
V
CC
= 2.8V, V
IN
= V
CC
或0
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
= 2.8V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
= 2.8V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片已禁用
V
CC
= 3.6V, V
IN
= V
CC
或0
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
= 3.6V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
= 3.6V, V
IN
=V
IH
或V
IL
超前信息
速度
典型值
1
50
最大
500
0.5
3
100
450
nA
mA
A
1us
150ns
1us
150ns
0.4
2
80
300
待机电流
N04Q1618C2Bx-
15C
读/写电流
页面模式电流
ISB
ICC
ICCP
50
1us
150ns
1us
150ns
0.4
2
80
400
500
0.5
3
100
500
nA
mA
A
待机电流
N04Q1618C2Bx-
70C
读/写电流
页面模式电流
ISB
ICC
ICCP
0.2
1us
70ns
1us
70ns
0.6
6
0.1
0.8
1.5
0.9
7
0.2
1
A
mA
mA
待机电流
N04Q1625C2Bx-
15C
读/写电流
页面模式电流
ISB
ICC
ICCP
0.8
1us
150ns
1us
150ns
0.6
3
0.1
1.5
1.0
1.0
4
0.2
2
A
mA
mA
待机电流
N04Q1630C2Bx-
70C
读/写电流
页面模式电流
ISB
ICC
ICCP
0.8
1us
70ns
1us
70ns
2.2
8.5
0.5
2
4
3
10
0.6
1.5
A
mA
mA
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值，T测量。
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
2.此设备假定待机模式下，如果芯片被禁止（ CE1高或低CE2 ） 。为了实现低待机电流都
输入必须在0.2伏电压VCC或VSS的。这适用于所有ISB值。
3.此参数指定禁用，以避免外部负载效应的输出。用户必须添加的电流来驱动所需
输出电容预期在实际的系统中。这适用于所有国际刑事法院与政府间委员会价值观。
库存号23451 -B 2/06
该规范是超前信息，并随时更改，恕不另行通知。
5
QQ：2880707522 复制
