纳安解决方案公司
670北麦卡锡大道。套件220 ，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035
电话： 408-935-7777 ，传真： 408-935-7770
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N04M1618L1A
4Mb的超低功耗异步医疗CMOS SRAM
256Kx16位
概观
该N04M1618L1A是一个集成的内存
设备
用于非生命支持（ 1级或
2 ）医疗应用。
该设备是4
兆内存组织为262,144字经
16位。该设备的设计和制造
使用纳安先进的CMOS技术
与可靠性inhancements医疗用户。该
底座设计是一样的纳安的
N04M1618L2A ，其具有进一步的可靠性
处理生命支持（ 3级）医疗
应用程序。该器件采用双芯片
使能（ CE1和CE2 ）控制和输出使能
（OE） ，以允许容易地扩展内存。字节
对照组（ UB和LB ）允许上部和下部
字节被独立地访问和也可以
可用于取消该设备。该装置是
最适合于各种应用，其中低功率是
如备用电池和手持临界
设备。该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在JEDEC标准的BGA封装
特点
双电源的最低功耗
1.4至2.3伏特 - VCC
1.4至3.6伏特 - VCCQ
- 极低的待机电流
400nA ，在2.0V和37度C最大
极低的工作电流
在1.8V和1μs的0.7毫安（典型值）
低页面模式工作电流
在1.8V和1μs的0.5毫安（典型值）
简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.2V
自动关机进入待机模式
特殊处理，以降低软错误率
（ SER ）
可节省BGA封装空间
产品系列
产品型号
N04M1618L1AB
N04M1618L1AT
套餐类型
48 - BGA
44 - TSOP II
-40
o
C至+ 85
o
C
1.4V - 2.3V 85ns @ 1.7V
1.4V - 3.6V为150ns @ 1.4V
10
A
3毫安@ 1MHz的
操作
温度
动力
供应
（ VCC） / （ VCCQ ）
速度
待机
操作
电流（I
SB
） ，电流（ Icc的） ，
最大
最大
N04M1618L1AD已知合格芯片
引脚配置
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE1#
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
VCC
VSS
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
WE＃
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
针
一
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE ＃
UB ＃
磅＃
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
VSS
VCCQ
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
CE2
A
8
A
9
A
10
A
11
A
17
引脚说明
1
A
B
C
D
E
F
G
H
磅＃
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
2
OE ＃
UB ＃
I / O
10
I / O
11
I / O
12
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE1#
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE＃
A
11
6
CE2
I / O
0
I / O
2
V
CCQ
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
引脚名称
A
0
-A
17
WE
CE1 ， CE2
OE
LB
UB
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
CCQ
V
SS
NC
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
动力
输入/输出功率
地
没有连接
N04M1618L2AT
TSOP
I / O
14
I / O
13
I / O
15
NC
NC
A
8
48引脚BGA （上）
6毫米x 8毫米
库存号23209-01 02年11月1日
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
1
纳安解决方案公司
功能框图
N04M1618L1A
地址
输入
A
0
- A
17
地址
解码
逻辑
256K ×16
内存
ARRAY
输入/
产量
MUX
和
缓冲器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
CE1
WE
OE
UB
LB
控制
逻辑
功能说明
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
L
H
H
OE
X
X
X
2
L
H
I / O
0
- I / O
7
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
1
待机
1
写
2
读
活跃
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1.当设备处于待机模式时，控制输入（WE和OE ） ，地址输入端和数据输入/输出是内部分离
从任何外部影响，从外部施加任何影响禁用。
2.当我们被调用时， OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
8
8
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
库存号23209-01 02年11月1日
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2
纳安解决方案公司
绝对最大额定值
1
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
N04M1618L1A
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.5
500
-40至125
-40至+85
240
o
C， 10秒（仅适用于铅）
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作特性（在规定温度范围）
项
核心供电电压
I / O电源电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写工作电流
@ 1
s
周期
2
读/写工作电流
@ 85 ns的周期时间
2
页面模式工作电源电流
@ 85 ns的周期时间
2
（请参阅电源
储蓄与页面模式操作
图）
读/写静态工作支持部门
当前层
3
符号
V
CC
V
CCQ
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
OH
= 0.2毫安
I
OL
= -0.2mA
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
V
CC
=2.3 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=2.3 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=2.3 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=2.3 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0,
f=0
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 85
o
C，V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 1.8V, V
IN
= V
CC
或0
芯片禁用，T
A
= 85
o
C
1.5
10.0
V
CCQ
>或= V
CC
芯片已禁用
3
测试条件
分钟。
1.4
1.4
1.2
V
CCQ
-0.6
–0.3
V
CCQ
–0.2
0.2
0.1
0.1
2.5
13.0
V
CCQ
+0.3
0.6
典型值
1
1.8
1.8
最大
2.3
3.6
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
CC3
3.5
mA
I
CC4
0.2
A
待机电流
3
I
SB1
0.2
20.0
A
数据保留
当前
3
I
DR
0.1
1.0
A
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值，T测量。
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
2.此参数指定禁用，以避免外部负载效应的输出。用户必须添加的电流来驱动所需
输出电容预期在实际的系统中。
3.本装置假设待机模式下，如果芯片被禁用（ CE1高或低CE2 ） 。为了实现低待机电流都
输入必须在0.2伏电压VCC或VSS的。
库存号23209-01 02年11月1日
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3
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省电与页面模式操作（WE = V
IH
)
N04M1618L1A
页地址（ A4 - A17 ）
打开页面
...
字地址（ A0 - A3 ）
WORD 1
WORD 2
16字
CE1
CE2
OE
注：页面模式操作寻址SRAM中保存的工作电流的方法。内部
组织SRAM的优化，以允许这种独特的运行模式被用来作为一种有价值的功率
节能功能。
需要做的仅仅是为解决对SRAM的方式，内部页面是左开
并从打开的页被读取数据的8位字。通过将地址A0 A3的作为至少显著
位和寻址打开的页面内的16个字，功率被减小到页面模式值，它是
比标准的工作电流为低功耗SRAM的低得多。
库存号23209-01 02年11月1日
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4
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时序测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
工作温度
N04M1618L1A
0.1V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5 V
CC
CL = 30pF的
-40至+85
o
C
时序V
CCQ
>或= V
CC
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能到输出有效
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AW
t
WP
t
AS
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
50
0
10
20
20
0
0
20
150
75
75
50
0
0
30
40
0
5
30
30
V
CC
= 1.4 - 2.3 V
分钟。
150
150
150
50
10
5
0
0
10
85
50
50
40
0
0
15
15
15
马克斯。
V
CC
= 1.7 - 2.3 V
分钟。
85
85
85
40
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
库存号23209-01 02年11月1日
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5
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