纳安解决方案公司
670北麦卡锡大道。套件220 ，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035
电话： 408-935-7777 ，传真： 408-935-7770
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N04L1618C2A
4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS
256Kx16位
概观
该N04L1618C2A是一个集成的内存
含有4兆位静态随机存取装置
内存16位组织为262,144字。
该设备设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。基部设计是一样的
纳安的N04L163WC1A ，它被加工成
工作在更高的电压。该器件的工作
两个芯片使能（ CE1和CE2 ）控制和
输出使能（OE ） ，以便容易记忆
扩展。字节控制（ UB和LB ）允许
上部和下部的字节将被访问
独立地，也可以用来取消
该设备。该N04L1618C2A是最佳的
各种应用中的低功耗是关键
如备用电池和手持设备。
该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在兼容JEDEC标准封装
与其他标准的256Kb ×16的SRAM
特点
单宽电源电压范围
1.65 2.2伏特
- 极低的待机电流
0.5μA ，在1.8V （典型值）
极低的工作电流
在1.8V和1μs的0.7毫安（典型值）
低页面模式工作电流
在1.8V和1μs的0.5毫安（典型值）
简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.2V
非常快的输出使能存取时间
25ns的OE访问时间
自动关机进入待机模式
TTL兼容的三态输出驱动器
紧凑节省空间的BGA封装可用
ABLE
产品系列
产品型号
套餐类型
操作
温度
动力
电源（VCC ）
速度
为70ns @ 1.8V
-40
o
C至+ 85
o
C
1.65V - 2.2V
85ns @ 1.65V
0.5
A
0.7毫安@
1MHz
待机
操作
电流（I
SB
） ，电流（ Icc的） ，
典型
典型
N04L1618C2AB
48 - BGA
N04L1618C2AB2 48 -BGA绿
（ DOC ＃ 14-02-016版本G ECN ＃ 01-1266 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
1
纳安解决方案公司
引脚配置
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
N04L1618C2A
2
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
I / O
14
I / O
13
I / O
15
NC
NC
A
8
48引脚BGA （上）
6毫米x 8毫米
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
17
WE
CE1 ， CE2
OE
LB
UB
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
SS
NC
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
动力
地
没有连接
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功能框图
地址
输入
A0 - A3
字
地址
解码
逻辑
N04L1618C2A
地址
输入
A4 - A17
页面
地址
解码
逻辑
16K页
×16字
x 16位
RAM阵列
输入/
产量
MUX
和
缓冲器
复字
I / O0 - I / O7
I / O8 - I / O15
CE1
CE2
WE
OE
UB
LB
控制
逻辑
功能说明
CE1
H
X
X
L
L
L
CE2
X
L
X
H
H
H
WE
X
X
X
L
H
H
OE
X
X
X
X
3
L
H
UB
X
X
H
L
1
L
1
L
1
LB
X
X
H
L
1
L
1
L
1
I / O
0
- I / O
151
高Z
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
2
待机
2
待机
2
写
3
读
活跃
动力
待机
待机
待机
主动->待机
4
主动->待机
4
待机
4
1.当UB和LB在选择模式（低） ， I / O
0
- I / O
15
受到影响，如图所示。当LB不仅是在选择模式下的I / O
0
- I / O
7
受到影响，如图所示。当UB是在选择模式下的I / O
8
- I / O
15
受到影响，如图所示。
2.当设备处于待机模式时，控制输入（WE ，OE ， UB和LB） ，地址输入端和数据输入/输出的内部
隔离任何外部影响，从外部施加任何影响禁用。
3.当我们被调用时， OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
4.设备会消耗有功功率在这种模式下，每当地址被改变了。数据输入是来自内部隔离
任何expernal影响。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
8
8
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
（ DOC ＃ 14-02-016版本G ECN ＃ 01-1266 ）
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绝对最大额定值
1
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
N04L1618C2A
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 3.0
500
-40至125
-40至+85
240
o
C， 10秒（仅适用于铅）
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作特性（在规定温度范围）
项
电源电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写工作电流
@ 1
s
周期
2
读/写工作电流
@ 70 ns的周期时间
2
页面模式工作电源电流
@ 70ns的周期时间
2
（请参阅电源
储蓄与页面模式操作
图）
读/写静态工作支持部门
当前层
3
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
OH
= 0.2毫安
I
OL
= -0.2mA
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
VCC = 2.2V ，V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用， IOUT = 0
VCC = 2.2V ，V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用， IOUT = 0
VCC = 2.2V ，V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用， IOUT = 0
V
CC
=2.2V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0,
f=0
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 85
o
C，V
CC
= 2.2V
V
CC
= 1.2V, V
IN
= V
CC
或0
芯片禁用，T
A
= 85
o
C
0.5
0.7
8.0
芯片已禁用
3
测试条件
分钟。
1.65
1.2
0.7V
CC
–0.3
V
CC
–0.2
0.3
0.5
0.5
3.0
17.0
典型值
1
1.8
最大
2.2
2.2
V
CC
+0.3
0.3V
CC
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
CC3
4.0
mA
I
CC4
10
A
最大待机电流
3
I
SB1
10.0
A
最大数据保持电流
3
I
DR
10
A
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值，T测量。
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
2.此参数指定禁用，以避免外部负载效应的输出。用户必须添加的电流来驱动所需
输出电容预期在实际的系统中。
3.本装置假设待机模式下，如果芯片被禁用（ CE1高或低CE2 ） 。为了实现低待机电流都
输入必须在0.2伏两种第五
CC
或V
SS
.
（ DOC ＃ 14-02-016版本G ECN ＃ 01-1266 ）
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省电与页面模式操作（WE
=
V
IH
)
N04L1618C2A
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字地址（ A0 - A3 ）
WORD 1
WORD 2
16字
CE1
CE2
OE
LB ， UB
注：页面模式操作寻址SRAM中保存的工作电流的方法。内部
组织SRAM的优化，以允许这种独特的运行模式被用来作为一种有价值的功率
节能功能。
需要做的仅仅是为解决对SRAM的方式，内部页面是左开
并从打开的页被读取的数据的16位字。通过将地址A0 A3的作为至少显著
位和寻址打开的页面内的16个字，功率被减小到页面模式值，它是
比标准的工作电流为低功耗SRAM的低得多。
（ DOC ＃ 14-02-016版本G ECN ＃ 01-1266 ）
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