纳安解决方案公司
670北麦卡锡大道。套件220 ，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035
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N02M083WL1A
2MB超低功耗异步医疗CMOS SRAM
256Kx8位
概观
该N02M083WL1A是一个集成的内存
设备仅用于非生命支持（ 1或2级）
医疗应用。这个装置包括一个2
兆位静态随机存取存储器组织成
262,144字由8位。本设备被设计
并采用纳安先进的CMOS制造
技术与可靠性inhancements的
医疗用户。基部设计是一样的
纳安的N02M0818L2A ，其中，还具有
用于生命支持的可靠性处理（ 3级）
医疗应用。该器件采用2
芯片使能（ CE1和CE2 ）控制和输出
使能（OE ），以允许容易地扩展内存。
该N02M083WL1A是最佳的各种
应用中的低功耗是关键的，如
备用电池和手持设备。该装置
可以在一个很宽的温度范围内操作
-40
o
C至+ 85
o
C和可在JEDEC
标准封装与其它标准兼容
256KB ×8的SRAM
特点
单宽电源电压范围
2.3至3.6伏特
低待机电流
3μA的最大电压为3.6V
极低的工作电流
2毫安在3.6V至1MHz （典型值）
非常低的页面模式工作电流
在3.6V至1MHz 0.5毫安（典型值）
简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.8V
自动关机进入待机模式
TTL兼容的三态输出驱动器
产品系列
待机
当前
(I
SB
） ，最大
3.0 A
操作
电流（ Icc的） ，
最大
2.5毫安@ 1MHz的
产品型号
N02M083WL1AN
套餐类型
32 - STSOP我
操作
温度
-40
o
C至+ 85
o
C
动力
电源（VCC ）
2.3V - 3.6V
速度
N02M083WL1AD已知合格芯片
为70ns @ 2.3V
引脚配置
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
V
CC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
17
WE
CE1 ， CE2
OE
I / O
0
-I / O
7
V
CC
V
SS
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
数据输入/输出
动力
地
N02M083WL1A
STSOP
库存号23207-01 02年11月1日
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
1
纳安解决方案公司
功能框图
N02M083WL1A
地址
输入
A
0
- A
3
字
地址
解码
逻辑
复字
输入/
产量
MUX
和
缓冲器
地址
输入
A
4
- A
17
页面
地址
解码
逻辑
16K页
×16字
×8位
RAM阵列
I / O
0
- I / O
7
CE1
CE2
WE
OE
控制
逻辑
功能说明
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
L
H
H
OE
X
X
X
2
L
H
I / O
0
- I / O
7
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
1
待机
1
写
2
读
活跃
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1.当设备处于待机模式时，控制输入（WE和OE ） ，地址输入端和数据输入/输出是内部分离
从任何外部影响，从外部施加任何影响禁用。
2.当我们被调用时， OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
8
8
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
库存号23207-01 02年11月1日
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2
纳安解决方案公司
绝对最大额定值
1
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
N02M083WL1A
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.5
500
-40至125
-40至+85
240
o
C， 10秒（仅适用于铅）
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作特性（在规定温度范围）
项
电源电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写工作电流
@ 1
s
周期
2
读/写工作电流
@ 70 ns的周期时间
2
页面模式工作电源电流
@ 70 ns的周期时间
2
（请参阅电源
储蓄与页面模式操作
图）
最大待机电流
3
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
OH
= 0.2毫安
I
OL
= -0.2mA
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
V
CC
=3.6 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=3.6 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=2.3 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 85
o
C，V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 1.8V, V
IN
= V
CC
或0
芯片禁用，T
A
= 85
o
C
1.5
10.0
芯片已禁用
3
测试条件
分钟。
2.3
1.8
V
CC
-0.6
–0.3
V
CC
–0.2
0.2
0.5
0.5
2.0
12.0
V
CC
+0.3
0.6
典型值
1
最大
3.6
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
CC3
4.0
mA
I
SB1
2.0
20.0
A
最大数据保持电流
3
I
DR
10.0
A
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值，T测量。
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
2.此参数指定禁用，以避免外部负载效应的输出。用户必须添加的电流来驱动所需
输出电容预期在实际的系统中。
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3
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省电与页面模式操作（WE = V
IH
)
N02M083WL1A
页地址（ A4 - A17 ）
打开页面
...
字地址（ A0 - A3 ）
WORD 1
WORD 2
16字
CE1
CE2
OE
注：页面模式操作寻址SRAM中保存的工作电流的方法。内部
组织SRAM的优化，以允许这种独特的运行模式被用来作为一种有价值的功率
节能功能。
需要做的仅仅是为解决对SRAM的方式，内部页面是左开
并从打开的页被读取数据的8位字。通过将地址A0 A3的作为至少显著
位和寻址打开的页面内的16个字，功率被减小到页面模式值，它是
比标准的工作电流为低功耗SRAM的低得多。
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时序测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
工作温度
N02M083WL1A
0.1V
CC
0.9 V
CC
5ns
0.5 V
CC
CL = 30pF的
-40至+85
o
C
定时
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能到输出有效
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AW
t
WP
t
AS
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
50
0
10
15
10
0
0
15
100
70
70
50
0
0
30
40
0
5
30
30
2.3 - 3.6 V
分钟。
100
100
100
35
10
5
0
0
10
70
50
50
40
0
0
20
20
20
马克斯。
2.7 - 3.6 V
分钟。
70
70
70
35
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
库存号23207-01 02年11月1日
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