纳安解决方案公司
670北麦卡锡大道。套件220 ，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035
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N02M0818L2A
2MB超低功耗异步医疗CMOS SRAM
256Kx8位
概观
该N02M0818L2A是一个集成的内存
设备适用于植入生命支持（ 3级）
医疗应用。这个装置包括一个2
兆位静态随机存取存储器组织成
262,144字由8位。本设备被设计
并采用纳安先进的CMOS制造
技术与可靠性inhancements的
医疗用户。基部设计是一样的
纳安的N02M0818L1A ，其目的是为
非生命支持（ 1级和2级）医疗
应用程序。该器件采用双芯片
使能（ CE1和CE2 ）控制和输出使能
（OE） ，以允许容易地扩展内存。该
N02M0818L2A最适合各种应用
其中，低功耗是关键的，例如植入
心脏起搏器设备。该设备可以工作在
-20很宽的温度范围
o
C至+60
o
C
并以裸片形式，以及在提供JEDEC
标准封装与其它标准兼容
256KB ×8的SRAM
特点
单宽电源电压范围
1.3至2.3伏特
- 极低的待机电流
典型电流为200nA ，在2.1V和37摄氏度
极低的工作电流
在2.0V和1μs的1毫安（典型值）
非常低的页面模式工作电流
在1.0V和1μs的0.5毫安（典型值）
简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.0V
自动关机进入待机模式
TTL兼容的三态输出驱动器
产品系列
产品型号
N02M0818L2AN
套餐类型
32 - STSOP我
操作
温度
-20
o
C至+60
o
C
动力
电源（VCC ）
1.3V - 2.3V
速度
为100ns @ 1.65V
为500ns @ 1.3V
待机
当前
(I
SB
)
450nA的@
2.3V
操作
电流（ Icc的） ，
最大
2.5毫安@ 1MHz的
N02M0818L2AD已知合格芯片
引脚配置
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
17
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
数据输入/输出
动力
地
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
N02M0818L2A
STSOP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
WE
CE1 ， CE2
OE
I / O
0
-I / O
7
V
CC
V
SS
（ DOC ＃ 14-02-036版本C ECN ＃ 01-0887 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
1
纳安解决方案公司
功能框图
N02M0818L2A
V
CCQ （ OPT ）
地址
输入
A
0
- A
3
字
地址
解码
逻辑
复字
地址
输入
A
4
- A
17
页面
地址
解码
逻辑
16K页
×16字
×8位
内存
输入/
产量
MUX
和
缓冲器
I / O
0
- I / O
7
CE1
CE2
WE
OE
功能说明
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
L
H
H
OE
X
X
X
2
L
H
控制
逻辑
I / O
0
- I / O
7
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
1
待机
1
写
2
读
活跃
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1.当设备处于待机模式时，控制输入（WE和OE ） ，地址输入端和数据输入/输出是内部分离
从任何外部影响，从外部施加任何影响禁用。
2.当我们被调用时， OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
8
8
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
（ DOC ＃ 14-02-036版本C ECN ＃ 01-0887 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
2
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绝对最大额定值
1
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
N02M0818L2A
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 3.0
500
-40至125
-20至+60
240
o
C， 10秒（仅适用于铅）
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
推荐工作极限
（未测试全包值） 1
项
核心供电电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写工作电流
@ 1
s
周期
2
读/写工作电流
@ 85 ns的周期时间
2
待机电流
3
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
OH
= 0.2毫安
I
OL
= -0.2mA
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
V
CC
=2.3 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=2.3 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 37
o
C，V
CC
= 2.3 V
V
CC
= 1.0V, V
IN
= V
CC
或0
芯片禁用，T
A
= 85
o
C
芯片禁用（注3 ）
测试条件
分钟。
1.3
1.0
0.7V
CCQ
V
CCQ
+0.5
–0.5
V
CCQ
–0.3
0.3
0.1
0.1
2.5
13.0
0.3V
CCQ
最大
2.3
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
450
nA
数据保持电流
3
I
DR
1.0
A
1.这些限制是预期的运行条件该设备。仅在该范围内的条件下选择的点
专门测试和保证。
2.此参数指定禁用，以避免外部负载效应的输出。用户必须将当前的
以驱动输出电容预期在实际系统中必需的。
3.芯片被禁止时， CE1 ＃是高还是CE2为低或UB ＃和LB ＃高。当CE1 ＃是芯片启用
低， CE2高。
（ DOC ＃ 14-02-036版本C ECN ＃ 01-0887 ）
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3
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N02M0818L2A
推荐时间限制 - 读周期
（不是所有的包容性测试值）
1.3 - 2.3 V
项
符号
分钟。
读周期时间
地址访问时间
芯片使能到输出有效
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
100
50
0
0
50
150
150
500
500
500
200
20
10
0
0
10
30
30
马克斯。
分钟。
100
100
100
50
马克斯。
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.65 - 2.3 V
单位
推荐时间限制 - 写周期
（不是所有的包容性测试值）
1.3 - 2.3 V
项
符号
分钟。
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
从地址变更输出保持
t
WC
t
CW
t
AW
t
WP
t
AS
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
t
OH
300
0
50
0
500
400
400
300
0
0
50
40
0
10
0
马克斯。
分钟。
85
50
50
40
0
0
15
马克斯。
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.65 - 2.3 V
单位
（ DOC ＃ 14-02-036版本C ECN ＃ 01-0887 ）
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N02M0818L2A
t
RC
读周期的时序（ CE1 = OE = V
IL
我们CE2 = = V
IH
)
地址
t
AA
t
OH
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期的时序波形（WE = V
IH
)
t
RC
地址
t
AA
t
HZ
CE1
t
CO
CE2
t
LZ
t
OE
OE
t
OLZ
数据输出
高-Z
数据有效
t
OHZ
（ DOC ＃ 14-02-036版本C ECN ＃ 01-0887 ）
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