N02L83W2A
2MB超低功耗异步SRAM CMOS
256K × 8位
概观
该N02L83W2A是一个集成存储设备
含有2兆比特静态随机存取存储器
由8位， 262,144字。该装置
设计并采用捏造
安森美半导体先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。该器件采用双芯片使能
（ CE1和CE2 ）控制和输出使能（ OE ）来
使其易于扩展内存。该
N02L83W2A最适合各种应用
其中，低功耗是作为备用电池等关键
和手持设备。该装置可进行操作
在-40一个很宽的温度范围
o
C到
+85
o
C和在JEDEC标准可用
包装与其它标准256Kb的X兼容
8 SRAM的
特点
单宽电源电压范围
2.3至3.6伏特
- 极低的待机电流
2.0μA在3.0V （典型值）
极低的工作电流
在3.0V和1μs的2.0毫安（典型值）
非常低的页面模式工作电流
在3.0V和1μs的0.8毫安（典型值）
简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.8V
非常快的输出使能存取时间
OE为30ns存取时间
自动关机进入待机模式
TTL兼容的三态输出驱动器
产品系列
产品型号
N02L83W2AT
N02L83W2AN
N02L83W2AT2
N02L83W2AN2
套餐类型
32 - TSOP I
55ns @ 2.7V
-40
o
C至+ 85
o
2.3V - 3.6V为70ns @ 2.3V
32 - TSOP I绿
32 - STSOP我绿
32 - STSOP我
2
A
2毫安@ 1MHz的
操作
动力
温度电源（ VCC）
速度
待机
操作
电流（I
SB
） ，电流（ Icc的） ，
典型
典型
引脚配置
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
V
CC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
17
WE
CE1 ， CE2
OE
I / O
0
-I / O
7
V
CC
V
SS
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
数据输入/输出
动力
地
N02L83W2A
STSOP -Ⅰ ， TSOP-我
2008 SCILLC 。版权所有。
2008年7月 - 修订版
8
出版订单号：
N02L83W2A/D
N02L83W2A
功能框图
地址
输入
A
0
- A
3
字
地址
解码
逻辑
复字
输入/
产量
MUX
和
缓冲器
地址
输入
A
4
- A
17
页面
地址
解码
逻辑
16K页
×16字
×8位
RAM阵列
I / O
0
- I / O
7
CE1
CE2
WE
OE
控制
逻辑
功能说明
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
L
H
H
OE
X
X
X
2
L
H
I / O
0
- I / O
7
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
1
待机
1
写
2
读
活跃
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1.当设备处于待机模式时，控制输入（WE和OE ） ，地址输入端和数据输入/输出是内部分离
从任何外部影响，从外部施加任何影响禁用。
2.当我们被调用时， OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
8
8
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
启示录
8
|页10 2 | www.onsemi.com
N02L83W2A
绝对最大额定值
1
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.5
500
-40至125
-40至+85
260
o
C， 10秒
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作特性（在规定温度范围）
项
电源电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写工作电流
@ 1
s
周期
2
读/写工作电流
@ 70 ns的周期时间
2
页面模式工作电源电流
@ 70 ns的周期时间
2
（请参阅电源
储蓄与页面模式操作
图）
读/写静态工作支持部门
当前层
3
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
OH
= 0.2毫安
I
OL
= -0.2mA
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
V
CC
=3.6 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=3.6 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=3.6 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=3.6 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0,
f=0
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 85
o
C，V
CC
= 3.6 V
V
CC
= 1.8V, V
IN
= V
CC
或0
芯片禁用，T
A
= 85
o
C
2.0
2.0
12.0
芯片已禁用
3
测试条件
分钟。
2.3
1.8
1.8
–0.3
V
CC
–0.2
0.2
0.5
0.5
4.0
16.0
V
CC
+0.3
0.6
典型值
1
3.0
最大
3.6
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
CC3
4.0
mA
I
CC4
3.0
mA
最大待机电流
3
I
SB1
20.0
A
最大数据保持电流
3
I
DR
10.0
A
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值，T测量。
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
2.此参数指定禁用，以避免外部负载效应的输出。用户必须添加的电流来驱动所需
输出电容预期在实际的系统中。
3.本装置假设待机模式下，如果芯片被禁用（ CE1高或低CE2 ） 。为了实现低待机电流都
输入必须在0.2伏电压VCC或VSS的。
启示录
8
|第10 3 | www.onsemi.com
N02L83W2A
省电与页面模式操作（WE = V
IH
)
页地址（ A4 - A17 ）
打开页面
...
字地址（ A0 - A3 ）
WORD 1
WORD 2
16字
CE1
CE2
OE
注：页面模式操作寻址SRAM中保存的工作电流的方法。内部
组织SRAM的优化，以允许这种独特的运行模式被用来作为一种有价值的功率
节能功能。
需要做的仅仅是为解决对SRAM的方式，内部页面是左开
并从打开的页被读取数据的8位字。通过将地址A0 A3的作为至少显著
位和寻址打开的页面内的16个字，功率被减小到页面模式值，它是
比标准的工作电流为低功耗SRAM的低得多。
启示录
8
|第10 4 | www.onsemi.com
QQ：2880707522 复制
