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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第721页 > MZP4738A
MZP4729A系列
3瓦DO- 41 SurmeticE 30
齐纳稳压器
这是限制和完整系列的第3瓦齐纳二极管
这反映了出众的能力,优秀的经营特色
的硅 - 氧化物钝化结。这在轴向引线全部
传递模压塑料封装,提供保护,在所有常见的
环境条件。
规格特点:
http://onsemi.com
齐纳电压范围 - 3.6 V至30 V
ESD等级3级( >16 KV )每人体模型
98瓦@ 1 ms的浪涌额定值
最大限度的保证多达六个电气参数
套餐比传统的1瓦大包
阴极
阳极
机械特性:
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀和导线
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的:
轴向引线
CASE 59
塑料
230_C , 1/16“从10秒的情况下
极性:
阴极指示的极性带
安装位置:
任何
最大额定值
等级
马克斯。稳态功耗
@ T
L
= 75 ° C,引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
稳定状态下的功耗
@ T
A
= 50°C
减免上述50℃
工作和存储
温度范围
符号
P
D
价值
3
24
P
D
1
6.67
T
J
, T
英镑
-65
+200
单位
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
标记图
L
MZP4
7xxA
YYWW
L
=大会地点
MZP47xxA =器件代码
=
(见表下一页)
YY
=年
WW
=工作周
订购信息
设备
MZP47xxA
MZP47xxARL
MZP47xxATA
MZP47xxARR1
{
MZP47xxARR2
}
{
}
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
航运
2000单位/箱
6000 /磁带&卷轴
4000 /弹药包
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
极性带
up
与阴极率先第一
极性带
与阴极率先第一
半导体元件工业有限责任公司, 2002年
1
2002年2月 - 第2版
出版订单号:
MZP4729A/D
MZP4729A系列
电气特性
(T
A
= 25°C ,除非
另有说明,V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 mA,对于所有类型)
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
I
R
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
击穿电压
正向电流
正向电压@ I
F
浪涌电流@ T
A
= 25°C
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
MZP4729A系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 mA,对于所有类型)
齐纳电压
(注2 )
设备
(注1 )
MZP4729A
MZP4734A
MZP4735A
MZP4736A
MZP4737A
MZP4738A
MZP4740A
MZP4741A
MZP4744A
MZP4745A
MZP4746A
MZP4749A
MZP4750A
MZP4751A
MZP4752A
MZP4753A
设备
记号
MZP4729A
MZP4734A
MZP4735A
MZP4736A
MZP4737A
MZP4738A
MZP4740A
MZP4741A
MZP4744A
MZP4745A
MZP4746A
MZP4749A
MZP4750A
MZP4751A
MZP4752A
MZP4753A
V
Z
(伏)
3.42
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
9.50
10.45
14.25
15.20
17.10
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
3.6
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
10
11
15
16
18
24
27
30
33
36
最大
3.78
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
10.50
11.55
15.75
16.80
18.90
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
@ I
ZT
mA
69
45
41
37
34
31
25
23
17
15.5
14
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
齐纳阻抗
(注3)
Z
ZT
@ I
ZT
W
10
5
2
3.5
4
4.5
7
8
14
16
20
25
35
40
45
50
Z
ZK
@ I
ZK
W
400
600
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
1000
1000
1000
mA
1
1
1
1
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
A
最大
100
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1
2
3
4
5
6
7.6
8.4
11.4
12.2
13.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
I
R
(注4 )
mA
1260
810
730
660
605
550
454
414
304
285
250
190
170
150
135
125
1.
耐性与TYPE号指定
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
2.
齐纳电压(V
Z
)测量
安森美半导体保证齐纳电压时,在90秒为单位计算,同时保持引线温度(T
L
)在30℃下
±1°C,
3/8“从二极管体。
3.
齐纳阻抗(Z
Z
)推导
齐纳阻抗从60秒交流电压,具有均方根值等于10%的交流电流时,其导致来自
直流稳压电流(I
ZT
还是我
ZK
)被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
4.
浪涌电流(I
R
)不重复
在电气特性表中列出的评级是最大峰值,非重复性,反向浪涌的1/2方波电流或
1/120秒的持续时间相等的正弦波脉冲叠加在测试电流,我
ZT
,根据JEDEC标准。然而,实际的设备
能力是在一般数据手册Surmetic 30岁的图3描述。
5
P
D
,最大稳定状态
功耗(瓦)
4
3
2
1
0
L = 3/8″
L = 1/8″
L =导线长度
到散热器
L = 1″
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
L
,焊接温度( ° C)
180
200
图1.电源温度降额曲线
http://onsemi.com
3
MZP4729A系列
θ
JL (T , D)瞬态热阻
交界处领导(
°
C / W )
30
20
10
7
5
3
2
D =0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
D=0
0.0005
0.001
0.002
0.005
注意:下面0.1秒,热
响应曲线适用
对任何引线长度(L ) 。
0.01
0.02
0.05
T,时间(秒)
0.1
0.2
P
PK
t
2
占空比D = T
1
/t
2
t
1
1
0.7
0.5
单脉冲
T
JL
=
θ
JL
(T ) P
PK
重复脉冲
T
JL
=
θ
JL
(T , D) P
PK
0.5
1
2
5
10
0.3
0.0001 0.0002
图2.典型的热响应L,引线长度= 3/8英寸
1K
PPK ,峰值浪涌功率(瓦特)
500
300
200
100
50
30
20
10
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
5
10
PW ,脉冲宽度(毫秒)
20 30 50
100
3
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
T
A
= 125°C
矩形
不重复
波形
T
J
= 25°C PRIOR
TO初始脉冲
IR ,反向漏电流( μ ADC) @ VR
指定在ELEC 。 CHAR 。表
T
A
= 125°C
0.002
0.001
0.0005
0.0003
1
2
5
10
20
50 100
标称V
Z
(伏)
200
400
1000
图3.最大浪涌电源
图4.典型的反向漏
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4
MZP4729A系列
应用说明
因为从一个给定的齐纳可用的实际电压
二极管是温度依赖性的,以确定它是必要
在任何一组的操作条件下的结温
为了计算其值。下面的过程是
推荐:
铅的温度,T
L
,应当从确定:
T
L
=
θ
LA
P
D
+ T
A
T
JL
是上述引线的增加的结温
温度,并且可以发现,从图2为一列
功率脉冲( L = 3/8英寸),或从图10为直流电源。
T
JL
=
θ
JL
P
D
θ
LA
是引入到环境的热阻( ° C / W)和P
D
是功耗。对于价值
θ
LA
将各不相同,
取决于设备的安装方法。
θ
LA
一般是
对于各种片段30-40 ℃/ W,并在共同配合分
使用与用于印刷电路板的布线。
引线的温度,也可以使用测得的
热电偶放置在上述引线尽可能接近的
配合点。连接到所述连接点的热质
通常足够大,使得它不会显著
到热响应浪涌在二极管中产生的结果
脉冲操作,一旦稳定状态得以实现。
使用T的测量值
L
,结温
可通过确定:
T
J
= T
L
+
T
JL
对于最坏情况设计,预计使用我的限制
Z
,限制
P的
D
和T的极端
J
(T
J
)可以被估计。
改变电压,V
Z
然后,可以得到:
V
=
θ
VZ
T
J
θ
VZ
中,齐纳电压的温度系数,是发现
从图5和图6 。
在高功率脉冲操作中,齐纳电压将
随时间而变化,并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节,保持电流
游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌
能力。电涌限制在图3中给他们
会比只考虑结预期低
温度,因为电流拥挤效应引起的温度
是非常高导致设备的小斑点
降解应图3的极限被超出。
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5
MZP4729A系列
3瓦DO- 41 SurmeticE 30
齐纳稳压器
这是限制和完整系列的第3瓦齐纳二极管
这反映了出众的能力,优秀的经营特色
的硅 - 氧化物钝化结。这在轴向引线全部
传递模压塑料封装,提供保护,在所有常见的
环境条件。
规格特点:
http://onsemi.com
齐纳电压范围 - 3.6 V至30 V
ESD等级3级( >16 KV )每人体模型
98瓦@ 1 ms的浪涌额定值
最大限度的保证多达六个电气参数
套餐比传统的1瓦大包
阴极
阳极
机械特性:
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀和导线
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的:
轴向引线
CASE 59
塑料
230_C , 1/16“从10秒的情况下
极性:
阴极指示的极性带
安装位置:
任何
最大额定值
等级
马克斯。稳态功耗
@ T
L
= 75 ° C,引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
稳定状态下的功耗
@ T
A
= 50°C
减免上述50℃
工作和存储
温度范围
符号
P
D
价值
3
24
P
D
1
6.67
T
J
, T
英镑
-65
+200
单位
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
标记图
L
MZP4
7xxA
YYWW
L
=大会地点
MZP47xxA =器件代码
=
(见表下一页)
YY
=年
WW
=工作周
订购信息
设备
MZP47xxA
MZP47xxARL
MZP47xxATA
MZP47xxARR1
{
MZP47xxARR2
}
{
}
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
航运
2000单位/箱
6000 /磁带&卷轴
4000 /弹药包
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
极性带
up
与阴极率先第一
极性带
与阴极率先第一
半导体元件工业有限责任公司, 2002年
1
2002年2月 - 第2版
出版订单号:
MZP4729A/D
MZP4729A系列
电气特性
(T
A
= 25°C ,除非
另有说明,V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 mA,对于所有类型)
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
I
R
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
击穿电压
正向电流
正向电压@ I
F
浪涌电流@ T
A
= 25°C
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
MZP4729A系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 mA,对于所有类型)
齐纳电压
(注2 )
设备
(注1 )
MZP4729A
MZP4734A
MZP4735A
MZP4736A
MZP4737A
MZP4738A
MZP4740A
MZP4741A
MZP4744A
MZP4745A
MZP4746A
MZP4749A
MZP4750A
MZP4751A
MZP4752A
MZP4753A
设备
记号
MZP4729A
MZP4734A
MZP4735A
MZP4736A
MZP4737A
MZP4738A
MZP4740A
MZP4741A
MZP4744A
MZP4745A
MZP4746A
MZP4749A
MZP4750A
MZP4751A
MZP4752A
MZP4753A
V
Z
(伏)
3.42
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
9.50
10.45
14.25
15.20
17.10
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
3.6
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
10
11
15
16
18
24
27
30
33
36
最大
3.78
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
10.50
11.55
15.75
16.80
18.90
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
@ I
ZT
mA
69
45
41
37
34
31
25
23
17
15.5
14
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
齐纳阻抗
(注3)
Z
ZT
@ I
ZT
W
10
5
2
3.5
4
4.5
7
8
14
16
20
25
35
40
45
50
Z
ZK
@ I
ZK
W
400
600
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
1000
1000
1000
mA
1
1
1
1
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
A
最大
100
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1
2
3
4
5
6
7.6
8.4
11.4
12.2
13.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
I
R
(注4 )
mA
1260
810
730
660
605
550
454
414
304
285
250
190
170
150
135
125
1.
耐性与TYPE号指定
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
2.
齐纳电压(V
Z
)测量
安森美半导体保证齐纳电压时,在90秒为单位计算,同时保持引线温度(T
L
)在30℃下
±1°C,
3/8“从二极管体。
3.
齐纳阻抗(Z
Z
)推导
齐纳阻抗从60秒交流电压,具有均方根值等于10%的交流电流时,其导致来自
直流稳压电流(I
ZT
还是我
ZK
)被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
4.
浪涌电流(I
R
)不重复
在电气特性表中列出的评级是最大峰值,非重复性,反向浪涌的1/2方波电流或
1/120秒的持续时间相等的正弦波脉冲叠加在测试电流,我
ZT
,根据JEDEC标准。然而,实际的设备
能力是在一般数据手册Surmetic 30岁的图3描述。
5
P
D
,最大稳定状态
功耗(瓦)
4
3
2
1
0
L = 3/8″
L = 1/8″
L =导线长度
到散热器
L = 1″
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
L
,焊接温度( ° C)
180
200
图1.电源温度降额曲线
http://onsemi.com
3
MZP4729A系列
θ
JL (T , D)瞬态热阻
交界处领导(
°
C / W )
30
20
10
7
5
3
2
D =0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
D=0
0.0005
0.001
0.002
0.005
注意:下面0.1秒,热
响应曲线适用
对任何引线长度(L ) 。
0.01
0.02
0.05
T,时间(秒)
0.1
0.2
P
PK
t
2
占空比D = T
1
/t
2
t
1
1
0.7
0.5
单脉冲
T
JL
=
θ
JL
(T ) P
PK
重复脉冲
T
JL
=
θ
JL
(T , D) P
PK
0.5
1
2
5
10
0.3
0.0001 0.0002
图2.典型的热响应L,引线长度= 3/8英寸
1K
PPK ,峰值浪涌功率(瓦特)
500
300
200
100
50
30
20
10
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
5
10
PW ,脉冲宽度(毫秒)
20 30 50
100
3
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
T
A
= 125°C
矩形
不重复
波形
T
J
= 25°C PRIOR
TO初始脉冲
IR ,反向漏电流( μ ADC) @ VR
指定在ELEC 。 CHAR 。表
T
A
= 125°C
0.002
0.001
0.0005
0.0003
1
2
5
10
20
50 100
标称V
Z
(伏)
200
400
1000
图3.最大浪涌电源
图4.典型的反向漏
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4
MZP4729A系列
应用说明
因为从一个给定的齐纳可用的实际电压
二极管是温度依赖性的,以确定它是必要
在任何一组的操作条件下的结温
为了计算其值。下面的过程是
推荐:
铅的温度,T
L
,应当从确定:
T
L
=
θ
LA
P
D
+ T
A
T
JL
是上述引线的增加的结温
温度,并且可以发现,从图2为一列
功率脉冲( L = 3/8英寸),或从图10为直流电源。
T
JL
=
θ
JL
P
D
θ
LA
是引入到环境的热阻( ° C / W)和P
D
是功耗。对于价值
θ
LA
将各不相同,
取决于设备的安装方法。
θ
LA
一般是
对于各种片段30-40 ℃/ W,并在共同配合分
使用与用于印刷电路板的布线。
引线的温度,也可以使用测得的
热电偶放置在上述引线尽可能接近的
配合点。连接到所述连接点的热质
通常足够大,使得它不会显著
到热响应浪涌在二极管中产生的结果
脉冲操作,一旦稳定状态得以实现。
使用T的测量值
L
,结温
可通过确定:
T
J
= T
L
+
T
JL
对于最坏情况设计,预计使用我的限制
Z
,限制
P的
D
和T的极端
J
(T
J
)可以被估计。
改变电压,V
Z
然后,可以得到:
V
=
θ
VZ
T
J
θ
VZ
中,齐纳电压的温度系数,是发现
从图5和图6 。
在高功率脉冲操作中,齐纳电压将
随时间而变化,并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节,保持电流
游览尽可能低。
图2中的数据不应被用于计算浪涌
能力。电涌限制在图3中给他们
会比只考虑结预期低
温度,因为电流拥挤效应引起的温度
是非常高导致设备的小斑点
降解应图3的极限被超出。
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