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非易失性RAM控制器
_______________General说明
该MXD1210非易失RAM控制器是一个非常低
功耗CMOS电路，它把标准（挥发性）
CMOS RAM到非易失性存储器。它还不断
监视电源以提供RAM写保护
化时，电源RAM处于边缘外（out- OF-
耐受性）的条件。当电源开始
失败中，RAM是写保护的，并且该器件开关
ES电池备份模式。
____________________________Features
o
备用电池
o
存储器写保护
o
230μA工作模式静态电流
o
仅为2nA备份模式下，静态电流
o
电池保鲜
o
可选的冗余电池
o
在V低正向压降
CC
电源开关
o
5 ％或10％的电源故障检测选项
o
测试电池状态在上电
o
8引脚SO可用
MXD1210
应用
μP系统
电脑
嵌入式系统
_________________Pin配置
______________Ordering信息
部分
顶视图
MXD1210CPA
MXD1210CSA
MXD1210CWE
MXD1210C/D
MXD1210EPA
MXD1210ESA
MXD1210EWE
MXD1210MJA
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
PIN- PACKAGE
8塑料DIP
8 SO
16宽SO
骰子*
8塑料DIP
8 SO
16宽SO
8 CERDIP
V
CCO
1
VBATT1 2
TOL 3
GND 4
8
7
V
CCI
VBATT2
首席执行官
CE
MXD1210
6
5
*联系工厂骰子规格。
DIP / SO
__________Typical工作电路
V
CCI
V
CCO
VBATT1
VBATT2
V
CC
CMOS
内存
6
3
CE
北卡罗来纳州1
V
CCO
2
北卡罗来纳州3
VBATT1 4
北卡罗来纳州5
TOL 6
北卡罗来纳州7
GND 8
16北卡罗来纳州
15 V
CCI
14北卡罗来纳州
+5V
8
1
2
MXD1210
7
CE
5
从
解码器
4
MXD1210
13 VBATT2
12北卡罗来纳州
11 CEO
10北卡罗来纳州
9 CE
宽，因此
GND
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
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非易失性RAM控制器
MXD1210
绝对最大额定值
V
CCI
到GND ................................................ ................- 0.3V ， + 7V
VBATT1到GND ............................................... ........... -0.3V ， + 7V
VBATT2到GND ............................................... ........... -0.3V ， + 7V
V
CCO
到GND ................................................ ..... -0.3V ，V
S
+ 0.3V
(V
S
=更大的V
CCI
， VBATT1 ， VBATT2 ）
数字输入和输出电压至GND ............. 0.3V ，V
CCI
+ 0.3V
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
8引脚塑料DIP （减免9.09mW / ° C以上+ 70 ° C） .... 727mW
8引脚SO （减免5.88mW / ° C以上+ 70 ° C） ................. 471mW
16引脚宽SO （减免9.52mW / ° C以上+ 70 ° C） ...... 762mW
8引脚CERDIP （减免8.00mW / ° C以上+ 70 ° C） ......... 640MW
工作温度范围
MXD1210C_ _ ................................................ ..... 0 ° C至+ 70°C
MXD1210E_ _ ................................................ .. -40 ° C至+ 85°C
MXD1210MJA ................................................ - 55 ° C至+ 125°C
存储温度范围........................... -65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............................ + 300℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(T
A
= T
民
给T
最大
除非另有说明）。
参数
符号
条件
民
典型值
最大
单位
推荐工作条件
TOL = GND
电源电压
输入高电压
输入低电压
电池电压（注1 ）
V
CCI
TOL = V
CCO
V
IH
V
IL
VBATT1
VBATT2
1或2节电池
2.0
4.50
2.2
0.8
4.0
5.50
V
V
V
4.75
5.50
V
电气特性
(V
CCI
= + 4.75V至+ 5.5V ， TOL = GND ;或V
CCI
= + 4.5V至+ 5.5V ， TOL = V
CCO
; T
A
= T
民
给T
最大
;除非另有说明）。
参数
符号
条件
V
CCO
,
首席执行官
开放的，
VBATT1 = VBATT2 = 3V
MXD1210C
输出电源电压
V
CCO
I
CCO1
= 80毫安
（注2 ）
V
CCI
- V
CCO
≤
0.2V
（注2 ）
MXD1210E
MXD1210M
MXD1210C
MXD1210E
MXD1210M
V
CCI
- 0.20
V
CCI
- 0.21
V
CCI
- 0.25
0.23
0.23
80
75
65
±1.0
±1.0
I
OH
= -1mA
I
OL
= 4毫安
TOL = GND
TOL = V
CCO
2.4
4.50
4.25
0.4
4.74
4.49
mA
A
A
V
V
V
V
民
典型值
最大
单位
作者供电模式， TOL = V
CCO
电源电流
I
CCI
0.23
0.5
mA
输出电源电流
输入漏电流
输出漏电流
高电平输出电压
低电平输出电压
V
CCI
TRIP POINT
2
I
CCO
I
IL
I
OL
V
OH
V
OL
V
CCTP
_______________________________________________________________________________________
非易失性RAM控制器
电气特性
(V
CCI
< VBATT ;在VBATT1积极的边沿速率， VBATT2 > 0.1V / μs的，T
A
= T
民
给T
最大
;除非另有说明）。
参数
电池备份模式
静态电流（注1 ）
输出电源电流（注3,4）
首席执行官
输出电压
I
BATT
I
CCO2
V
O
V
CCO
,
首席执行官
开MXD1210C / E
V
CCI
= 0V
MXD1210M
VBATT - V
CCO
≤
0.2V
输出开路
VBATT - 0.2
2
100
5
300
nA
A
A
V
符号
条件
民
典型值
最大
单位
MXD1210
电气特性
(T
A
= T
民
给T
最大
除非另有说明）。
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
条件
民
典型值
最大
5
7
单位
pF
pF
输入/输出电容
（注5 ）
V
CC
电源时序特性
参数
CE
传播延迟
CE
高电源故障（注5 ）
符号
t
PD
t
PF
(V
CCI
= + 4.75V至+ 5.5V ， TOL = GND ;或V
CCI
= + 4.5V至+ 5.5V ， TOL = V
CCO
; T
A
= T
民
给T
最大
;除非另有说明）。
条件
MXD1210C
R
L
= 1k,
C
L
= 50pF的
MXD1210E
MXD1210M
民
5
5
5
典型值
10
10
10
0
最大
20
22
25
ns
ns
单位
时序特性
(V
CCI
< + 4.75V至+ 5.5V ， TOL = GND ;或V
CCI
< + 4.5V ， TOL = V
CCO
; T
A
= T
民
给T
最大
;除非另有说明）。
参数
恢复上电时
V
CC
摆率掉电
V
CC
摆率上电
CE
脉冲宽度（注6 ）
符号
t
REC
t
F
t
FB
t
R
t
CE
到了超差情况
宽容到电池电源
条件
民
2
300
10
0
1.5
典型值
5
最大
20
单位
ms
s
s
s
注1 ：
仅一个电池输入是必需的。未使用的电池的输入必须接地。
注2 ：
I
CCO1
为最大平均负载电流的MXD1210可以提供给存储器。
注3 ：
I
CCO2
为最大平均负载电流的MXD1210可以在电池备份模式提供给存储器。
注4 ：
首席执行官
只能在电池备份模式下维持漏电流。
注5 ：
通过设计保证。
注6 ：
t
CE
最大值必须满足，以确保在断电数据的完整性。
_______________________________________________________________________________________
3
非易失性RAM控制器
MXD1210
______________________________________________________________Pin说明
针
8引脚DIP / SO
1
2
3
4
5
6
7
8
–
16引脚SO宽
2
4
6
8
9
11
13
15
1, 3, 5, 7
10, 12, 14, 16
名字
V
CCO
VBATT1
托尔
GND
CE
首席执行官
VBATT2
V
CCI
北卡罗来纳州
备份供应到RAM
1电池正极连接
公差选择引脚
地
芯片使能输入
芯片使能输出
2电池正极连接
5V电源为芯片
无连接，没有内部连接
功能
V
CCI
P
VBATT1
P
VBATT2
P
GND
电池
SELECT
FRESHNESS-
SEAL模式
V
CCO
P
N
MXD1210
电池
TEST
GND
电压等级
发现
首席执行官
控制
CE
首席执行官
托尔
图1.框图
4
_______________________________________________________________________________________
非易失性RAM控制器
______________详细说明
主要功能
该MXD1210执行五个主要功能进行
可靠的RAM运行和备用电池（见
典型工作电路
和图1）：
1.内存供电开关：开关指示
电源的RAM，从输入电源或
从所选择的电池，取在
更大的电压。开关控制使用相同的
标准直接动力MXD1210内部
电路。
2.电源故障检测：写保护功能
当检测到电源故障时被使能。
电源故障检测范围取决于
在TOL引脚的状态如下：
条件
TOL = GND
TOL = V
CCO
V
CCTP
范围（V ）
4.75 4.50
4.50至4.25
5.电池状态警告：此通知系统
时的两个电池的措施强
≤
2.0V 。每次MXD1210被重新供电
(V
CCI
＆ GT ; V
CCTP
）检测电源故障之后，
电池电压被测量。如果电池在使用中是
低，继MXD1210恢复期间，
设备由inhibit-发出警告系统
荷兰国际集团的第二存储器周期。该序列是如
如下所示：
第一次访问：读取存储位置N， LOC （ N） = X
第二个访问：写入内存位置N，
禄（正） =补体（x）的
第三个访问：读取存储位置N， LOC （ N） = ？
如果第三访问（读）的配合（ x），则该
电池是好的;否则，该电池是不好的。
返回禄（n）的=以下的测试序列x 。
MXD1210
清新，印章模式
保鲜密封模式与电池寿命
在储存过程中，而不是直接对备用电池。
当第一电池连接 - 该模式被激活
ED和被击败时，在V的电压
CCI
第一次
超过V
CCTP
。在保鲜密封方式，既BAT-
teries从系统中分离出来;也就是说，没有电流
从任一电池耗尽，并在RAM是不pow-
无论是通过电池ERED 。这意味着电池可以
安装和系统可以在库存与 - 举行
出电池放电。在上升沿率
VBATT1和VBATT2超过0.1V / μs的。对电池进行
而安装在teries将保持充分的保质期
该系统。
电源故障检测是独立于由电池的
备份功能和顺序先于它的
在典型的电源的电源电压降低
失败。
3.写保护：它包含芯片使能输出
（ CEO）内的V 0.2V
CCI
或选定的BAT-的
tery ，以较高者为准。如果芯片使能输入
（CE）为低（有效），当检测到电源故障时，
然后
首席执行官
保持低电平，直到
CE
被拉高，在
这时候
首席执行官
被选通为高电平的持续时间
的电源故障。前面序列的COM
pletes当前RD / WR循环，防止数据
腐败如果RAM的访问是WR周期。
4.电池冗余：第二块电池是可选的。
当两个电池连接时，强
电池被选择为提供RAM的备份，并
供电MXD1210 。电池选择电路
保持活跃，而在电池备份模式，
选择较强的电池和隔离
较弱的一个。电池评选活动是反
父向用户和系统。如果只有一个BAT-
tery相连，所述第二电池的输入应
接地。
备用电池
该
典型工作电路
显示MXD1210 CON-
连接的，为了写时保护RAM V
CC
is
小于4.75V ，并且提供电池备份到
供应量。
_______________________________________________________________________________________
5
QQ：2881677436 复制
