【19-0876 ;转1 ; 5/96CMOS ，微处理器兼容，为5μs /为10μs ， 8位ADC】,IC型号MX7576JCWN,MX7576JCWN PDF资料,MX7576JCWN经销商,ic,电子元器件-51电子网

19-0876 ;转1 ; 5/96

CMOS ，微处理器兼容，为5μs /为10μs ， 8位ADC

_______________General说明

Maxim的MX7575 / MX7576是高速（为5μs / 10微秒），

微处理器（μP）兼容， 8位模拟 - 数字

转换器（ADC ）。的MX7575提供一个片上

采样/保持功能，允许满量程信号达到

在50kHz （ 386mV / μs压摆率）被收购和digi-

级分配准确。两个ADC使用逐次近似

息技术来实现自己的快速转换和

低功耗。该MX7575 / MX7576操作

用+ 5V电源和一个1.23V外部基准。他们

接受输入电压范围为0V至2V

REF

该MX7575 / MX7576都轻松连接到所有民粹

通过标准的LAR 8位的μP

和

控制显

良。这些信号控制转换的开始和数据

访问。一

忙

信号表示的开始和

转换结束。由于所有的数据输出

锁存和三态缓冲，在MX7575 / MX7576

可以直接连接到微处理器数据总线或系统的L / O端口。

马克西姆也使得

MAX165,

插件替换

用于与一个内部1.23V基准的MX7575 。为

需要一个差分模拟输入的应用程序和

内部参考，

MAX166

值得推荐。

____________________________Features

快速转换时间：

为5μs （ MX7575 ）

为10μs （ MX7576 ）

MX7575/MX7576

内置采样/保持功能（ MX7575 ）

低总不可调整误差（ ± 1LSB最大值）

50kHz的全功率信号带宽（ MX7575 ）

+ 5V单电源操作

8位微处理器接口

100ns的数据访问时间

低功耗： 15mW的

小尺寸封装

______________Ordering信息

部分

MX7575JN

TEMP 。 RANGE

0 ° C至+ 70°C

PIN- PACKAGE

18塑料DIP

INL

（ LSB ）

±1

±1/2

±1

±1/2

±1

±1/2

±1

±1/2

________________________Applications

数字信号处理

高速数据采集

电信

音频系统

高速伺服环路

低功耗数据记录仪

MX7575KN

0 ° C至+ 70°C

18塑料DIP

MX7575JCWN

0 ° C至+ 70°C

18宽SO

MX7575KCWN

0 ° C至+ 70°C

18宽SO

MX7575JP

0 ° C至+ 70°C

20 PLCC

MX7575KP

0 ° C至+ 70°C

20 PLCC

MX7575J/D

0 ° C至+ 70°C

骰子*

MX7575AQ

-25 ° C至+ 85°C

18 CERDIP **

MX7575BQ

-25 ° C至+ 85°C

18 CERDIP **

订购信息不断在数据表的末尾。

*联系工厂骰子规格。

**联系工厂。

_________________Pin配置

顶视图

CS 1

RD 2

TP （ MODE ） 3

BUSY 4

CLK 5

D7 （MSB） 6

D6 7

18 V

17 REF

_______________Functional图

MX7575

艾因

MX7575

MX7576

TRACK /

HOLD

COMP

16 AIN

15 AGND

14 D0 （ LSB ）

13 D1

12 D2

11 D3

10 D4

AGND 15

REF 17

CLK

时钟

振荡器

DAC

特区

锁存器和

三态

输出驱动器

DGND

DGND 9

控制

逻辑

（）是MX7576而已。

DIP / SO

引脚配置继续在数据表的末尾。

忙

逻辑图继续在数据表的末尾。

________________________________________________________________

免费样品&最新文献： http://www.maxim-ic.com ，或电话1-800-998-8800

CMOS ，微处理器兼容，为5μs /为10μs ， 8位ADC

MX7575/MX7576

绝对最大额定值

到AGND ................................................ ...............- 0.3V ， + 7V

到DGND ................................................ ..............- 0.3V ， + 7V

AGND至DGND ............................................... -0.3V ，V

+ 0.3V

数字输入电压至DGND

（ CS ，

RD，

TP ， MODE ） ......................................- 0.3V ，V

+ 0.3V

数字输出电压DGND

（ BUSY ， D0 - D7 ） ........................................... ...- 0.3V ，V

+ 0.3V

CLK输入电压至DGND ............................- 0.3V ，V

+ 0.3V

REF至AGND ............................................... ....- 0.3V ，V

+ 0.3V

AIN至AGND ............................................... .....- 0.3V ，V

+ 0.3V

连续功率耗散（T

= +70°C)

塑料DIP （减免11.11mW / ° C以上+ 70 ° C） ............... 889mW

宽SO （减免9.52mW / ° C以上+ 70 ° C） .................. 762mW

CERDIP （减免10.53mW / ° C以上+ 70 ° C） ................. 842mW

PLCC （减免10.00mW / ° C以上+ 70 ° C） .................... 800mW的

工作温度范围

MX757_J / K ............................................... ............. 0 ° C至+ 70°C

MX757_A / B ............................................... .........- 25 ° C至+ 85°C

MX757_JE / KE ............................................... .....- 40 ° C至+ 85°C

MX757_S / T ............................................... ........- 55 ° C至+ 125°C

存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 160°C

焊接温度（焊接， 10秒） .............................. + 300℃

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触

绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。

电气特性

= +5V; V

REF

= 1.23V ; AGND = DGND = 0V ; F

CLK

= 4MHz的外部的MX7575 ; F

CLK

= 2MHz的外部的MX7576 ;

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

参数

准确性

决议

总非调整误差

相对精度

无缺失，代码解析

满量程误差

满量程温度系数

偏移误差（注1 ）

偏移温度系数

模拟量输入

电压范围

DC输入阻抗

压摆率，跟踪

信号 - 噪声比（注2）

参考输入

参考电压

参考电流

逻辑输入

，模式

输入低电压

输入高电压

输入电流

输入电容（注2 ）

REF

INL

INH

= 0V或V

= +25°C

= T

民

给T

最大

2.4

±1

±10

± 5 ％的变化为规定的性能

1.23

500

0.8

SNR

MX7575

MX7575 ，V

= 2.46V

p-p

在10kHz ，图13

1LSB = 2V

REF

/256

0.386

REF

V / μs的

±5

±1/2

TUE

INL

MX757_K/B/T

MX757_J/A/S

MX757_K/B/T

MX757_J/A/S

±1

±2

±1/2

±1

位

最低位

位

最低位

PPM /°C的

最低位

PPM /°C的

符号

条件

民

典型值

最大

单位

_______________________________________________________________________________________

CMOS ，微处理器兼容，为5μs /为10μs ， 8位ADC

电气特性（续）

= +5V; V

REF

= 1.23V ; AGND = DGND = 0V ; F

CLK

= 4MHz的外部的MX7575 ; F

CLK

= 2MHz的外部的MX7576 ;

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

参数

时钟

输入低电压

输入高电压

输入低电平电流

输入高电流

逻辑输出（ D0 - D7 ，

忙

)

输出低电压

输出高电压

浮态泄漏电流

浮态输出

电容（注2 ）

转换时间（注3 ）

转换时间

外部时钟

转换时间

内部时钟

电源要求（注4 ）

电源电压

电源电流

功耗

电源抑制

注1 ：

注2 ：

注3 ：

注4 ：

MX7575 ：F

CLK

= 4MHz的

MX7576 ：F

CLK

= 2MHz的

推荐使用

时钟组件：

CLK

= 100k,

CLK

= 100pF的;

= +25°C

MX7575

MX7576

SINK

= 1.6毫安

来源

= 40A

OUT

= 0V至V

, D0–D7

D0–D7

= +25°C

= T

民

给T

最大

4.0

±1

±10

0.4

INL

INH

INL

INH

= 0V

= V

MX757_J/A/K/B

MX757_S/T

MX757_J/A/K/B

MX757_S/T

2.4

700

800

700

800

0.8

符号

条件

民

典型值

最大

单位

MX7575/MX7576

对于指定的性能的±5％

MX757_J/A/K/B

MX757_S/T

4.75V < V

＆ LT ; 5.25V

±1/4

最低位

偏移误差是衡量相对于发生在1 / 2LSB的理想一码转换。

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。

准确度可能会降低在非指定的转换时间。

电源电流进行测量时MX7575 / MX7576是无效的，即：

对于MX7575

忙

=高;

对于MX7576

忙

= MODE =高。

_______________________________________________________________________________________

CMOS ，微处理器兼容，为5μs /为10μs ， 8位ADC

MX7575/MX7576

时序特性（注5 ）

= +5V, V

REF

= 1.23V ， AGND = DGND = 0V ）。

= +25°C

参数

建立时间

忙

传播时间

数据访问时间后，

脉冲宽度

保持时间

数据访问时间后，

忙

数据保持时间

忙

延迟

符号

（注6 ）

（注7 ）

（注6 ）

100

条件

民

100

所有

最大

100

120

100

民

= T

民

给T

最大

J / K / A / B

最大

民

120

S / T

最大

单位

注5 ：

在+ 25°C时序规范样本测试，以确保合规性。所有的输入控制信号与指定

= t

= 20ns的（10 ％90％的+ 5V）和从1.6V的电压电平的定时。

注6 ：

和T

测量与图1的负载电路并且被定义为跨越0.8V或2.4V所需的输出的时间。

注7 ：

被定义为当加载的图2的电路来改变0.5V所需的数据线的时间。

______________________________________________________________Pin说明

针

DIP / SO

PLCC

名字

功能

片选输入。

必须是低的设备将被选择或识别

输入。

读取输入。

必须为低来访问数据。

也用于启动转换。见

微处理器接口

部分。

测试点。连接到V

(MX7575)

模式

模式输入。 MODE =低电平时， ADC到它的异步转换模式。模式必须

（ MX7576 ）连接到高电平为同步变换模式与ROM接口模式。

忙

CLK

D6, D5

DGND

D4–D1

AGND

艾因

REF

北卡罗来纳州

忙

输出。

忙

变低指示转换开始。

忙

去高表示

转换结束。

外部时钟输入/内部振荡器引脚为频率设定RC元件。

三态数据输出，第7位（ MSB ）

三态数据输出，位6和5

数字地

三态数据输出，位4-1

三态数据输出，位0 （ LSB ）

模拟地

模拟输入。 0V至2V

REF

输入范围。

参考输入。 + 1.23V有名无实。

电源电压。 + 5V标称。

无连接

7, 8

10–13

—

8, 9

12–15

1, 11

_______________________________________________________________________________________

CMOS ，微处理器兼容，为5μs /为10μs ， 8位ADC

MX7575/MX7576

+5V

DGND

a）高-Z到V

注： D_表示任何数据输出

100pF

DGND

B）高Z到V

100pF

DGND

A） V

到高阻

注： D_表示任何数据输出

10pF

DGND

B ）V

到高阻

10pF

+5V

图1.负载电路进行数据存取时间测试

图2.负载电路的数据保持时间测试

_______________Detailed说明

转换器操作

该MX7575和MX7576采用逐次近似

息技术来转换一个未知的模拟输入

电压施加到一个8位的数字输出码（见

实用

图表）。

的MX7575样品上的输入电压

内部电容一次（在CON组的开始

版本），而MX7576采样输入信号

在转换过程中的八倍（见

MX7575

采样/保持

和

MX7576模拟输入

部分）。该

内部DAC最初设置为满量程的一半，以及比较

parator确定输入信号是否是更大

大于或一半以上的规模较小。如果它比一半大

规模， DAC MSB保持。但如果是较小的，最高位

被丢弃。在每次比较阶段结束时，该

SAR （逐次逼近寄存器）存储

先前的判决结果，并确定

下试一下。这个信息然后被加载到

每一个决定后DAC 。随着转化的进行，

模拟输入被的COM近似更紧密

它配对到的以前的DAC的比特组合

和一个新的DAC试一下。经过八年的比较周期，

存储在特区内8位锁存到输出

把锁。在转换结束时，将

忙

显

纳尔变高，并且在输出锁存器中的数据是

准备微处理器（ μP ）的访问。此外，该

DAC的复位至一半规模在准备下一个

转换。

被执行。在慢速存储器接口模式，

和

采取低启动转换，他们

保持低电平，直到转换结束，此时

转换结果被锁存。此模式是专为

的μP可以强制进入等待状态。在ROM中

接口模式，但是，微处理器不是被迫进入一等待

状态。 A转换是通过采取启动

和

低，

和从先前的转换数据被读出。在

最近的转换结束时，微处理器执行一

读取指令并开始另一次转换。

为MX7575 ，TP应当硬连接到V

保证设备的正常操作。杂散信号

可能会出现在TP ，或者过大的电流，可以得出

从V

如果TP保持打开或绑以外的电压

微处理器接口

该

和

逻辑输入用于启动转换

操作并从设备中访问数据。该MX7575

和MX7576有两种常见的接口模式：慢

存储器接口模式和ROM接口模式。在

另外， MX7576具有异步转换

模式（ MODE引脚为低电平），其中连续转换

慢速内存模式

图3示出了用于慢速存储器的时序图

接口模式。这是用于与具有状态等待的μP

的至少为10μs （如8085A ）的状态的能力，

其中一个读指令被扩展，以容纳

慢的存储设备。 A转换由exe-开始

三个琴键读取到该装置的存储器（以

和

低）。该

忙

信号（其被连接到所述微处理器

READY输入），然后变低，迫使μP成

等待状态。该MX7575采样/保持，这一直是

跟踪模拟输入信号时，保持在所述信号

之后的第三个时钟下降沿

变为低电平（图12）。

的MX7576然而，采样模拟输入8

转换（各一次compara-之前，在次

器决定）。在转化结束时，

忙

返回高电平时，输出锁存器和缓冲器updat-

编有新的转换结果，和微处理器的COM

pletes通过获取该新的数据读出的存储器。

在MX7575 / MX7576的快速转换时间

确保μP不被强迫进入等待状态的

过多的时间量。更快的版本很多的μP的，

_______________________________________________________________________________________