先进的信息
MX69F162/164C3BT/B
16M - BIT [ X16 ] FLASH和2M比特/ 4M- BIT [ X16 ] SRAM
混合多芯片封装存储器
特点
电源电压范围： 2.7V至3.6V
快速存取时间：闪存： 70 /为90ns
SRAM存储器： 70 / 85ns
工作温度范围： -40 85°C
与MX69F1602 / 1604C3T / B设备完全兼容
- 字写暂停阅读
- 扇区擦除挂起到字写
- 扇区擦除挂起读取寄存器报告
自动扇区擦除，字写和部门锁定/
解锁配置
100000最小擦除/编程周期
BOOT扇区架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
状态寄存器功能的检测程序或
擦除周期结束
数据保护性能
- 各部门要锁定/解锁
通用闪存接口（ CFI ）
128位注册保护
- 64位的唯一设备标识符
- 64位用户可编程
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
FL灰
只字模式
VCCF = VCCQ = 2.7V 3.6V的读取，擦除和编程
手术
VPP = 12V快速生产编程
低功耗
- 9毫安典型的有源读取电流， F = 5MHz时
- 18毫安典型的编程电流（ VPP = 1.65 3.6V ）
- 21毫安典型的擦除电流（ VPP = 1.65 3.6V ）
- 在节能模式7UA典型待机电流
部门架构
- 部门结构： 4Kword ×2 （引导区） ， 4Kword
×6 （参数扇区） ， 32Kword ×31 （主业）
- 顶部/底部启动
自动擦除和自动程序
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
- 自动扇区擦除在指定部门
自动暂停增强
SRAM
MX69F162C3BT / B ： 128K wordx16位
MX69F164C3BT / B ： 256K wordx16位
70毫安最大工作电流
1uA的典型待机电流
数据保持电源电压： 2.0V 3.6V
字节的数据控制： LB中＃ （ Q0到Q7 ）和瑞银（UBS） ＃ （ Q8到
Q15)
P / N ： PM1083
REV 。 0.2 ， 2004年5月20日
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MX69F162/164C3BT/B
概述
该MXIC的混合多芯片内存闪存相结合
和SRAM到一个包中。混合多芯片
存储器操作2.7至3.6V的电源，以允许
简单的系统操作。
混合多芯片内存制造的闪存
factured与MXIC先进的非易失性存储器技
术中，混合多芯片存储器闪速存储器是
设计的重新编程和擦除的系统或
在标准EPROM编程器。该器件提供
对为70ns /为90ns ，而7UA典型待机访问时间
电流。
闪存EPROM增强功能与IN-
电路中的电擦除和编程，并使用
命令寄存器来管理此功能。该公
命令寄存器允许100％的TTL电平控制输入
和擦除和编程过程中固定电源电平
明，同时保持最高的EPROM下兼容性
性。
快闪记忆体可靠地保存存储器的内容，甚至自动对焦
之三十万擦除和编程。该细胞是DE-
签署优化了擦除和编程机器人 -
共享机制。先进隧道此外，组合
氧化处理和低的内部电场为擦除
和编程操作产生可靠的自行车。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
专用VPP引脚提供了完整的数据保护
当VPP< VPPLK 。
闪存包含一个命令的用户界面（ CUI）
和一个写状态机（ WSM） 。 A命令用户
界面（CUI）作为系之间的界面
统的处理器和装置的内部操作。有效
写入CUI命令序列启动装置
自动化。内部写状态机（ WSM ）非盟
tomatically执行该算法和定时neces-
萨利擦除，字写和部门锁定/解锁组态
理性的操作。
闪存擦除自动化允许扇区擦除操作
使用工业标准2 - 写的COM被执行
命令序列的CUI 。扇区擦除操作
删除一个设备的32K字扇区通常
在1.0秒， 4K字部门通常在0.5s内不知疲倦
吊灯等环节。每个扇区可indepen-
dently最小擦除10万次。扇区擦除
暂停模式允许系统软件挂起节
器擦除从任何其他扇区中读出或写入数据。
闪存程序自动允许程序操作
使用工业标准2 - 写的COM被执行
命令序列的CUI 。写入存储器的数据是per-
形成在该器件的32K字的字的增量仲
通常在0.8秒和4K字部门通常器
在0.1S 。 Word程序挂起模式使
系统读取的数据或从任何其他执行代码
存储阵列的位置。
个别部门锁定了Flash功能
使用的39扇区锁定位的组合，并
WP＃ ，以锁定和解锁扇区。
flash状态寄存器指示WSM状态
当扇区擦除， Word程序或锁定的配置
化操作就完成了。
闪存省电模式功能大幅重新
duces当设备处于静止模式有功电流
（地址不切换） 。在这种模式下，典型ICCS
当前是7UA （CMOS）在3.0V的VCC 。由于CEF ＃和再
SET ＃是在VCC ， ICC CMOS待机模式下启用。
当RESET ＃是GND ，复位模式被启用
这最大限度地降低功耗和提供数据的写入
保护。
闪存需要从RESET ＃复位时间（ tPHQV ）
切换到高输出是有效的。同样，闪光
有一个唤醒时间（ tPHEL ）从RESET ＃ - 高到写
在崔的认可。与RESET ＃在GND时，
WSM复位和状态寄存器被清除。
MX69F162C3BT / B的2M位的SRAM的组织结构
128K字×16位。的4M位的SRAM
MX69F164C3BT / B由16位组织256K字。该
先进的CMOS技术和电路技术亲
韦迪高速和具有低功耗的特点，
1uA的和最大的CMOS典型待机电流
在3V工作电压为70ns / 85ns存取时间。
混合多芯片内存在11毫米X可用
8毫米FBGA封装，以满足各种设计应用的
系统蒸发散。
P / N ： PM1083
REV 。 0.2 ， 2004年5月20日
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MX69F162/164C3BT/B
功能摘要
特征
VCC工作电压
CON组fi guration
MX69F162/164C3BT/B
2.7~3.6V
FL灰
SRAM
快速访问时间
座建筑
- 70 :
- 90 :
FL灰
16M ： 1M字x16bit
MX69F162C3BT / B ： 128K字x16bit
MX69F164C3BT / B ： 256K字x16bit
闪存/ 70ns的， SRAM / 70ns的
闪存/为90ns ， SRAM / 85ns
2× 4K字启动
6× 4K字参数
31 X 32K字主
地址引脚
FL灰
SRAM
生产代码
设备识别码
FL灰
FL灰
A0~A19
MX69F162C3BT / B ： A0 A16
MX69F164C3BT / B ： A0 A17
00C2H
MX69F162/164C3BT=88C2H
MX69F162/164C3BB=88C3H
P / N ： PM1083
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MX69F162/164C3BT/B
引脚分配
66球CSP的MX69F162 / 164C3BT / B
（顶视图下球， 11 ×8× 1.4毫米，球间距= 0.8毫米）
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
NC
A11
A15
A14
A13
A12
GNDF
VCCQ
NC
NC
A16
A8
A10
A9
Q15
WES ＃
Q14
Q7
WEF ＃
NC
RES-
ET ＃
VPP
A19
Q11
Q13
Q6
Q4
Q5
GNDS
Q12
CE2s
VCCS
VCCF
WP ＃
Q10
Q2
Q3
8.0 mm
LBS ＃
瑞银（UBS） ＃
OES ＃
Q9
Q8
Q0
Q1
A18
A17
A7
A6
A3
A2
A1
CE1
s#
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A5
A4
A0
CEF ＃
GNDF
OEF ＃
1
2
3
4
5
6
7
11.0 mm
8
9
10
11
12
注意事项：
1.To保持与所有JEDEC方案B方案为这场球的位置C6的兼容性， C6焊盘应
直接连接到焊盘的焊球的G4 （ A17） 。
引脚说明
符号
A0到A16
A0到A17
A17到A19
A18到A19
Q0到Q15
CEF ＃
CE1s#
CE2s
OEF ＃
OES ＃
引脚名称
地址输入（常见）
MX69F162C3BT/B
地址输入（常见）
MX69F164C3BT/B
地址输入（闪光）的
MX69F162C3BT/B
地址输入（闪光）的
MX69F164C3BT/B
数据输入/输出（普通）
芯片使能（闪存）
芯片使能（ SRAM ）
芯片使能（ SRAM ）
输出使能（闪存）
输出使能（ SRAM ）
符号
WEF ＃
WES ＃
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
RESET＃
WP ＃
北卡罗来纳州
GND
VCCF
VCCS
VPP
VCCQ
引脚名称
写使能（闪存）
写使能（ SRAM ）
高字节控制（ SRAM ）
低字节控制（ SRAM ）
硬件复位引脚/深层动力
向下（闪存）
写保护
无连接
接地引脚（通用）
电源供应器（闪存， 2.7V 3.6V ）
电源供应器（ SRAM ， 2.7V 3.6V ）
编程/擦除电源
（ 1.65V 3.6V或11.4V 12.6V ）
I / O电源供应器（闪存）绑VCCF
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