MX66C256
超低功耗的32k ×8 CMOS SRAM
特点
VCC工作电压： 5.0V
极低的功耗：
50毫安（最大）写入电流
40毫安（最大）读取电流
0.4uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
- 70
70ns的（最大）
- 100
为100ns （最大值）。
输入电平为CMOS兼容
自动断电，当芯片被取消
三态输出
全静态操作
数据保持电源电压低至2.0V
易于扩展CE和OE选项
描述
该MX66C256是一款高性能，低功耗
的CMOS静态随机存取存储器组织成
32,768字由8位工作在5.0V电源
电压。
先进的CMOS技术和电路技术
同时提供高速，低功耗的特点，用
0.4uA和最大的CMOS典型待机电流
70ns的存取时间和5V工作100纳秒。
容易记忆膨胀被LOW有效提供
片选（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）
和三态输出驱动器。
该MX66C256具有自动断电功能，
降低功率消耗显著时芯片
被取消。
该MX66C256是JEDEC标准28可
销330mil塑料SOP，和8mmx13.4mm TSOP
（正常型） 。
销刀豆网络gurations
框图
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
28
27
2
3
26
25
4
5
24
23
6
7
22
8
28-SOP
21
9
20
19
10
11
18
17
12
13
16
15
14
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A5
A6
A7
A12
A14
A13
A8
A9
A11
地址
输入
卜FF器
18
ROW
解码器
512
存储阵列
512 x 512
512
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
64
列解码器
12
CE
WE
OE
VDD
GND
控制
地址输入缓冲器
8
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
数据
产量
卜FF器
8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28-TSOP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A4 A3 A2 A1 A0 A10
P / N DS0035
1
修订版1.1 1月， 2000
旺宏电子美国公司USA 1338里德公园博士，美国加州圣何塞95131
电话(408)453-8088传真(408)451-0876 www.macronix.com
MX66C256
引脚说明
A
0
-A
14
地址输入
CE芯片使能输入
这15个地址输入选择32768 ×8位字中的一个
在RAM
CE为低电平有效。芯片使能必须积极从阅读
或写入设备。如果芯片使能是不活动的，则设备
被取消选中，处于待机电源模式。 DQ管脚会
处于高阻抗状态时，该设备的选择取消。
写使能输入为低电平有效的控制和读出
写操作。与芯片选择，当我们为高
和OE为低电平时，输出数据将出现在DQ管脚;
当我们为低电平，在DQ引脚的数据现在将
写入到所选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能
处于激活状态，在芯片选择和写使能是
无效时，数据将出现在DQ管脚，它们将
被激活。 DQ管脚将在高阻抗
状态时， OE是无效的。
这些8个双向端口用于读取数据或
将数据写入到RAM中。
电源
地
我们写使能输入
OE输出使能输入
DQ
0
- DQ
7
数据输入/输出端口
VCC
GND
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
,
I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
等级
-0.5到+7.0
单位
V
O
C
O
C
工作范围
范围
广告
产业
安眠药温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
高温下偏置-40至+125
储存温度
功耗
直流输出电流
-60到+150
1.0
20
W
mA
电容
(1)
(T
A
= 25
O
C，F = 1.0兆赫）
符号
参数
输入电容
输入/输出
电容
条件MAX 。
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
单位
pF
pF
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在这些功能操作或
上面的任何其他条件下的作战指示
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
P / N DS0035
C
IN
C
DQ
1.此参数是保证，而不是测试。
2
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MX66C256
DC电气特性（T
A
= 0
o
至+ 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
备用电源
当前
掉电供应
当前
测试条件
分钟。
-0.5
0.7V
CC
典型值。
(1)
MAX 。单位
0.3V
CC
V
CC+
0.2
1
1
0.4
V
V
uA
uA
V
V
50
40
1
0.4
3
mA
mA
mA
uA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC = 5.0V ，我
OL
= 2毫安
VCC = 5.0V ，我
OH
= -1mA
CE = V
IL
, I
DQ
=0mA,
F =最大频率
(3)
VCC = 5.0V
VCC = 5.0V
VCC = 5.0V
VCC = 5.0V
2.4
CE = V
IL
, I
DQ
= 0毫安， F = 1MH
Z
CE = V
IH
, I
DQ
= 0毫安，
CE
≥
Vcc-0.2V,
V
IN
≥
VCC - 0.2V或V
IN
≤
0.2V
1.典型的特点是在T
A
= 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3. F
最大
= 1/t
RC
.
数据保持特性（T
A
= 0
o
C至+ 70
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE
≥
VCC - 0.2V ，
V
IN
≥
VCC - 0.2V或V
IN
≤
0.2V
CE
≥
VCC -0.2V ，
V
IN
≥
VCC - 0.2V或V
IN
≤
0.2V
见保留波形
MIN 。 TYP 。
(1)
MAX 。单位
2.0
0.20
V
0.01
0
T
RC(2)
uA
ns
ns
1. V
cc
= 2.0V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
VCC低于数据保存波形
(1)
（ CE控制）
数据保持方式
VCC
V
IH
V
CC
V
DR
≥
2.0V
V
CC
t
CDR
CE
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
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3
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MX66C256
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
5.0/V0V
关键开关波形
5ns
2.5V
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
输出
必须是
稳定
会
变化
从H到L
会
变化
以L至H
变化：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
关闭状态
交流测试负载和波形
1923
1923
5.0V
产量
100PF
INCLUDING
夹具
范围
5.0V
产量
5PF
1020
INCLUDING
夹具
范围
可能改变
以L至H
不会在意：
任何改变
许可
不
申请
,
1020
图1A
戴维南等效
667
图1b
产量
所有的输入脉冲
V
CC
GND
10%
90% 90%
10%
1.73V
→
←
图2
→
←
5ns
AC电气特性（在工作范围内）
读周期
JEDEC
参数参数
名字
名字
描述
MX66C256-70
MX66C256-10
分钟。
典型值。马克斯。分钟。典型值。马克斯。
70
70
70
50
10
10
0
0
10
35
30
10
10
0
0
10
35
30
100
100
100
50
单位
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
ELQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AZQX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
输出禁止到输出地址变更
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.典型的特点是在Vcc = 5.0V ，T
A
= 25
o
C.
开关波形（读周期）
读CYCLE1
(1,2,4)
t
地址
RC
t
t
D
OUT
OH
AA
t
OH
P / N DS0035
4
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旺宏电子美国公司USA 1338里德公园博士，美国加州圣何塞95131
电话(408)453-8088传真(408)451-0876 www.macronix.com
MX66C256
READ循环2
(1,3,4)
CE
t
ACS
t
CLZ
D
OUT
(5)
t
CHZ
(5)
读CYCLE3
(1,4)
t
地址
RC
t
AA
OE
t
OE
CE
t
OH
t
OLZ
t
ACS
t
CLZ
(5)
t
OHZ
(5)
(1,5)
t
CHZ
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE = V
IL
.
3.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的，如图1B所示。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
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MX66C256
超低功耗的32k ×8 CMOS SRAM
特点
VCC工作电压： 5.0V
极低的功耗：
50毫安（最大）写入电流
40毫安（最大）读取电流
0.4uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
- 70
70ns的（最大）
- 100
为100ns （最大值）。
输入电平为CMOS兼容
自动断电，当芯片被取消
三态输出
全静态操作
数据保持电源电压低至2.0V
易于扩展CE和OE选项
描述
该MX66C256是一款高性能，低功耗
的CMOS静态随机存取存储器组织成
32,768字由8位工作在5.0V电源
电压。
先进的CMOS技术和电路技术
同时提供高速，低功耗的特点，用
0.4uA和最大的CMOS典型待机电流
70ns的存取时间和5V工作100纳秒。
容易记忆膨胀被LOW有效提供
片选（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）
和三态输出驱动器。
该MX66C256具有自动断电功能，
降低功率消耗显著时芯片
被取消。
该MX66C256是JEDEC标准28可
销330mil塑料SOP，和8mmx13.4mm TSOP
（正常型） 。
销刀豆网络gurations
框图
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
28
27
2
3
26
25
4
5
24
23
6
7
22
8
28-SOP
21
9
20
19
10
11
18
17
12
13
16
15
14
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A5
A6
A7
A12
A14
A13
A8
A9
A11
地址
输入
卜FF器
18
ROW
解码器
512
存储阵列
512 x 512
512
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
64
列解码器
12
CE
WE
OE
VDD
GND
控制
地址输入缓冲器
8
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
数据
产量
卜FF器
8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28-TSOP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A4 A3 A2 A1 A0 A10
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MX66C256
引脚说明
A
0
-A
14
地址输入
CE芯片使能输入
这15个地址输入选择32768 ×8位字中的一个
在RAM
CE为低电平有效。芯片使能必须积极从阅读
或写入设备。如果芯片使能是不活动的，则设备
被取消选中，处于待机电源模式。 DQ管脚会
处于高阻抗状态时，该设备的选择取消。
写使能输入为低电平有效的控制和读出
写操作。与芯片选择，当我们为高
和OE为低电平时，输出数据将出现在DQ管脚;
当我们为低电平，在DQ引脚的数据现在将
写入到所选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能
处于激活状态，在芯片选择和写使能是
无效时，数据将出现在DQ管脚，它们将
被激活。 DQ管脚将在高阻抗
状态时， OE是无效的。
这些8个双向端口用于读取数据或
将数据写入到RAM中。
电源
地
我们写使能输入
OE输出使能输入
DQ
0
- DQ
7
数据输入/输出端口
VCC
GND
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
,
I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
等级
-0.5到+7.0
单位
V
O
C
O
C
工作范围
范围
广告
产业
安眠药温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
高温下偏置-40至+125
储存温度
功耗
直流输出电流
-60到+150
1.0
20
W
mA
电容
(1)
(T
A
= 25
O
C，F = 1.0兆赫）
符号
参数
输入电容
输入/输出
电容
条件MAX 。
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
单位
pF
pF
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在这些功能操作或
上面的任何其他条件下的作战指示
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
P / N DS0035
C
IN
C
DQ
1.此参数是保证，而不是测试。
2
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电话(408)453-8088传真(408)451-0876 www.macronix.com
MX66C256
DC电气特性（T
A
= 0
o
至+ 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
备用电源
当前
掉电供应
当前
测试条件
分钟。
-0.5
0.7V
CC
典型值。
(1)
MAX 。单位
0.3V
CC
V
CC+
0.2
1
1
0.4
V
V
uA
uA
V
V
50
40
1
0.4
3
mA
mA
mA
uA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC = 5.0V ，我
OL
= 2毫安
VCC = 5.0V ，我
OH
= -1mA
CE = V
IL
, I
DQ
=0mA,
F =最大频率
(3)
VCC = 5.0V
VCC = 5.0V
VCC = 5.0V
VCC = 5.0V
2.4
CE = V
IL
, I
DQ
= 0毫安， F = 1MH
Z
CE = V
IH
, I
DQ
= 0毫安，
CE
≥
Vcc-0.2V,
V
IN
≥
VCC - 0.2V或V
IN
≤
0.2V
1.典型的特点是在T
A
= 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3. F
最大
= 1/t
RC
.
数据保持特性（T
A
= 0
o
C至+ 70
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE
≥
VCC - 0.2V ，
V
IN
≥
VCC - 0.2V或V
IN
≤
0.2V
CE
≥
VCC -0.2V ，
V
IN
≥
VCC - 0.2V或V
IN
≤
0.2V
见保留波形
MIN 。 TYP 。
(1)
MAX 。单位
2.0
0.20
V
0.01
0
T
RC(2)
uA
ns
ns
1. V
cc
= 2.0V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
VCC低于数据保存波形
(1)
（ CE控制）
数据保持方式
VCC
V
IH
V
CC
V
DR
≥
2.0V
V
CC
t
CDR
CE
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
P / N DS0035
3
修订版1.1 1月， 2000
旺宏电子美国公司USA 1338里德公园博士，美国加州圣何塞95131
电话(408)453-8088传真(408)451-0876 www.macronix.com
MX66C256
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
5.0/V0V
关键开关波形
5ns
2.5V
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
输出
必须是
稳定
会
变化
从H到L
会
变化
以L至H
变化：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
关闭状态
交流测试负载和波形
1923
1923
5.0V
产量
100PF
INCLUDING
夹具
范围
5.0V
产量
5PF
1020
INCLUDING
夹具
范围
可能改变
以L至H
不会在意：
任何改变
许可
不
申请
,
1020
图1A
戴维南等效
667
图1b
产量
所有的输入脉冲
V
CC
GND
10%
90% 90%
10%
1.73V
→
←
图2
→
←
5ns
AC电气特性（在工作范围内）
读周期
JEDEC
参数参数
名字
名字
描述
MX66C256-70
MX66C256-10
分钟。
典型值。马克斯。分钟。典型值。马克斯。
70
70
70
50
10
10
0
0
10
35
30
10
10
0
0
10
35
30
100
100
100
50
单位
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
ELQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AZQX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
输出禁止到输出地址变更
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.典型的特点是在Vcc = 5.0V ，T
A
= 25
o
C.
开关波形（读周期）
读CYCLE1
(1,2,4)
t
地址
RC
t
t
D
OUT
OH
AA
t
OH
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4
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MX66C256
READ循环2
(1,3,4)
CE
t
ACS
t
CLZ
D
OUT
(5)
t
CHZ
(5)
读CYCLE3
(1,4)
t
地址
RC
t
AA
OE
t
OE
CE
t
OH
t
OLZ
t
ACS
t
CLZ
(5)
t
OHZ
(5)
(1,5)
t
CHZ
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE = V
IL
.
3.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的，如图1B所示。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
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