MX66C1024
5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位
n
特点
的Vcc工作电压： 5V
低功耗：
45毫安（最大）写入电流
2毫安（最大）读出电流
0.6uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-70
70ns的（最大）
-10
为100ns （最大值）。
输入电平CMOS兼容
自动断电，当芯片被取消
三态输出
全静态工作
数据保持电源电压低至1.2V
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
n
描述
该MX66C1024是一款高性能，超低功耗
CMOS
由8组织为131072字静态随机存取存储器
位和工作在5.0V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
一个典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
为70ns和100ns的电流0.005uA和最大访问时间
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ） ，和主动
低输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该MX66C1024具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该MX66C1024可在JEDEC标准的32引脚
SOP ， STSOP和TSOP 。
n
销刀豆网络gurations
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
n
框图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
1
2
3
4
5
6
7
8
MX66C1024MC
9
MX66C1024MI
10
11
12
13
14
15
16
A6
A7
A12
A14
A16
A15
A13
A8
A9
A11
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 1024
1024
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
8
128
列解码器
14
控制
地址输入缓冲器
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
MX66C1024TC
MX66C1024SC
MX66C1024TI
MX66C1024SI
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
8
数据
产量
卜FF器
CE2
CE1
WE
OE
VDD
GND
A5 A4 A3 A2 A1 A0 A10
P / N DS00040
1
1.0版1999年11月
旺宏电子美国公司，美国1338里德公园博士，美国加州圣何塞95131
电话(408)453-8088传真(408)451-0876 HTTP ： www.macronix.com
MX66C1024
n
引脚说明
名字
A0 - A16地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
功能
这17个地址输入选择在RAM中的131,072 ×8位字中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使必须积极阅读
或写设备。如果任一芯片使能是不活动的，则取消选择器件
并处于待机功率模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态
当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
n
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
n
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
同
n
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到+7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0℃ + 70℃
-40℃ + 70℃
O
O
O
O
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
P / N DS00040
C
IN
C
DQ
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是测试。
2
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MX66C1024
n
DC电气特性
（ TA = 0 + 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
参数
保证输入低
(2)
电压
保证输入高
(2)
电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
备用电源
当前
掉电
当前
供应
测试条件
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.5
2.2
--
--
--
--
--
--
--
--
0.6
0.8
Vcc+0.5
1
1
0.4
--
45
2
3
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
， CE2 = V
白细胞介素，
or
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 1毫安
VCC =最小，我
OH
= -0.5mA
CE1 = V
IL
或CE2 = V
IH
， VCC = 5.0 V
(3)
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
， VCC = 5.0 V
(3)
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
＆ GT ;
CE1
=
VCC- 0.2V ， CE2
＆ LT ;
0.2V,
=
IN
＆ GT ;
VCC- 0.2V或V
IN
＆ LT ;
0.2V
V
=
=
--
--
--
2.4
--
--
--
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
n
数据保持特性
（ TA = 0 + 70
o
C )
符号
V
DR
参数
VCC为数据保留
测试条件
CE1
＆ GT ;
VCC - 0.2V ， CE2
＆ LT ;
0.2V,
=
=
VIN
＆ GT ;
VCC - 0.2V和VIN
＆ LT ;
0.2V
=
=
CE1
＆ GT ;
VCC - 0.2V ， CE2
＆ LT ;
0.2V,
=
=
VIN
＆ GT ;
VCC - 0.2V和VIN
＆ LT ;
0.2V
=
=
见保留波形
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
1.2
--
--
单位
V
I
CCDR
t
CDR
t
R
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
--
0
T
RC
(2)
0.005
--
--
0.2
--
--
uA
ns
ns
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
n
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
VCC
（ CE1控制）
数据保持方式
VCC
V
DR
≥
1.2V
VCC
t
CDR
V
IH
t
R
CE
≥
VCC - 0.2V
V
IH
CE
n
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
VCC
VCC
（ CE2控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.2V
VCC
t
CDR
V
IH
t
R
CE2
≤
0.2V
V
IH
CE2
P / N DS00040
3
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MX66C1024
n
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
Vcc/0V
5ns
0.5Vcc
n
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
1000
输出
必须是
稳定
会
变化
从H到L
会
变化
以L至H
变化：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
n
交流测试负载和波形
1000
5.0V
产量
100PF
INCLUDING
夹具
范围
5.0V
产量
5PF
1500
INCLUDING
夹具
范围
可能改变
以L至H
不会在意：
任何改变
许可
不
申请
,
1500
图1A
戴维南等效
600
图1b
产量
所有的输入脉冲
0.9V
VCC
GND
10%
90% 90%
10%
→
←
→
←
5ns
图2
n
AC电气特性
（在整个工作范围内）
读周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
片选到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
芯片取消在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
输出禁止到输出地址变更
(CE1)
(CE2)
(CE1)
(CE2)
(CE1)
(CE2)
MX66C1024-70
分钟。典型值。马克斯。
70
--
--
--
--
10
10
10
0
0
0
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
70
50
--
--
--
40
40
35
--
MX66C1024-10
分钟。典型值。马克斯。
100
--
--
--
--
10
10
10
0
0
0
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
100
100
100
50
--
--
--
40
40
35
--
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQV
t
E1LQV
t
E2HOV
t
GLQV
t
E1LQX
t
E2HOX
t
GLQX
t
E1HQZ
t
E2HQZ
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
t
OLZ
t
CHZ1
t
CHZ1
t
OHZ
t
OH
1.典型的特点是在Vcc = 5V ，T
A
= 25
o
C.
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4
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MX66C1024
n
开关波形（读周期）
读CYCLE1
(1,2,4)
t
地址
RC
t
t
D
OUT
OH
AA
t
OH
READ循环2
CE1
(1,3,4)
t
CE2
(5)
ACS1
t
t
CLZ
ACS2
t
(5)
CHZ
D
OUT
读CYCLE3
(1,4)
t
地址
RC
t
OE
AA
t
CE1
(5)
t
OE
OH
t
t
t
CLZ1
OLZ
ACS1
t
OHZ
(5)
(1,5)
t
CHZ
CE2
t
(5)
ACS2
t
(2,5)
CHZ
t
D
OUT
CLZ2
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH 。
3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的，如图1B所示。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
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MX66C1024
5V低功耗CMOS SRAM的128 ×8位
n
特点
的Vcc工作电压： 5V
低功耗：
45毫安（最大）写入电流
2毫安（最大）读出电流
0.6uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-70
70ns的（最大）
-10
为100ns （最大值）。
输入电平CMOS兼容
自动断电，当芯片被取消
三态输出
全静态工作
数据保持电源电压低至1.2V
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
n
描述
该MX66C1024是一款高性能，超低功耗
CMOS
由8组织为131072字静态随机存取存储器
位和工作在5.0V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
一个典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
为70ns和100ns的电流0.005uA和最大访问时间
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ） ，和主动
低输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该MX66C1024具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该MX66C1024可在JEDEC标准的32引脚
SOP ， STSOP和TSOP 。
n
销刀豆网络gurations
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
n
框图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
1
2
3
4
5
6
7
8
MX66C1024MC
9
MX66C1024MI
10
11
12
13
14
15
16
A6
A7
A12
A14
A16
A15
A13
A8
A9
A11
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 1024
1024
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
8
128
列解码器
14
控制
地址输入缓冲器
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
MX66C1024TC
MX66C1024SC
MX66C1024TI
MX66C1024SI
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
8
数据
产量
卜FF器
CE2
CE1
WE
OE
VDD
GND
A5 A4 A3 A2 A1 A0 A10
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MX66C1024
n
引脚说明
名字
A0 - A16地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
功能
这17个地址输入选择在RAM中的131,072 ×8位字中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使必须积极阅读
或写设备。如果任一芯片使能是不活动的，则取消选择器件
并处于待机功率模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态
当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
n
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
n
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
同
n
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到+7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0℃ + 70℃
-40℃ + 70℃
O
O
O
O
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
P / N DS00040
C
IN
C
DQ
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是测试。
2
1.0版1999年11月
旺宏电子美国公司，美国1338里德公园博士，美国加州圣何塞95131
电话(408)453-8088传真(408)451-0876 HTTP ： www.macronix.com
MX66C1024
n
DC电气特性
（ TA = 0 + 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
参数
保证输入低
(2)
电压
保证输入高
(2)
电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
备用电源
当前
掉电
当前
供应
测试条件
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.5
2.2
--
--
--
--
--
--
--
--
0.6
0.8
Vcc+0.5
1
1
0.4
--
45
2
3
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
， CE2 = V
白细胞介素，
or
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 1毫安
VCC =最小，我
OH
= -0.5mA
CE1 = V
IL
或CE2 = V
IH
， VCC = 5.0 V
(3)
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
， VCC = 5.0 V
(3)
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
＆ GT ;
CE1
=
VCC- 0.2V ， CE2
＆ LT ;
0.2V,
=
IN
＆ GT ;
VCC- 0.2V或V
IN
＆ LT ;
0.2V
V
=
=
--
--
--
2.4
--
--
--
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
n
数据保持特性
（ TA = 0 + 70
o
C )
符号
V
DR
参数
VCC为数据保留
测试条件
CE1
＆ GT ;
VCC - 0.2V ， CE2
＆ LT ;
0.2V,
=
=
VIN
＆ GT ;
VCC - 0.2V和VIN
＆ LT ;
0.2V
=
=
CE1
＆ GT ;
VCC - 0.2V ， CE2
＆ LT ;
0.2V,
=
=
VIN
＆ GT ;
VCC - 0.2V和VIN
＆ LT ;
0.2V
=
=
见保留波形
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
1.2
--
--
单位
V
I
CCDR
t
CDR
t
R
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
--
0
T
RC
(2)
0.005
--
--
0.2
--
--
uA
ns
ns
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
n
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
VCC
（ CE1控制）
数据保持方式
VCC
V
DR
≥
1.2V
VCC
t
CDR
V
IH
t
R
CE
≥
VCC - 0.2V
V
IH
CE
n
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
VCC
VCC
（ CE2控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.2V
VCC
t
CDR
V
IH
t
R
CE2
≤
0.2V
V
IH
CE2
P / N DS00040
3
1.0版1999年11月
旺宏电子美国公司，美国1338里德公园博士，美国加州圣何塞95131
电话(408)453-8088传真(408)451-0876 HTTP ： www.macronix.com
MX66C1024
n
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
Vcc/0V
5ns
0.5Vcc
n
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
1000
输出
必须是
稳定
会
变化
从H到L
会
变化
以L至H
变化：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
n
交流测试负载和波形
1000
5.0V
产量
100PF
INCLUDING
夹具
范围
5.0V
产量
5PF
1500
INCLUDING
夹具
范围
可能改变
以L至H
不会在意：
任何改变
许可
不
申请
,
1500
图1A
戴维南等效
600
图1b
产量
所有的输入脉冲
0.9V
VCC
GND
10%
90% 90%
10%
→
←
→
←
5ns
图2
n
AC电气特性
（在整个工作范围内）
读周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
片选到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
芯片取消在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
输出禁止到输出地址变更
(CE1)
(CE2)
(CE1)
(CE2)
(CE1)
(CE2)
MX66C1024-70
分钟。典型值。马克斯。
70
--
--
--
--
10
10
10
0
0
0
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
70
50
--
--
--
40
40
35
--
MX66C1024-10
分钟。典型值。马克斯。
100
--
--
--
--
10
10
10
0
0
0
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
100
100
100
50
--
--
--
40
40
35
--
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQV
t
E1LQV
t
E2HOV
t
GLQV
t
E1LQX
t
E2HOX
t
GLQX
t
E1HQZ
t
E2HQZ
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
t
OLZ
t
CHZ1
t
CHZ1
t
OHZ
t
OH
1.典型的特点是在Vcc = 5V ，T
A
= 25
o
C.
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1.0版1999年11月
旺宏电子美国公司，美国1338里德公园博士，美国加州圣何塞95131
电话(408)453-8088传真(408)451-0876 HTTP ： www.macronix.com
MX66C1024
n
开关波形（读周期）
读CYCLE1
(1,2,4)
t
地址
RC
t
t
D
OUT
OH
AA
t
OH
READ循环2
CE1
(1,3,4)
t
CE2
(5)
ACS1
t
t
CLZ
ACS2
t
(5)
CHZ
D
OUT
读CYCLE3
(1,4)
t
地址
RC
t
OE
AA
t
CE1
(5)
t
OE
OH
t
t
t
CLZ1
OLZ
ACS1
t
OHZ
(5)
(1,5)
t
CHZ
CE2
t
(5)
ACS2
t
(2,5)
CHZ
t
D
OUT
CLZ2
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH 。
3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的，如图1B所示。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
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1.0版1999年11月
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