先进的信息
MX29LV401T/B
4M- BIT [ 512K ×8 / 256K ×16 ]的CMOS单电压
3V ONLY FLASH MEMORY
特点
扩展单 - 电源电压范围2.7V至3.6V
524,288 ×8 / 262,144 ×16切换
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间： 55R / 70 /为90ns
低功耗
- 20毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 9US / 11us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K字节×1 ，
8K字节×2 ， 32K字节的X1 ，和64K字节X7 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，即不被擦除任何部门，
然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除操作完成。
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- Tempoary机构撤消允许代码修改
先前锁定行业。
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
引导扇区架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
低VCC写入禁止等于或小于2.3V
包装类型：
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
- 48球CSP
符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
概述
该MX29LV401T / B是4兆比特闪存或 -
ganized为512K字节的8位或16的256K字
位。旺宏的快闪记忆体提供了最经济有效
略去和可靠的读/写非易失性随机存取
内存。该MX29LV401T / B封装采用44引脚
SOP ， 48引脚TSOP和48球CSP 。它被设计成
重新编程和擦除系统或标准
EPROM编程器。
标准MX29LV401T / B提供了存取时间快
为55ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
在MX29LV401T / B已单独的芯片使能（ CE）和
输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV401T / B使用命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29LV401T / B采用的是2.7V 3.6V的VCC支持
帘布层进行高可靠性擦除和经销商亲
克/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0853
REV 。 0.0 ，九月14 ， 2001年
1
MX29LV401T/B
销刀豆网络gurations
引脚说明
44 SOP （ 500万）
NC
RY / BY
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
符号
A0~A17
Q0~Q14
Q15/A-1
CE
WE
字节
RESET
OE
RY / BY
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
Q15 （字模式） / LSB地址（字节模式）
芯片使能输入
写使能输入
字/字节Selction输入
硬件复位引脚/扇区保护解锁
输出使能输入
READY / BUSY输出
电源引脚（ 2.7V 3.6V ）
接地引脚
48 TSOP （标准型） （12毫米X 20毫米）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RSEET
NC
NC
RY / BY
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE
GND
CE
A0
MX29LV401T/B
MX29LV401T/B
48球CSP （ 6× 8毫米，球间距= 0.8mm）的，顶视图，球朝下
A
6
5
4
3
2
1
A13
A9
WE
RY / BY
A7
A3
B
A12
A8
RESET
NC
A17
A4
C
A14
A10
NC
NC
A6
A2
D
A15
A11
NC
NC
A5
A1
E
A16
Q7
Q5
Q2
Q0
A0
F
字节
Q14
Q12
Q10
Q8
CE
G
H
Q15 / A- 1 GND
Q13
VCC
Q11
Q9
OE
Q6
Q4
Q3
Q1
GND
REV 。 0.0 ，九月14 ， 2001年
P / N ： PM0853
2
MX29LV401T/B
块结构
表1 ： MX29LV401T部门架构
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
扇区大小
字节模式字模式
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
32Kbytes
8Kbytes
8Kbytes
16Kbytes
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
16Kwords
4Kwords
4Kwords
8Kwords
地址范围
字节模式（ X8 ）
00000-0FFFF
10000-1FFFF
20000-2FFFF
30000-3FFFF
40000-4FFFF
50000-5FFFF
60000-6FFFF
70000-77FFF
78000-79FFF
7A000-7BFFF
7C000-7FFFF
字模式（ X16 ）
00000-07FFF
08000-0FFFF
10000-17FFF
18000-1FFFF
20000-27FFF
28000-2FFFF
30000-37FFF
38000-3BFFF
3C000-3CFFF
3D000-3DFFF
3E000-3FFFF
A17 A16
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
1
1
扇区地址
A15
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
A14
X
X
X
X
X
X
X
0
1
1
1
A13
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
1
A12
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
X
注：字节模式：地址范围A17 ： A- 1 ，单词方式：地址范围A17 ： A0 。
表2 ： MX29LV401B部门架构
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
扇区大小
字节模式字模式
16Kbytes
8Kbytes
8Kbytes
32Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
8Kwords
4Kwords
4Kwords
16Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
地址范围
字节模式（ X8 ）
00000-03FFF
04000-05FFF
06000-07FFF
08000-0FFFF
10000-1FFFF
20000-2FFFF
30000-3FFFF
40000-4FFFF
50000-5FFFF
60000-6FFFF
70000-7FFFF
字模式（ X16 ）
00000-01FFF
02000-02FFF
03000-03FFF
04000-07FFF
08000-0FFFF
10000-17FFF
18000-1FFFF
20000-27FFF
28000-2FFFF
30000-37FFF
38000-3FFFF
A17 A16
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
扇区地址
A15
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
A14
0
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
A13
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
A12
X
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
注：字节模式：地址范围A17 ： A- 1 ，单词方式：地址范围A17 ： A0 。
P / N ： PM0853
REV 。 0.0 ，九月14 ， 2001年
3
MX29LV401T/B
自动编程
该MX29LV401T / B是使用非盟字节可编程
tomatic编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV401T / B的温度低于10仲
哔声。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
擦除操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE的上升沿或CE ，取其hap-
笔先。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV401T / B elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比25秒少。自动擦除算法
自动程序electri-之前，整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29LV401T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。自动部门
擦除指定的算法自动程序
所属部门之前，电擦除。定时和可证实
电擦除的阳离子在内部控制中
该设备。擦除操作可以擦除一个扇区，
多个部门或整个设备。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
该器件提供了一个解锁旁路模式更快
编程。只需要两个写周期为亲
克，而不是四个一个字或字节。类似的状态位
以数据轮询和反对之间的状态位切换
secutive读周期，反馈提供给用户作为
于编程操作的状态。请参阅写
运行状态，表7 ，关于这些详细信息
状态位。
自动选择
自动选择模式提供了制造商和
设备识别和部门保护验证，
通过Q7 Q0识别码输出。此模式是
主要适用于编程设备，使用默认的
副与其规划算法进行编程。
当通过高压方法编程，自动
选择模式需要VID （ 11.5V至12.5V ）的地址
销A9和其他地址引脚A 6， A 1为指表
3.此外，访问自动选择代码在 -
系统中，主机可以发出自动选择的COM
P / N ： PM0853
REV 。 0.0 ，九月14 ， 2001年
5
QQ：2880707522 复制
