MX29LV081B
8M - BIT [ 1M ×8 ] CMOS单电压
3V只相当于行业FLASH MEMORY
特点
扩展单 - 电源电压范围2.7V至3.6V
1,048,576 x 8
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间： 70 /为90ns
低功耗
- 20毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
与MX29LV081设备完全兼容
命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 7us / 12us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构64K字节×16）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，即不被擦除任何部门，
然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除操作完成。
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 任何部门的结合可以用擦除功能
暂停/恢复功能。
- 临时机构撤消允许代码修改
先前锁定行业。
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到VCC + 1
包装类型：
- 40针TSOP
符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年的数据保存
概述
该MX29LV081B是8兆比特的闪存奥尔加
认列作为8位1M字节。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29LV081B是
封装采用40引脚TSOP 。它被设计成可重现
编程和擦除系统或标准EPROM
程序员。
该标准MX29LV081B提供存取时间快
作为为70ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
该MX29LV081B有独立的芯片使能（ CE）和
输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV081B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29LV081B采用2.7V 3.6V的VCC电源
执行高可靠性擦除和自动程序/
擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM1115
REV 。 1.1 ，十二月20 ，2004
1
MX29LV081B
销刀豆网络gurations
40 TSOP （标准型） （ 10毫米x10 20毫米）
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE
RESET
NC
RY / BY
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A17
GND
NC
A19
A10
Q7
Q6
Q5
Q4
VCC
VCC
NC
Q3
Q2
Q1
Q0
OE
GND
CE
A0
MX29LV081B
引脚说明
符号
A0~A19
Q0~Q7
CE
WE
RESET
OE
RY / BY
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
硬件复位引脚/扇区保护解锁
输出使能输入
READY / BUSY输出
电源引脚（ 2.7V 3.6V ）
接地引脚
P / N ： PM1115
REV 。 1.1 ，十二月20 ，2004
2
MX29LV081B
块结构
表1 ： MX29LV081B部门架构
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
扇区大小
字节模式
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
地址范围
字节模式（ X8 ）
00000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-7FFFFh
80000h-8FFFFh
90000h-9FFFFh
A0000h-AFFFFh
B0000h-BFFFFh
C0000h-CFFFFh
D0000h-DFFFFh
E0000h-EFFFFh
F0000h-FFFFFh
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
扇区地址
A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
P / N ： PM1115
REV 。 1.1 ，十二月20 ，2004
3
MX29LV081B
自动编程
该MX29LV081B是利用非盟字节可编程
tomatic编程算法。自动编程
明算法使得外部系统不需要
有超时序列也不以验证数据亲
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV081B的温度低于10仲
哔声。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
擦除操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE的上升沿或CE ，取其hap-
笔先。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV081B elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
该器件提供了一个解锁旁路模式更快
编程。只需要两个写周期为亲
克，而不是四个一个字或字节。类似的状态位
以数据轮询和反对之间的状态位切换
secutive读周期，反馈提供给用户作为
于编程操作的状态。请参阅写
操作状态，表7中，关于这些的详细信息
状态位。
自动扇区擦除
该MX29LV081B是使用部门（S ）可擦除MXIC的
自动扇区擦除算法。自动部门
擦除指定的算法自动程序
所属部门之前，电擦除。定时和可证实
电擦除的阳离子在内部控制中
该设备。擦除操作可以擦除一个扇区，
多个部门或整个设备。
自动选择
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比25秒少。自动擦除算法
自动程序electri-之前，整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动选择模式提供了制造商和脱离
副识别和部门保护验证，
通过Q7 Q0识别码输出。此模式是
主要适用于编程设备，使用默认的
副与其规划算法进行编程。
当通过高压方法编程，自动
选择模式需要VID （ 11.5V至12.5V ）的地址
引脚A9和其他地址引脚A6 ， A1和A0为指
到表3中。另外，访问自动选择
代码在系统中，主机可以发出自动SE-
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MX29LV081B
8M - BIT [ 1M ×8 ] CMOS单电压
3V只相当于行业FLASH MEMORY
特点
扩展单 - 电源电压范围2.7V至3.6V
1,048,576 x 8
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间： 70 /为90ns
低功耗
- 20毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
与MX29LV081设备完全兼容
命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 7us / 12us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构64K字节×16）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，即不被擦除任何部门，
然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除操作完成。
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 任何部门的结合可以用擦除功能
暂停/恢复功能。
- 临时机构撤消允许代码修改
先前锁定行业。
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到VCC + 1
包装类型：
- 40针TSOP
符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年的数据保存
概述
该MX29LV081B是8兆比特的闪存奥尔加
认列作为8位1M字节。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29LV081B是
封装采用40引脚TSOP 。它被设计成可重现
编程和擦除系统或标准EPROM
程序员。
该标准MX29LV081B提供存取时间快
作为为70ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
该MX29LV081B有独立的芯片使能（ CE）和
输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV081B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29LV081B采用2.7V 3.6V的VCC电源
执行高可靠性擦除和自动程序/
擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
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1
MX29LV081B
销刀豆网络gurations
40 TSOP （标准型） （ 10毫米x10 20毫米）
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE
RESET
NC
RY / BY
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
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9
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11
12
13
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15
16
17
18
19
20
40
39
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31
30
29
28
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26
25
24
23
22
21
A17
GND
NC
A19
A10
Q7
Q6
Q5
Q4
VCC
VCC
NC
Q3
Q2
Q1
Q0
OE
GND
CE
A0
MX29LV081B
引脚说明
符号
A0~A19
Q0~Q7
CE
WE
RESET
OE
RY / BY
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
硬件复位引脚/扇区保护解锁
输出使能输入
READY / BUSY输出
电源引脚（ 2.7V 3.6V ）
接地引脚
P / N ： PM1115
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2
MX29LV081B
块结构
表1 ： MX29LV081B部门架构
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
扇区大小
字节模式
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
地址范围
字节模式（ X8 ）
00000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-7FFFFh
80000h-8FFFFh
90000h-9FFFFh
A0000h-AFFFFh
B0000h-BFFFFh
C0000h-CFFFFh
D0000h-DFFFFh
E0000h-EFFFFh
F0000h-FFFFFh
0
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扇区地址
A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13
0
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X
X
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X
X
X
X
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X
X
X
X
X
X
X
X
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3
MX29LV081B
自动编程
该MX29LV081B是利用非盟字节可编程
tomatic编程算法。自动编程
明算法使得外部系统不需要
有超时序列也不以验证数据亲
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV081B的温度低于10仲
哔声。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
擦除操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE的上升沿或CE ，取其hap-
笔先。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV081B elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
该器件提供了一个解锁旁路模式更快
编程。只需要两个写周期为亲
克，而不是四个一个字或字节。类似的状态位
以数据轮询和反对之间的状态位切换
secutive读周期，反馈提供给用户作为
于编程操作的状态。请参阅写
操作状态，表7中，关于这些的详细信息
状态位。
自动扇区擦除
该MX29LV081B是使用部门（S ）可擦除MXIC的
自动扇区擦除算法。自动部门
擦除指定的算法自动程序
所属部门之前，电擦除。定时和可证实
电擦除的阳离子在内部控制中
该设备。擦除操作可以擦除一个扇区，
多个部门或整个设备。
自动选择
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比25秒少。自动擦除算法
自动程序electri-之前，整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动选择模式提供了制造商和脱离
副识别和部门保护验证，
通过Q7 Q0识别码输出。此模式是
主要适用于编程设备，使用默认的
副与其规划算法进行编程。
当通过高压方法编程，自动
选择模式需要VID （ 11.5V至12.5V ）的地址
引脚A9和其他地址引脚A6 ， A1和A0为指
到表3中。另外，访问自动选择
代码在系统中，主机可以发出自动SE-
P / N ： PM1115
REV 。 1.1 ，十二月20 ，2004
5
MX29LV081B
8M - BIT [ 1M ×8 ] CMOS单电压
3V只相当于行业FLASH MEMORY
特点
扩展单 - 电源电压范围2.7V至3.6V
1,048,576 x 8
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间： 70 /为90ns
低功耗
- 20毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
与MX29LV081设备完全兼容
命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 7us / 12us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构64K字节×16）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，即不被擦除任何部门，
然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除操作完成。
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 任何部门的结合可以用擦除功能
暂停/恢复功能。
- 临时机构撤消允许代码修改
先前锁定行业。
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到VCC + 1
包装类型：
- 40针TSOP
符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年的数据保存
概述
该MX29LV081B是8兆比特的闪存奥尔加
认列作为8位1M字节。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29LV081B是
封装采用40引脚TSOP 。它被设计成可重现
编程和擦除系统或标准EPROM
程序员。
该标准MX29LV081B提供存取时间快
作为为70ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
该MX29LV081B有独立的芯片使能（ CE）和
输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV081B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29LV081B采用2.7V 3.6V的VCC电源
执行高可靠性擦除和自动程序/
擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM1115
REV 。 1.1 ，十二月20 ，2004
1
MX29LV081B
销刀豆网络gurations
40 TSOP （标准型） （ 10毫米x10 20毫米）
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE
RESET
NC
RY / BY
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
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1
2
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37
36
35
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33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A17
GND
NC
A19
A10
Q7
Q6
Q5
Q4
VCC
VCC
NC
Q3
Q2
Q1
Q0
OE
GND
CE
A0
MX29LV081B
引脚说明
符号
A0~A19
Q0~Q7
CE
WE
RESET
OE
RY / BY
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
硬件复位引脚/扇区保护解锁
输出使能输入
READY / BUSY输出
电源引脚（ 2.7V 3.6V ）
接地引脚
P / N ： PM1115
REV 。 1.1 ，十二月20 ，2004
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MX29LV081B
块结构
表1 ： MX29LV081B部门架构
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
扇区大小
字节模式
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
地址范围
字节模式（ X8 ）
00000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-7FFFFh
80000h-8FFFFh
90000h-9FFFFh
A0000h-AFFFFh
B0000h-BFFFFh
C0000h-CFFFFh
D0000h-DFFFFh
E0000h-EFFFFh
F0000h-FFFFFh
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
扇区地址
A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
P / N ： PM1115
REV 。 1.1 ，十二月20 ，2004
3
MX29LV081B
自动编程
该MX29LV081B是利用非盟字节可编程
tomatic编程算法。自动编程
明算法使得外部系统不需要
有超时序列也不以验证数据亲
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV081B的温度低于10仲
哔声。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
擦除操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE的上升沿或CE ，取其hap-
笔先。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV081B elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
该器件提供了一个解锁旁路模式更快
编程。只需要两个写周期为亲
克，而不是四个一个字或字节。类似的状态位
以数据轮询和反对之间的状态位切换
secutive读周期，反馈提供给用户作为
于编程操作的状态。请参阅写
操作状态，表7中，关于这些的详细信息
状态位。
自动扇区擦除
该MX29LV081B是使用部门（S ）可擦除MXIC的
自动扇区擦除算法。自动部门
擦除指定的算法自动程序
所属部门之前，电擦除。定时和可证实
电擦除的阳离子在内部控制中
该设备。擦除操作可以擦除一个扇区，
多个部门或整个设备。
自动选择
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比25秒少。自动擦除算法
自动程序electri-之前，整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动选择模式提供了制造商和脱离
副识别和部门保护验证，
通过Q7 Q0识别码输出。此模式是
主要适用于编程设备，使用默认的
副与其规划算法进行编程。
当通过高压方法编程，自动
选择模式需要VID （ 11.5V至12.5V ）的地址
引脚A9和其他地址引脚A6 ， A1和A0为指
到表3中。另外，访问自动选择
代码在系统中，主机可以发出自动SE-
P / N ： PM1115
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