超前信息
MX29LV040
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压
3V只相当于行业FLASH MEMORY
特点
扩展单 - 电源电压范围2.7V至3.6V
524,288 ×8只
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间： 55R / 70 /为90ns
低功耗
- 20毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 每个64K字节等于8部门
- 字节编程（ 9US典型值）
- 扇区擦除（扇区结构64K字节X8 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，即不被擦除任何部门，
然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除操作完成。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 任何部门的结合可以用擦除功能
暂停/恢复功能。
- Tempoary机构撤消允许代码修改
先前锁定行业。
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
低VCC写入禁止等于或小于2.3V
套餐类型：
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
概述
该MX29LV040是4兆比特闪存奥尔加
认列如512K字节的8位。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29LV040是
封装采用32引脚PLCC和TSOP 。它被设计成
重新编程和擦除系统或标准
EPROM编程器。
该标准MX29LV040提供存取时间快
55ns ，高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线冲突，
MX29LV040有独立的芯片使能（ CE ）和输出
启用（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV040使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29LV040采用2.7V 3.6V的VCC电源
执行高可靠性擦除和自动程序/
擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
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MX29LV040
销刀豆网络gurations
32 TSOP （标准型） （采用8mm x 20毫米）
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
32 PLCC
VCC
A12
A15
A16
A18
A17
30
29
WE
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
A14
A13
A8
A9
9
MX29LV040
25
A11
OE
A10
CE
MX29LV040
13
14
Q1
Q2
GND
17
Q3
Q4
Q5
21
20
Q6
Q7
部门结构
表1. MX29LV040扇区地址表
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
A18
0
0
0
0
1
1
1
1
A17
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-7FFFFh
引脚说明
符号
A0~A18
Q0~Q7
CE
WE
OE
GND
VCC
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
接地引脚
+ 3.0V单电源供电
注：所有行业都是64字节大小。
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MX29LV040
自动编程
该MX29LV040是使用中的自动字节编程
MATIC编程算法。自动编程
明算法使得外部系统不需要
有超时序列也不以验证数据亲
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV040的温度是低于10秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
擦除操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE的上升沿或CE ，取其hap-
笔先。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV040 electri-
美云擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比11秒少。自动擦除算法
自动程序electri-之前，整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29LV040是所属部门可擦写使用MXIC汽车
扇区擦除算法。自动扇区擦除
算法自动程序指定的扇区（S ）
之前的电擦除。定时和验证的
电擦除内部的DE-内控制
副。擦除操作可以擦除一个扇区，多
扇区或整个设备。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
该器件提供了一个解锁旁路模式更快
编程。只需要两个写周期为亲
克，而不是四个一个字或字节。类似的状态位
以数据轮询和反对之间的状态位切换
secutive读周期，反馈提供给用户作为
于编程操作的状态。请参阅写
运行状态，表6 ，关于这些详细信息
状态位。
自动选择
自动选择模式提供了制造商和
设备识别和部门保护验证，
通过Q7 Q0识别码输出。此模式是
主要适用于编程设备，使用默认的
副与其规划算法进行编程。
当通过高压方法编程，自动
选择模式需要VID （ 11.5V至12.5V ）的地址
销A9和其他地址引脚A 6， A1和A0为指
到表2中。此外，以访问自动选择
代码在系统中，主机可以发出自动SE
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MX29LV040
通过无命令寄存器择命令
需要的VID ，如表3所示。
为了验证扇区是否受到保护，该节
器地址必须出现在相应的最高或 -
明镜地址位（见表1和表2）。的其余部分
地址位，如表3所示，也不在乎。一旦
所有必要的位都被设置为需要的，亲
编程设备可以读取相应的iDEN的
在Q7 Q0 tifier代码。
表2. MX29LV040自动选择模式操作
A18
描述
CE
OE
WE
|
A16
阅读硅ID
须经制造商代码
阅读硅ID
L
L
H
X
X
VID
X
L
X
L
H
4FH
01H
扇区保护
验证
L
L
H
SA
X
VID
X
L
X
H
L
（被保护）
00H
（无保护）
L
L
H
X
A15
|
A10
X
VID
A9
A8
|
A7
X
L
A6
A5
|
A2
X
L
L
C2H
A1
A0
Q7~Q0
注： SA =扇区地址，X =无关， L =逻辑低，H =逻辑高电平
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