MX29LV040C
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压
3V只相当于行业FLASH MEMORY
特点
扩展单 - 电源电压范围2.7V至3.6V
524,288 ×8只
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
与MX29LV040设备完全兼容
快速存取时间： 55R / 70 /为90ns
低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 每个64K字节等于8部门
- 字节编程（ 9US典型值）
- 扇区擦除（扇区结构64K字节X8 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，即不被擦除任何部门，
然后恢复擦除
状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除操作完成
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 任何部门的结合可以用擦除功能
暂停/恢复功能
CFI （通用闪存接口）兼容
- 闪存器件参数存储在设备上，并
提供主机系统访问
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
套餐类型：
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
-
所有无铅器件符合RoHS标准
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年数据保留
概述
该MX29LV040C是4兆比特闪存奥尔加
认列如512K字节的8位。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29LV040C是
封装采用32引脚PLCC和TSOP 。它被设计成
重新编程和擦除系统或标准
EPROM编程器。
该标准MX29LV040C提供存取时间快
为55ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
该MX29LV040C有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和
输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV040C使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
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TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29LV040C采用2.7V 3.6V的VCC电源
执行高可靠性擦除和自动程序/
擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
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MX29LV040C
销刀豆网络gurations
32 TSOP （标准型） （采用8mm x 20毫米）
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE＃
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE ＃
A10
CE＃
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
32 PLCC
WE＃
VCC
A12
A15
A16
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
30
29
A17
A14
A13
A8
A9
9
MX29LV040C
25
A11
OE ＃
A10
CE＃
MX29LV040C
13
14
GND
Q1
Q2
17
Q3
Q4
Q5
21
20
Q6
Q7
部门结构
表1. MX29LV040C扇区地址表
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
A18
0
0
0
0
1
1
1
1
A17
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-7FFFFh
引脚说明
符号
A0~A18
Q0~Q7
CE＃
WE＃
OE ＃
GND
VCC
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
接地引脚
+ 3.0V单电源供电
注：所有行业都是64字节大小。
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MX29LV040C
自动编程
该MX29LV040C是利用非盟字节可编程
tomatic编程算法。自动编程
明算法使得外部系统不需要
有超时序列也不以验证数据亲
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV040C的温度低于10仲
哔声。
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
擦除操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃或CE ＃的上升沿，取
首先发生。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV040C elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比4秒少。自动擦除算法，非盟
tomatically方案对整个阵列之前，电
抹去。电擦除的时序和验证是
在装置内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29LV040C是使用部门（S ）可擦除MXIC的
自动扇区擦除算法。自动部门
擦除指定的算法自动程序
所属部门之前，电擦除。定时和可证实
电擦除的阳离子在内部控制中
该设备。擦除操作可以擦除一个扇区，
多个部门或整个设备。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
类似数据＃轮询和状态位状态位
连续的读周期之间切换，提供馈
回给用户以编程的状态
操作。参阅写操作状态表6中，对于多
这些状态位的信息。
自动选择
自动选择模式提供了制造商和
设备识别和部门保护验证，
通过Q7 Q0识别码输出。此模式是
主要适用于编程设备，使用默认的
副与其规划算法进行编程。
当通过高压方法编程，自动
选择模式需要VID （ 11.5V至12.5V ）的地址
销A9和其他地址引脚A 6， A1和A0为指
到表2中。此外，以访问自动选择
代码在系统中，主机可以发出自动SE-
通过无命令寄存器择命令
需要的VID ，如表3所示。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
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MX29LV040C
为了验证扇区是否受到保护，该节
器地址必须出现在最适当的顺序
地址位（见表1和表2）。地址的其余部分
位，如表3所示，也不在乎。一旦所有neces-
萨利位已被设置为需要时，编程
设备可以在读取相应的识别码
Q7~Q0.
表2. MX29LV040C自动选择模式操作
A18 A15
描述
读
生产代码
CE ＃ OE ＃ WE＃
L
L
L
L
L
L
H
H
H
|
X
X
SA
|
X
X
X
A9
VID
VID
VID
A16 A10
硅ID设备ID
扇区保护
验证
A8
|
A7
X
X
X
L
L
L
A6
A5
|
A2
X
X
X
L
L
H
L
H
L
C2H
4FH
01H
（被保护）
00H
（无保护）
注： SA =扇区地址，X =无关， L =逻辑低，H =逻辑高电平
A1
A0
Q7~Q0
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