MX29LV033A
32M - BIT [ 4M ×8 ] CMOS EQUAL部门FLASH MEMORY
特点
一般特点
4,194,304 ×8字节结构
64个部门平等使用64KB每
- 任何部门的结合可以用擦除功能
暂停/恢复功能
十八部门团体
- 提供行业组保护功能，防止亲
受保护的行业组中克或擦除操作
- 提供芯片的无保护功能，允许代码
改变
- 提供临时机构组无保护功能
重刑在以前受保护的行业代码变更
群体
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作
系统蒸发散
闭锁保护250mA的从-1V到Vcc + 1V
VCC低于写入禁止等于或小于1.4V
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容的单电源支持
层闪光
第二代3V / 32M闪存产品
- 与MX29LV033设备完全兼容
性能
高性能
- 快速存取时间： 70 /为90ns
- 快速编程时间： 7us /字节， 36S /芯片（典型值）
- 快速擦除时间： 0.7秒/部门， 35秒/芯片（典型值）
低功耗
在5MHz 10毫安（典型值） ： - 低有效的读电流
- 低待机电流为200nA （典型值）
最少100,000次擦除/编程周期
10年的数据保存
软件特点
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据
或程序数据到另一个扇区是不是
删除
状态回复
- 数据＃轮询&切换位提供检测的亲
克和擦除操作完成
支持命令闪存接口（ CFI ）
硬件特性
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）输出
- 提供了检测程序的硬件方法
和擦除操作完成
硬件复位（ RESET ＃ ）输入
- 提供了硬件的方法来重置内部状态
机读取模式
ACC输入引脚
- 提供加速方案的能力
包
- 40针TSOP
概述
该MX29LV033A是32兆比特的闪存奥尔加
认列作为8位4M字节。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29LV033A是
封装采用40引脚TSOP 。它被设计成可重现
编程和擦除系统或标准EPROM
程序员。
该标准MX29LV033A提供存取时间快
作为为70ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线冲突，
MX29LV033A有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和输出
把使能（ OE ＃ ）控制。
P / N ： PM1017
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV033A使用命令寄存器来管理这个
功能。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠
骑自行车。该MX29LV033A采用2.7V至3.6V的VCC
REV 。 1.0 ，九月20 ， 2004年
1
MX29LV033A
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现与
MXIC专有的非外延工艺。闭锁保护
证明了应力高达100毫安的地址
和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
matically节目之前的指定的扇区的
电擦除。定时和验证的
电擦除内部中控
装置。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用待机动写命令到命令寄存器
德国电视一台微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平， relia-
相容性，和成本效益。该MX29LV033A electri-
美云擦除同时使用福勒， Nord-所有位
海姆隧道。的字节是通过使用编程的
热电子EPROM编程机制注射
化。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程
该MX29LV033A是使用中的自动字节编程
MATIC编程算法。自动编程
明算法使得外部系统不需要
有超时序列也不以验证数据亲
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV033A的温度低于36仲
哔声。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求用户
只写程序设置命令（其中包括2个非
锁定写周期和A0H ）和程序指令（亲
克数据和地址）。设备会自动倍
编程脉冲的宽度，提供了veri-程序
fication ，并计算序列的数量。一个状态
类似数据＃轮询和状态位切换BE-位
吐温连续读周期，提供反馈
用户以编程操作的状态。
自动芯片擦除
整个芯片采用50毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
小于35秒。自动擦除算法
自动程序electri-之前，整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29LV033A是使用部门（S ）可擦除MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式
允许该阵列的扇区来在一个擦除擦除
周期。自动扇区擦除算法自动
P / N ： PM1017
REV 。 1.0 ，九月20 ， 2004年
2
MX29LV033A
32M - BIT [ 4M ×8 ] CMOS EQUAL部门FLASH MEMORY
特点
一般特点
4,194,304 ×8字节结构
64个部门平等使用64KB每
- 任何部门的结合可以用擦除功能
暂停/恢复功能
十八部门团体
- 提供行业组保护功能，防止亲
受保护的行业组中克或擦除操作
- 提供芯片的无保护功能，允许代码
改变
- 提供临时机构组无保护功能
重刑在以前受保护的行业代码变更
群体
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作
系统蒸发散
闭锁保护250mA的从-1V到Vcc + 1V
VCC低于写入禁止等于或小于1.4V
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容的单电源支持
层闪光
第二代3V / 32M闪存产品
- 与MX29LV033设备完全兼容
性能
高性能
- 快速存取时间： 70 /为90ns
- 快速编程时间： 7us /字节， 36S /芯片（典型值）
- 快速擦除时间： 0.7秒/部门， 35秒/芯片（典型值）
低功耗
在5MHz 10毫安（典型值） ： - 低有效的读电流
- 低待机电流为200nA （典型值）
最少100,000次擦除/编程周期
10年的数据保存
软件特点
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据
或程序数据到另一个扇区是不是
删除
状态回复
- 数据＃轮询&切换位提供检测的亲
克和擦除操作完成
支持命令闪存接口（ CFI ）
硬件特性
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）输出
- 提供了检测程序的硬件方法
和擦除操作完成
硬件复位（ RESET ＃ ）输入
- 提供了硬件的方法来重置内部状态
机读取模式
ACC输入引脚
- 提供加速方案的能力
包
- 40针TSOP
概述
该MX29LV033A是32兆比特的闪存奥尔加
认列作为8位4M字节。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29LV033A是
封装采用40引脚TSOP 。它被设计成可重现
编程和擦除系统或标准EPROM
程序员。
该标准MX29LV033A提供存取时间快
作为为70ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线冲突，
MX29LV033A有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和输出
把使能（ OE ＃ ）控制。
P / N ： PM1017
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV033A使用命令寄存器来管理这个
功能。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠
骑自行车。该MX29LV033A采用2.7V至3.6V的VCC
REV 。 1.0 ，九月20 ， 2004年
1
MX29LV033A
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现与
MXIC专有的非外延工艺。闭锁保护
证明了应力高达100毫安的地址
和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
matically节目之前的指定的扇区的
电擦除。定时和验证的
电擦除内部中控
装置。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用待机动写命令到命令寄存器
德国电视一台微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平， relia-
相容性，和成本效益。该MX29LV033A electri-
美云擦除同时使用福勒， Nord-所有位
海姆隧道。的字节是通过使用编程的
热电子EPROM编程机制注射
化。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程
该MX29LV033A是使用中的自动字节编程
MATIC编程算法。自动编程
明算法使得外部系统不需要
有超时序列也不以验证数据亲
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV033A的温度低于36仲
哔声。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求用户
只写程序设置命令（其中包括2个非
锁定写周期和A0H ）和程序指令（亲
克数据和地址）。设备会自动倍
编程脉冲的宽度，提供了veri-程序
fication ，并计算序列的数量。一个状态
类似数据＃轮询和状态位切换BE-位
吐温连续读周期，提供反馈
用户以编程操作的状态。
自动芯片擦除
整个芯片采用50毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
小于35秒。自动擦除算法
自动程序electri-之前，整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29LV033A是使用部门（S ）可擦除MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式
允许该阵列的扇区来在一个擦除擦除
周期。自动扇区擦除算法自动
P / N ： PM1017
REV 。 1.0 ，九月20 ， 2004年
2
MX29LV033A
32M - BIT [ 4M ×8 ] CMOS EQUAL部门FLASH MEMORY
特点
一般特点
4,194,304 ×8字节结构
64个部门平等使用64KB每
- 任何部门的结合可以用擦除功能
暂停/恢复功能
十八部门团体
- 提供行业组保护功能，防止亲
受保护的行业组中克或擦除操作
- 提供芯片的无保护功能，允许代码
改变
- 提供临时机构组无保护功能
重刑在以前受保护的行业代码变更
群体
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作
系统蒸发散
闭锁保护250mA的从-1V到Vcc + 1V
VCC低于写入禁止等于或小于1.4V
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容的单电源支持
层闪光
第二代3V / 32M闪存产品
- 与MX29LV033设备完全兼容
性能
高性能
- 快速存取时间： 70 /为90ns
- 快速编程时间： 7us /字节， 36S /芯片（典型值）
- 快速擦除时间： 0.7秒/部门， 35秒/芯片（典型值）
低功耗
在5MHz 10毫安（典型值） ： - 低有效的读电流
- 低待机电流为200nA （典型值）
最少100,000次擦除/编程周期
10年的数据保存
软件特点
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据
或程序数据到另一个扇区是不是
删除
状态回复
- 数据＃轮询&切换位提供检测的亲
克和擦除操作完成
支持命令闪存接口（ CFI ）
硬件特性
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）输出
- 提供了检测程序的硬件方法
和擦除操作完成
硬件复位（ RESET ＃ ）输入
- 提供了硬件的方法来重置内部状态
机读取模式
ACC输入引脚
- 提供加速方案的能力
包
- 40针TSOP
概述
该MX29LV033A是32兆比特的闪存奥尔加
认列作为8位4M字节。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29LV033A是
封装采用40引脚TSOP 。它被设计成可重现
编程和擦除系统或标准EPROM
程序员。
该标准MX29LV033A提供存取时间快
作为为70ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线冲突，
MX29LV033A有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和输出
把使能（ OE ＃ ）控制。
P / N ： PM1017
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV033A使用命令寄存器来管理这个
功能。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠
骑自行车。该MX29LV033A采用2.7V至3.6V的VCC
REV 。 1.0 ，九月20 ， 2004年
1
MX29LV033A
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现与
MXIC专有的非外延工艺。闭锁保护
证明了应力高达100毫安的地址
和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
matically节目之前的指定的扇区的
电擦除。定时和验证的
电擦除内部中控
装置。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用待机动写命令到命令寄存器
德国电视一台微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平， relia-
相容性，和成本效益。该MX29LV033A electri-
美云擦除同时使用福勒， Nord-所有位
海姆隧道。的字节是通过使用编程的
热电子EPROM编程机制注射
化。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程
该MX29LV033A是使用中的自动字节编程
MATIC编程算法。自动编程
明算法使得外部系统不需要
有超时序列也不以验证数据亲
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV033A的温度低于36仲
哔声。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求用户
只写程序设置命令（其中包括2个非
锁定写周期和A0H ）和程序指令（亲
克数据和地址）。设备会自动倍
编程脉冲的宽度，提供了veri-程序
fication ，并计算序列的数量。一个状态
类似数据＃轮询和状态位切换BE-位
吐温连续读周期，提供反馈
用户以编程操作的状态。
自动芯片擦除
整个芯片采用50毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
小于35秒。自动擦除算法
自动程序electri-之前，整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29LV033A是使用部门（S ）可擦除MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式
允许该阵列的扇区来在一个擦除擦除
周期。自动扇区擦除算法自动
P / N ： PM1017
REV 。 1.0 ，九月20 ， 2004年
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QQ：2881677436 复制
