初步
MX29LV004T/B
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压
3V ONLY FLASH MEMORY
特点
扩展单 - 电源电压范围2.7V至3.6V
524,288 x 8
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间： 55R / 70 /为90ns
低功耗
- 20毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节编程（ 9US典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K字节×1 ，
8K字节×2 ， 32K字节的X1 ，和64K字节X7 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，即不被擦除任何部门，
然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除操作完成。
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- Tempoary机构撤消允许代码修改
先前锁定行业。
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
引导扇区架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
低VCC写入禁止等于或小于2.3V
包装类型：
- 40针TSOP
- 32引脚PLCC
符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
概述
该MX29LV004T / B是4兆比特闪存或 -
ganized为512K字节的8位。 MXIC的Flash memo-
里斯提供最具成本效益和可靠的读/写
非易失性随机存取存储器。该MX29LV004T /
B被封装在40引脚TSOP和32引脚PLCC 。这是
旨在重新编程和擦除系统或
在标准EPROM编程器。
标准MX29LV004T / B提供了存取时间快
为55ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
在MX29LV004T / B已单独的芯片使能（ CE）和
输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV004T / B使用命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29LV004T / B采用的是2.7V 3.6V的VCC支持
帘布层进行高可靠性擦除和经销商亲
克/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0732
REV 。 1.1 ，九月19 ， 2001年
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MX29LV004T/B
销刀豆网络gurations
40 TSOP （标准型） （ 10毫米x10 20毫米）
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE
RESET
NC
RY / BY
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A17
GND
NC
NC
A10
Q7
Q6
Q5
Q4
VCC
VCC
NC
Q3
Q2
Q1
Q0
OE
VSS
CE
A0
MX29LV004T/B
32 PLCC
VCC
A12
A15
A16
A18
A17
WE
引脚说明
符号
A0~A18
A14
A13
A8
A9
9
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
硬件复位引脚/扇区保护解锁
（ 40 - TSOP ）
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
30
29
Q0~Q7
CE
WE
RESET
MX29LV004T/B
25
A11
OE
A10
CE
13
14
Q1
Q2
GND
17
Q3
Q4
Q5
21
20
Q6
Q7
OE
RY / BY
VCC
GND
输出使能输入
就绪/忙输出（ 40 - TSOP ）
电源引脚（ 2.7V 3.6V ）
接地引脚
P / N ： PM0732
REV 。 1.1 ，九月19 ， 2001年
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MX29LV004T/B
自动编程
该MX29LV004T / B是使用非盟字节可编程
tomatic编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV004T / B的温度低于10仲
哔声。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
擦除操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE的上升沿或CE ，取其hap-
笔先。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV004T / B elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比25秒少。自动擦除算法
自动程序electri-之前，整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29LV004T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。自动部门
擦除指定的算法自动程序
所属部门之前，电擦除。定时和可证实
电擦除的阳离子在内部控制中
该设备。擦除操作可以擦除一个扇区，
多个部门或整个设备。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
该器件提供了一个解锁旁路模式更快
编程。只需要两个写周期为亲
克，而不是4字节。类似数据的状态位
轮询和状态位之间连续切换
读周期，将反馈提供给用户，以该台站
土族的编程操作。请参阅写操作
化状态，表7 ，关于这些状态的详细信息
位。
自动选择
自动选择模式提供了制造商和
设备识别和部门保护验证，
通过Q7 Q0识别码输出。此模式是
主要适用于编程设备，使用默认的
副与其规划算法进行编程。
当通过高压方法编程，自动
选择模式需要VID （ 11.5V至12.5V ）的地址
销A9和其他地址引脚A 6， A 1为指表
3.此外，访问自动选择代码在 -
系统中，主机可以发出自动选择的COM
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