MX29LV004C T / B
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压
3V ONLY FLASH MEMORY
特点
扩展单 - 电源电压范围2.7V至3.6V
524,288 x 8
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
与MX29LV004T / B设备完全兼容
快速存取时间： 45R / 55R / 70 /为90ns
低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节编程（ 9US典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K字节×1 ，
8K字节×2 ， 32K字节的X1 ，和64K字节X7 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，即不被擦除任何部门，
然后恢复擦除。
状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除操作完成。
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 临时机构撤消允许代码修改
先前锁定行业
CFI （通用闪存接口）兼容
- 闪存器件参数存储在设备上，并
提供主机系统访问
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
BOOT扇区架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
套餐类型：
- 40针TSOP
- 32引脚PLCC
-
所有无铅器件符合RoHS标准
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年数据保留
概述
该MX29LV004C T / B为4兆比特闪存
组织为512K字节的8位。 MXIC的Flash memo-
里斯提供最具成本效益和可靠的读/写
非易失性随机存取存储器。该MX29LV004C
T / B封装采用40引脚TSOP和32引脚PLCC 。这是
旨在重新编程和擦除系统或
在标准EPROM编程器。
标准MX29LV004C T / B提供了存取时间为
高速微处理器的速度是为45nS ，让操作
处理机无需等待。为了消除总线conten-
化，在MX29LV004C T / B具有独立的芯片使能
（ CE ＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV004C T / B使用一个命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
P / N ： PM1148
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29LV004C T / B采用的是2.7V 3.6V的VCC
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
REV 。 1.3 ，四月24 ， 2006年
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MX29LV004C T / B
销刀豆网络gurations
40 TSOP （标准型） （ 10毫米x10 20毫米）
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE＃
RESET＃
NC
RY / BY ＃
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A17
GND
NC
NC
A10
Q7
Q6
Q5
Q4
VCC
VCC
NC
Q3
Q2
Q1
Q0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
MX29LV004C T / B
32 PLCC
WE＃
VCC
A12
A15
A16
A18
A17
引脚说明
符号
A0~A18
A14
A13
A8
A9
9
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
硬件复位引脚/扇区保护
开锁（ 40 - TSOP ）
输出使能输入
就绪/忙＃输出（ 40 - TSOP ）
电源引脚（ 2.7V 3.6V ）
接地引脚
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
30
29
Q0~Q7
CE＃
WE＃
RESET＃
OE ＃
RY / BY ＃
VCC
GND
MX29LV004C T / B
25
A11
OE ＃
A10
CE＃
13
14
17
21
20
Q7
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
P / N ： PM1148
GND
Q6
REV 。 1.3 ，四月24 ， 2006年
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MX29LV004C T / B
自动编程
该MX29LV004C T / B是用字节可编程
自动编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV004C T /乙的温度低于10
秒。
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
擦除操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃或CE ＃的上升沿，取
首先发生。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV004C T / B
电擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比4秒少。自动擦除算法，非盟
tomatically方案对整个阵列之前，电
抹去。电擦除的时序和验证是
在装置内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29LV004C T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。自动部门
擦除指定的算法自动程序
所属部门之前，电擦除。定时和可证实
电擦除的阳离子在内部控制中
该设备。擦除操作可以擦除一个扇区，
多个部门或整个设备。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
类似数据＃轮询和状态位状态位
连续的读周期之间切换，提供馈
回给用户以编程的状态
操作。请参阅写操作状态，表7 ，更多的
这些状态位的信息。
自动选择
自动选择模式提供了制造商和
设备识别和部门保护验证，
通过Q7 Q0识别码输出。此模式是
主要适用于编程设备，使用默认的
副与其规划算法进行编程。
当通过高压方法编程，自动
选择模式需要VID （ 11.5V至12.5V ）的地址
销A9和其他地址引脚A 6， A 1为指表
3.此外，访问自动选择代码在 -
系统中，主机可以发出自动选择的COM
命令通过无需VID命令寄存器，
如表4所示。
为了验证扇区是否受到保护，该节
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
P / N ： PM1148
REV 。 1.3 ，四月24 ， 2006年
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