MX29LV002C / 002NC T / B
2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS单电压
3V ONLY FLASH MEMORY
特点
扩展单 - 电源电压范围2.7V至3.6V
262,411 x 8
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间： 70 /为90ns
低功耗
- 20毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节编程（ 9US典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K字节×1 ，
8K字节×2 ， 32K字节的X1 ，和64K字节×3）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，即不被擦除任何部门，
然后恢复擦除。
状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除操作完成。
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 临时机构撤消允许代码修改
先前锁定行业
CFI （通用闪存接口）兼容
- 闪存器件参数存储在设备上，并
提供主机系统访问
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
引导扇区架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
硬件RESET ＃引脚（仅适用于29LV002C ）
- 复位内部状态机读取模式
包装类型：
- 32引脚的TSOP （类型1）
- 32引脚PLCC
20年的数据保存
概述
该MX29LV002C T / B为2兆比特的闪存
组织为256K字节的8位。 MXIC的Flash memo-
里斯提供最具成本效益和可靠的读/写
非易失性随机存取存储器。该MX29LV002C
T / B封装采用32引脚TSOP和32引脚PLCC 。这是
旨在重新编程和擦除系统或
在标准EPROM编程器。
标准MX29LV002C T / B提供了存取时间为
高速微处理器的速度是70ns的，让操作
处理机无需等待。为了消除总线conten-
化，在MX29LV002C T / B具有独立的芯片使能
（ CE ＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV002C T / B使用一个命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
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TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29LV002C T / B采用的是2.7V 3.6V的VCC
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
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MX29LV002C / 002NC T / B
自动编程
该MX29LV002C T / B是用字节可编程
自动编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29LV002C T /乙的温度低于10
秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
擦除操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃或CE ＃的上升沿，取
首先发生。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV002C T / B
电擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比4秒少。自动擦除算法，非盟
tomatically方案对整个阵列之前，电
抹去。电擦除的时序和验证是
在装置内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29LV002C T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。自动部门
擦除指定的算法自动程序
所属部门之前，电擦除。定时和可证实
电擦除的阳离子在内部控制中
该设备。擦除操作可以擦除一个扇区，
多个部门或整个设备。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
该器件提供了一个解锁旁路模式更快
编程。只需要两个写周期为亲
克，而不是4字节。类似的数据＃A状态位
轮询和状态位之间连续切换
读周期，将反馈提供给用户，以该台站
土族的编程操作。请参阅写操作
化状态，表7 ，关于这些状态的详细信息
位。
自动选择
自动选择模式提供了制造商和
设备识别和部门保护验证，
通过Q7 Q0识别码输出。此模式是
主要适用于编程设备，使用默认的
副与其规划算法进行编程。
当通过高压方法编程，自动
选择模式需要VID （ 11.5V至12.5V ）的地址
销A9和其他地址引脚A 6， A 1为指表
3.此外，访问自动选择代码在 -
系统中，主机可以发出自动选择的COM
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命令通过无需VID命令寄存器，
如表4所示。
为了验证扇区是否受到保护，该节
器地址必须出现在相应的最高或 -
明镜地址位（见表1和表2）。的其余部分
地址位，如表3所示，也不在乎。一旦
所有必要的位都被设置为需要的，亲
编程设备可以读取相应的iDEN的
在Q7 Q0 tifier代码。
表3. MX29LV002C T / B自选模式操作
A17 A12
描述
生产代码
读
硅
ID
器件ID
（上引导块）
器件ID
（底部引导块）
01H
扇区保护验证
L
L
H
H
SA
X
VID
X
L
X
H
L
（被保护）
00H
（无保护）
L
L
H
H
X
X
VID
X
L
X
L
H
5AH
CE ＃ OE ＃ WE＃ RESET ＃
L
L
L
L
H
H
H
H
|
X
X
|
X
X
A9
VID
VID
（注） A13 A10
A8
|
A7
X
X
L
L
A6
A5
|
A2
X
X
L
L
L
H
C2H
59H
A1 A0
Q7~Q0
注： SA =扇区地址，X =无关， L =逻辑低， H =逻辑高电平。
RESET ＃引脚仅32 TSOP 。
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