初步
MX29L1611
16M - BIT [ 2M ×8 / 1M ×16 ]的CMOS
单电压PAGEMODE FLASH EEPROM
特点
可调节电压范围3.0 3.6V的写入，擦除和
read(MX29L1611-75/10/12)
快速随机存取/页模式使用时间： 75 /
为30ns ， 100 / 30ns的， 120 / 30ns的。
全电压范围2.7 3.6V的写入，擦除和读取
(MX29L1611-90)
快速随机存取/页模式使用时间： 90 /
35ns
- 耐力： 10,000次
页面的访问深度： 16字节/ 8个字，网页地址
A0, A1, A2
扇区擦除架构
- 每个64K字节等于32部门
- 扇区擦除时间： 200ms的典型
自动擦除和自动编程算法
- 自动擦除扇区或任何一个
整个芯片擦除挂起功能
- 自动程序，并在指定的验证数据
地址
状态寄存器功能的检测程序或
擦除周期结束
低VCC写入禁止< 1.8V
软件和硬件的数据保护
页编程操作
- 内部地址和数据锁存器为128字节/ 64
每页单词
- 页编程时间：5ms典型
低功耗
- 50毫安有功电流
- 的20uA静态电流
两个独立的受保护的行业
行业标准的表面贴装封装
- 44铅SOP ， TSOP 48 （I）
概述
该MX29L1611是16兆比特pagemode闪光
内存作为组织或者1M wordx16或2M bytex8 。
该MX29L1611包括32个扇区为64KB （ 65,536
字节或32,768字） 。旺宏的闪存报价
最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器和快速页模式
访问。该MX29L1611封装的44引脚SOP和
48 TSOP （Ⅰ） 。它被设计成可重新编程和
删除在系统或标准EPROM编程器。
该标准MX29L1611提供存取时间快
为100ns ，高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线冲突， MX29L1611
有独立的芯片使能CE ，输出使能（ OE ）和
写使能（WE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29L1611使用命令寄存器来管理这个
功能。
为了让简单的系统内可重编程中，
MX29L1611不需要高的输入电压为
编程。三伏特，只有命令确定
该装置的操作。读出数据的
装置类似于从一个EPROM读取。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10,000次。该MXIC的电池设计
优化了擦除和编程机制。在
此外，先进的隧道氧化物的组合
处理和低内部电场进行擦除和
编程操作产生可靠的自行车。该
MX29L1611采用的是2.7V 3.6V的VCC电源进行
自动擦除和自动程序算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁
保护被证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0511
REV 。 2.4 ，十一月06 ， 2001年
1
MX29L1611
Table1.PIN说明
符号
A0 - A19
Q0 - Q7
TYPE
输入
输入/输出
名称和功能
地址输入：内存地址。
地址是内部
在写周期期间锁存。
低字节数据总线：在命令接口输入的数据和命令
寄存器（ CIR ）的写周期。输出数组中的地位和识别数据
适当的阅读模式。当芯片被取消选择或输出浮动
被禁用。
Q8 - Q14
输入/输出
高字节数据总线：在×16数据写入操作的输入数据。
输出数组中，在相应的读出模式标识符数据;不使用状态
寄存器读。浮时的芯片将被取消选择或输出
Q15 / A -1
CE
输入/输出
输入
残
高字节数据输入/输出之间进行选择（字节=高）和LSB
地址（字节= LOW ）
芯片使能输入：启动设备的控制逻辑，输入缓冲器，
解码器和读出放大器。随着CE高，设备被取消选中，
任何当前完成后功耗将降低到待机水平
编程或擦除操作。行政长官必须为低来选择设备。
输出使能：盖茨设备的数据通过输出缓冲器
在一个读周期OE为低电平有效。
写使能：控制写入命令接口寄存器（ CIR ） 。
WE为低电平有效。
写入保护功能：顶部或底部部门可以通过编写一个非得到保护
挥发性保护位的每个部门。当WP为高电平时，所有部门可以
或编程的保护位的状态擦除不管。
字节使能：在x8模式字节低的地方的设备。所有的数据然后被输入
或Q0-7和Q8-14浮动输出。 AddressQ15 / A- 1高之间的选择
字节和低字节。 BYTE高处的设备在x16模式，并关闭Q15 /
A- 1的输入缓冲区。地址A0，则成为最低阶地址。
器件电源（ 3.0V 3.6V的MX29L1611-75 / 10 /12; 2.7V 3.6V
对于MX29L1611-90 ）
地
OE
WE
WP
输入
输入
输入
字节
输入
VCC
GND
P / N ： PM0511
REV 。 2.4 ，十一月06 ， 2001年
4
MX29L1611
总线操作
快闪记忆体读取，擦除，并通过本地CPU在系统写入。所有的总线周期来或从闪速存储器
符合标准的微处理器总线周期。
表2.1总线操作的字宽模式（字节= VIH ）
模式
读
输出禁用
待机
制造商ID
器件ID
写
笔记
1
1
1
2,4
2,4
1,3
CE
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
VIL
OE
VIL
VIH
X
VIL
VIL
VIH
WE
VIH
VIH
X
VIH
VIH
VIL
A0
X
X
X
VIL
VIH
X
A1
X
X
X
VIL
VIL
X
A9
X
X
X
VID
VID
X
Q0-Q7
DOUT
高Z
高Z
C2H
F8H
DIN
Q8-Q14
DOUT
高Z
高Z
00H
00H
DIN
Q15/A-1
DOUT
高阻
高阻
0B
0B
DIN
表2.2总线操作的字节宽模式（字节= VIL ）
模式
读
输出禁用
待机
制造商ID
器件ID
写
笔记
1
1
1
2,4
2,4
1,3
CE
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
VIL
OE
VIL
VIH
X
VIL
VIL
VIH
WE
VIH
VIH
X
VIH
VIH
VIL
A0
X
X
X
VIL
VIH
X
A1
X
X
X
VIL
VIL
X
A9
X
X
X
VID
VID
X
Q0-Q7
DOUT
高Z
高Z
C2H
F8H
DIN
Q8-Q14
高阻
高Z
高Z
高Z
高Z
高Z
Q15/A-1
VIL / VIH
X
X
VIL
VIL
VIL / VIH
注意事项：
1， X可以是VIH或VIL的地址或控制引脚。
2. A0和A1在VIL为制造商ID代码。 A0的VIH和A1在VIL提供设备的ID码。 A0在VIL ，在A1和VIH
用适当的扇区地址为部门保护代码。 （请参考表4 ）
3.命令为不同的擦除操作，数据的程序操作或部门保护的操作只能是成功的
通过适当的命令序列完成。
4. VID = 11.5V- 12.5V 。
P / N ： PM0511
REV 。 2.4 ，十一月06 ， 2001年
5
QQ：2880707522 复制
