先进的信息
MX29L1611G / MX29L1611 *
16M - BIT [ 2M ×8 / 1M ×16 ]的CMOS
单电压闪存EEPROM
特点
3.3V
±
写和读操作10 ％
11V Vpp的擦除/编程操作
耐久性： 100次
快速随机访问时间：为90ns / 100ns的/ 120ns的
快速页面访问时间： 30ns的（仅适用于29L1611PC - 90 /
10/12)
扇区擦除架构
- 每个64K字节等于32部门
- 扇区擦除时间： 200ms的典型
自动擦除和自动编程算法
- 自动擦除扇区或任何一个
整个芯片
- 自动程序，并在指定的验证数据
地址
状态寄存器功能的检测程序或
擦除周期结束
低VCC写入禁止等于或小于1.8V
软件数据保护
页编程操作
- 内部地址和数据锁存器为每64个字
页面
- 页编程时间：5ms典型
低功耗
- 50毫安有功电流
- 的20uA静态电流
两个独立的受保护的行业
包装类型
- 42引脚塑料DIP
*对于页式只读
概述
该MX29L1611G是16兆比特的闪存
作为组织或者1M wordx16或2M bytex8 。该
MX29L1611G包括32个扇区为64KB （ 65,536字节
或32,768字） 。旺宏的快闪记忆体提供最
具有成本效益和可靠的读/写非易失性随机
存取存储器。该MX29L1611G封装在42
引脚PDIP 。
该标准MX29L1611G提供存取时间快
为100ns内，高速允许操作
微处理器无需等待。为了消除总线争用，
该MX29L1611G有独立的芯片使能CE和，
输出使能（OE ） 。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
与电擦除和编程。该
MX29L1611G使用命令寄存器来管理这个
功能。
MX29L1611G确实需要高输入电压为
编程。命令需要11V的输入来确定
该装置的操作。读出数据的
装置类似于从一个EPROM读取。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过100次循环。该MXIC的单元的设计
优化了擦除和编程机制。在
此外，先进的隧道氧化物的组合
处理和低内部电场进行擦除和
编程操作产生可靠的自行车。该
MX29L1611G使用11V Vpp的供给来执行
自动清除和自动编程算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁
保护被证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0604
REV 。 0.8 ，一月24 ， 2002年
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MX29L1611G / MX29L1611 *
表1 。引脚说明
符号
A0 - A19
Q0 - Q7
TYPE
输入
输入/输出
名称和功能
地址输入：内存地址。地址被内部锁存
在写周期。
低字节数据总线：在命令接口输入的数据和命令
寄存器（ CIR ）的写周期。输出数组中的地位和识别数据
适当的阅读模式。浮时的芯片将被取消选择或输出
禁用。
Q8 - Q14
输入/输出
高字节数据总线：在×16数据写入操作的输入数据。
输出数组中，在相应的读出模式标识符数据;不使用状态
寄存器读。浮时的芯片将被取消选择或输出被禁止
Q15 / A -1
CE
输入/输出
输入
高字节数据输入/输出之间进行选择（字节=高）和LSB
地址（字节= LOW）的RAED操作。
芯片使能输入：启动设备的控制逻辑，输入缓冲器，
解码器和读出放大器。随着CE高，设备被取消选中，
任何当前完成后功耗将降低到待机水平
编程或擦除操作。行政长官必须是从低到
OE
BYTE / VPP
输入
输入
一个读周期OE为低电平有效。
字节使能：同时经营读取模式，在X8字节低的地方装置
模式。所有的数据被输入或输出上Q0-7和Q8-14浮动。 AddressQ15 /
A-1的高字节和低字节之间进行选择。同时经营读取模式， BYTE
高处的设备在x16模式，并关闭Q15 / A - 1的输入缓冲区。
地址A0，则成为最低阶地址。
擦除/编程使能：当字节/ VPP = 11V将使该设备
进入擦除/编程模式。
VCC
GND
设备电源（ 3.3V
±
10%)
地
选择该设备。
输出使能：盖茨设备的数据通过在输出缓冲器
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MX29L1611G / MX29L1611 *
总线操作
快闪记忆体读取，擦除，并通过本地CPU在系统写入。所有的总线周期来或从闪速存储器
符合标准的微处理器总线周期。
表2.1总线操作的字宽模式（字节/ VPP = VIH ）
模式
读
输出禁用
待机
制造商ID
器件ID
写
笔记
1
1
1
2,4
2,4
1,3,5
CE
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
VIL
OE
VIL
VIH
X
VIL
VIL
VIH
BYTE / VPP A0
VIH
VIH
H / L
VIH
VIH
VPP
X
X
X
VIL
VIH
X
A1
X
X
X
VIL
VIL
X
A9
X
X
X
VID
VID
X
Q0-Q7
DOUT
高Z
高Z
C2H
F6H
DIN
Q8 - Q14 Q15 / A - 1
DOUT
高Z
高Z
00H
00H
DIN
DOUT
高阻
高阻
0B
0B
DIN
表2.2总线操作的字节宽模式（字节= VIL ）
模式
读
输出禁用
待机
制造商ID
器件ID
写
笔记
1
1
1
2,4
2,4
1,3,5
CE
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
VIL
OE
VIL
X
VIL
VIL
BYTE / VPP
VIL
H / L
VIL
VIL
A0
X
X
X
VIL
VIH
X
A1
X
X
X
VIL
VIL
X
A9
X
X
X
VID
VID
X
Q0-Q7
DOUT
高Z
高Z
C2H
F6H
DIN
Q8 - Q14 Q15 / A - 1
高阻
高Z
高Z
高Z
高Z
DIN
VIL / VIH
X
X
VIL
VIL
DIN
VIH VIL
VPP VIH
注意事项：
1， X可以是VIH或VIL的地址或控制引脚。
2. A0和A1在VIL为制造商ID代码。 A0的VIH和A1在VIL提供设备的ID码。 A0在VIL ，
A1的VIH和适当的扇区地址为部门保护代码。 （请参考表4 ） ， A2 A19 =不
在意。
3.命令为不同的擦除操作，数据的程序操作或部门保护的操作只能是
通过适当的命令序列成功完成。
4. VID = 11.5V- 12.5V
5.字模式仅适用于写操作VPP = 10.5V 11.5V
P / N ： PM0604
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