MX29F400C T / B
4M- BIT [ 512Kx8 / 256Kx16 ] CMOS单电压
5V ONLY引导扇区闪存
特点
524,288 ×8 / 262,144 ×16切换
单电源工作
- 仅5.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间55 /70 /为90ns
兼容MX29F400T / B设备
低功耗
- 40毫安最大工作电流（为5MHz ）
- 1uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 9US / 11us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K - Bytex1 ， 8K-
Bytex2 ， 32K - Bytex1和64K字节X7 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序数据，另一扇区是不存在
擦除，然后恢复擦除
状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除周期结束
就绪/忙脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除周期结束
扇区保护/取消保护芯片用于5V系统只
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 临时机构撤消允许代码修改
先前锁定行业
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
启动代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
包装类型：
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
-
所有无铅器件符合RoHS标准
符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年的数据保存
概述
该MX29F400C T / B为4兆比特闪存或 -
ganized为512K字节的8位或16位的256K字。
旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益和
可靠的读/写的非易失性随机存取存储器。
该MX29F400C T / B封装采用44引脚SOP ，48引脚
TSOP 。它被设计成可重新编程和擦除
系统或标准EPROM编程器。
标准MX29F400C T / B提供了存取时间为
高速微处理器的速度是55ns ，使操作
处理机无需等待。为了消除总线conten-
化，在MX29F400C T / B已单独的芯片使能（ CE ＃ ）
和输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F400C T / B使用一个命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
P / N ： PM1200
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29F400C T / B采用的是5.0V ± 10 ％ VCC支持
帘布层进行高可靠性擦除和经销商亲
克/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
REV 。 1.0，十二月20 ， 2005年
1
MX29F400C T / B
销刀豆网络gurations
44 SOP （ 500万）
NC
RY / BY ＃
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
GND
OE ＃
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET＃
WE＃
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE ＃
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
引脚说明
符号引脚名称
A0~A17
Q0~Q14
Q15/A-1
CE＃
WE＃
BYTE ＃
RESET＃
OE ＃
RY / BY ＃
VCC
GND
地址输入
数据输入/输出
Q15 （字模式） / LSB地址（字节模式）
芯片使能输入
写使能输入
字/字节选择输入
硬件复位引脚/扇区保护
开锁
输出使能输入
READY / BUSY输出
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
48 TSOP （标准型） （12毫米X 20毫米）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE ＃
GND
CE＃
A0
MX29F400CT/CB
MX29F400CT/CB
P / N ： PM1200
REV 。 1.0，十二月20 ， 2005年
2
MX29F400C T / B
部门结构
MX29F400CT TOP引导扇区地址表
扇区大小
（千字节/
K字）
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
32/16
8/4
8/4
16/8
地址范围（十六进制）
(x8)
(x16)
地址范围
地址范围
00000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-77FFFh
78000h-79FFFh
7A000h-7BFFFh
7C000h-7FFFFh
00000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-17FFFh
18000h-1FFFFh
20000h-27FFFh
28000h-2FFFFh
30000h-37FFFh
38000h-3BFFFh
3C000h-3CFFFh
3D000h-3DFFFh
3E000h-3FFFFh
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
A17
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
A16
0
0
1
1
0
0
1
1
1
1
1
A15
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
A14
X
X
X
X
X
X
X
0
1
1
1
A13
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
1
A12
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
X
MX29F400CB底部引导扇区地址表
扇区大小
（千字节/
K字）
16/8
8/4
8/4
32/16
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
地址范围（十六进制）
(x8)
(x16)
地址范围
地址范围
00000h-03FFFh
04000h-05FFFh
06000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-7FFFFh
00000h-01FFFh
02000h-02FFFh
03000h-03FFFh
04000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-17FFFh
18000h-1FFFFh
20000h-27FFFh
28000h-2FFFFh
30000h-37FFFh
38000h-3FFFFh
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
A17
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
A16
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
A15
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
A14
0
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
A13
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
A12
X
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
注意：
地址范围为A17 A- 1字节模式和A17 A0字模式。
P / N ： PM1200
REV 。 1.0，十二月20 ， 2005年
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MX29F400C T / B
自动编程
该MX29F400C T / B是用字节可编程
自动编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29F400C T /乙的温度低于4.5仲
哔声。
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃或CE ＃的上升沿，取
首先发生。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29F400C T / B elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的超热电子的EPROM编程机制
注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比4秒少。自动擦除算法，非盟
tomatically方案对整个阵列之前，电
抹去。电擦除的时序和验证是
在装置内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F400C T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动程序
指定的扇区的前向电擦除。该时序
荷兰国际集团和验证电擦除的控制IN-
ternally内的设备。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（其中包括2个
解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
类似数据＃投票和状态位状态位瓶酒
连续的读周期之间岭大战，提供反馈
给用户以编程的状态操作
化。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
P / N ： PM1200
REV 。 1.0，十二月20 ， 2005年
5
QQ：2880707522 复制
